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부성 미분 저항을 갖는 2단자 전자소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014029481
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전자소자와 외부가 맞닿는 면적을 늘려줌으로써 외부공기와의 대류현장을 배가시켜 전자소자의 열 방출을 용이하게 하여 소형화 및 고출력에 사용되는 전자소자의 내부온도를 감소시킬 수 있는 부성 미분 저항을 갖는 2단자 전자소자를 제공하기 위한 것으로서, 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 부성 미분 저항을 갖는 2단자 전자소자의 특징은 금속 또는 열전도도 물질을 갖는 열 흡수원(heat sink)과, 상기 열 흡수원 상단에 위치하는 반도체 기판과, 상기 열 흡수원과 상기 반도체 기판 사이에 금속층으로 형성된 제 1 전극과, 상기 반도체 기판의 상부에 금속층으로 형성된 제 2 전극으로 구성되며, 상기 반도체 기판은 평면상으로 음각 패턴 또는 양각 패턴 중 적어도 하나 이상의 형상을 갖는 패턴으로 형성되는데 있다. 반도체 소자, 열 흡수원, 밀리미터파 모듈, 2단자 소자, 열방출, 다이오드
Int. CL H01L 29/861 (2006.01) H01L 27/04 (2006.01)
CPC H01L 29/861(2013.01) H01L 29/861(2013.01) H01L 29/861(2013.01) H01L 29/861(2013.01) H01L 29/861(2013.01)
출원번호/일자 1020080100087 (2008.10.13)
출원인 동국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0935827-0000 (2009.12.30)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20100106) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.10.13)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 중구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김삼동 대한민국 서울특별시 중구
2 이재서 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 이진구 대한민국 서울특별시 중구
4 김미라 대한민국 서울특별시 중구
5 이성대 대한민국 서울특별시 중구
6 문성운 대한민국 서울특별시 중구
7 오정훈 대한민국 서울특별시 중구
8 이석훈 대한민국 서울특별시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 문춘오 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 문앤파트너특허법률사무소 (역삼동)
2 오위환 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로**길 **, *층 (반포동, 새로나빌딩)(스카이특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 중구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.10.13 수리 (Accepted) 1-1-2008-0711112-72
2 보정요구서
Request for Amendment
2008.10.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0119480-10
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2008-0747684-42
4 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2009.07.07 수리 (Accepted) 1-1-2009-0413262-34
5 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search
2009.07.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2009.07.21 수리 (Accepted) 9-1-2009-0043370-97
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.08.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0339258-83
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.10.14 수리 (Accepted) 1-1-2009-0630233-00
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.10.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0630231-19
10 등록결정서
Decision to grant
2009.12.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0532486-14
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.11.05 수리 (Accepted) 4-1-2010-5206478-99
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.06 수리 (Accepted) 4-1-2011-5243351-46
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-0002002-62
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.16 수리 (Accepted) 4-1-2019-5163486-33
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
금속 또는 열전도도 물질을 갖는 열 흡수원(heat sink)과, 상기 열 흡수원 상단에 위치하는 반도체 기판과, 상기 열 흡수원과 상기 반도체 기판 사이에 금속층으로 형성된 제 1 전극과, 상기 반도체 기판의 상부에 금속층으로 형성된 제 2 전극으로 구성되며, 상기 반도체 기판은 평면상으로 음각 패턴 또는 양각 패턴 중 적어도 하나 이상의 형상을 갖는 패턴으로 형성되는 것을 특징으로 하는 부성 미분 저항을 갖는 2단자 전자소자
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 패턴은 톱니형상의 양각 패턴 또는 음각 패턴과, 끝이 뾰족한 양각 및 음각 프리즘 패턴과, 끝이 둥근 라운드 형상의 양각 및 음각 라운드 패턴 중 적어도 하나 이상의 형상인 것을 특징으로 하는 부성 미분 저항을 갖는 2단자 전자소자
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 전극은 상기 반도체 기판과 동일한 형상의 패턴으로 형성되는 것을 특징으로 하는 부성 미분 저항을 갖는 2단자 전자소자
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 기판은 갈륨-비소(GaAs), 갈륨-질소(GaN) 및 갈륨-질소(GaN) 및 인듐-인(InP) 중 적어도 하나를 포함하는 화합물 반도체 재료를 사용하는 것을 특징으로 하는 부성 미분 저항을 갖는 2단자 전자소자
5 5
열 흡수원 상단에 캐소드(cathode) 금속층인 제 1 전극을 형성하는 단계와, 상기 제 1 전극층 상단에 갈륨-비소(GaAs), 갈륨-질소(GaN) 및 갈륨-질소(GaN) 및 인듐-인(InP) 중 적어도 하나를 포함하는 화합물 반도체 기판을 형성하는 단계와, 상기 기판 상단에 음각 패턴 또는 양각 패턴 중 적어도 하나 이상의 형상을 갖는 패턴 마스크를 위치시켜 상기 기판을 음각 및 양각 패턴을 갖도록 식각하는 단계와, 상기 음각 및 양각 패턴으로 식각된 기판 상단에 애노드(anode) 금속층인 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 부성 미분 저항을 갖는 2단자 전자소자의 제조방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 식각 단계는 제 1 전극층도 상기 기판과 함께 음각 및 양각 패턴으로 식각하는 것을 특징으로 하는 부성 미분 저항을 갖는 2단자 전자소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.