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(a) 기판 상에 에피층을 형성하는 단계;(b) 상기 에피층 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 데이터 금속 패턴을 형성하는 단계;(c) 상기 기판 상에 레지스터 패턴, 캐패시터 패턴, 급전 선로 및 그라운드를 포함하는 신호 금속 패턴을 형성하는 단계;(d) 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에 게이트 전극을 포함하는 게이트 금속 패턴을 형성하는 단계;(e) 상기 데이터 금속 패턴, 상기 신호 금속 패턴 및 상기 게이트 금속 패턴 상에 절연층을 형성하는 단계;(f) 상기 절연층을 일부 제거하여 상기 데이터 금속 패턴 및 상기 신호 금속 패턴을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계; 및(g) 상기 콘택홀에 브리지 금속 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 평면 어레이 안테나의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 (c) 단계에서 회로 그라운드, 제 1안테나 그라운드 및 제 2안테나 그라운드를 포함하는 상기 그라운드를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평면 어레이 안테나의 제조 방법
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제 2항에 있어서,상기 (f) 단계는,상기 절연층을 제거하여 상기 소스 전극을 노출시키는 소스 콘택홀, 상기 드레인 전극을 노출 시키는 드레인 콘택홀 및 상기 급전 선로를 노출시키는 선로 콘택홀 및 상기 회로 그라운드, 상기 제 1안테나 그라운드 및 상기 제 2안테나 그라운드 각각을 노출시키는 회로 그라운드 콘택홀, 제 1안테나 그라운드 콘택홀 및 제 2안테나 그라운드 콘택홀을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 평면 어레이 안테나의 제조 방법
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제 3항에 있어서,상기 (g) 단계는,상기 소스 콘택홀 및 상기 드레인 콘택홀에 트랜지스터 브리지 전극, 상기 회로 그라운드 콘택홀에 그라운드 브리지 전극 및 상기 제 1안테나 그라운드 콘택홀 및 상기 제 2안테나 그라운드 콘택홀에 안테나측 브리지 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 평면 어레이 안테나의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 (c) 단계는,상기 기판 상에 상기 레지스터 패턴의 제 1레지스터를 포함하는 제 1신호 금속 패턴을 형성하는 단계; 및상기 기판 상에 상기 캐패시터 패턴, 상기 급전 선로, 상기 그라운드 및 상기 제 1레지스터 상에 상기 레지스터 패턴의 제 2레지스터를 포함하는 제 2신호 금속 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 평면 어레이 안테나의 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 (c) 단계는,상기 기판 상에 상기 캐패시터 패턴의 제 1캐패시터 전극 및 상기 제 1캐패시터 전극과 이격된 제 2캐패시터 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 평면 어레이 안테나의 제조 방법
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제 6항에 있어서,상기 (f) 단계는,상기 절연층을 제거하여 상기 제 1캐패시터 전극을 노출시키는 캐패시터 콘택홀을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 평면 어레이 안테나의 제조 방법
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제 7항에 있어서,상기 (g) 단계는,상기 제 2캐패시터 전극과 중접되며 상기 캐패시터 콘택홀에 캐패시터 브리지 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 평면 어레이 안테나의 제조 방법
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기판 상에 형성되는 급전 선로, 안테나 레지스터 패턴 및 안테나 그라운드를 포함하는 안테나 영역;상기 안테나 영역을 제어하며 상기 기판 상에 형성되는 고전자 이동도 트랜지스터, 회로 레지스터 패턴, 캐패시터 패턴 및 회로 그라운드를 포함하는 회로 영역; 및상기 급전 선로, 상기 안테나 레지스터 패턴, 상기 안테나 그라운드의 제 1안테나 그라운드 및 제 2안테나 그라운드, 상기 고전자 이동도 트랜지스터, 상기 회로 레지스터 패턴, 상기 캐패시터 패턴 및 상기 회로 그라운드 상에 형성되는 절연층을 포함하되,상기 안테나 영역은,상기 절연층을 제거하여 상기 급전 선로를 노출시키는 선로 콘택홀;상기 절연층을 제거하여 상기 제 1안테나 그라운드 및 제 2안테나 그라운드 각각을 노출시키는 제 1안테나 그라운드 콘택홀 및 제 2 안테나 그라운드 콘택홀; 및상기 제 1안테나 그라운드 콘택홀과 상기 제 2안테나 그라운드 콘택홀에 형성되며 상기 제 1안테나 그라운드와 상기 제 2안테나 그라운드를 연결하는 안테나측 브리지 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평면 어레이 안테나
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제 9항에 있어서,상기 고전자 이동도 트랜지스터는,상기 기판 상에 형성되는 에피층;상기 에피층 상에 형성되는 소스 전극과 드레인 전극; 및상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에 노출된 상기 에피층 상에 형성되는 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 평면 어레이 안테나
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제 10항에 있어서,상기 회로 영역은,상기 절연층을 제거하여 상기 소스 전극을 노출시키는 소스 콘택홀;상기 절연층을 제거하여 상기 드레인 전극을 노출시키는 드레인 콘택홀; 및상기 소스 콘택홀 및 상기 드레인 콘택홀에 형성되며 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극을 연결하는 트랜지스터 브리지 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평면 어레이 안테나
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제 9항에 있어서,상기 캐패시터 패턴은,상기 기판 상에 형성되는 제 1캐패시터 전극; 및상기 기판 상에 상기 제 1캐패시터 전극과 이격되어 형성되는 제 2캐패시터 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 평면 어레이 안테나
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제 12항에 있어서,상기 회로 영역은,상기 절연층을 제거하여 상기 제 1캐패시터 전극을 노출시키는 캐패시터 콘택홀; 및상기 제 2캐패시터 전극과 중첩되어 상기 캐패시터 콘택홀 및 절연층 상에 형성되는 캐패시터 브리지 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 평면 어레이 안테나
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