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접촉 구조의 나노로드 반도체 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014029532
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 접촉 구조의 나노로드 반도체 소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 접촉 구조의 반도체 소자는 투명 기판; 상기 투명 기판 위에 형성된 투명 전극층; 상기 투명 전극층 위에 성장된 제1극성으로 도핑된 복수의 반도체 나노로드들을 포함하는 나노로드층; 및 제2극성으로 도핑되고, 상기 반도체 나노로드들의 말단에 일정한 물리적 접촉을 형성하는 단결정 반도체층을 포함한다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01) H01L 31/0224 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020090129029 (2009.12.22)
출원인 동국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0974626-0000 (2010.08.02)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20100809) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.12.22)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 중구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이상욱 대한민국 서울특별시 은평구
2 강태원 대한민국 서울특별시 성동구
3 겐나디 파닌 러시아 서울특별시 중구
4 조학동 대한민국 경기도 부천시 원미구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 중구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2009-0794091-14
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2010.01.11 수리 (Accepted) 1-1-2010-0016287-32
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2010.01.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2010.01.25 수리 (Accepted) 9-1-2010-0005793-29
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.03.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0119185-68
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.04.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0264445-55
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2010-0264447-46
8 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2010.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2010-0262810-71
9 등록결정서
Decision to grant		 2010.07.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0311983-35
10 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.10.05 수리 (Accepted) 1-1-2010-0641153-16
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.11.05 수리 (Accepted) 4-1-2010-5206478-99
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.06 수리 (Accepted) 4-1-2011-5243351-46
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-0002002-62
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.16 수리 (Accepted) 4-1-2019-5163486-33
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명 기판; 상기 투명 기판 위에 형성된 투명 전극층; 상기 투명 전극층 위에 성장된 제1극성으로 도핑된 복수의 반도체 나노로드들을 포함하는 나노로드층; 및 제2극성으로 도핑되고, 상기 반도체 나노로드들의 말단에 일정한 물리적 접촉을 형성하는 단결정 반도체층을 포함하는, 접촉 구조의 반도체 소자
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 반도체 나노로드들이 n형으로 도핑될 때, 상기 단결정 반도체층은 p형으로 도핑되는 것을 특징으로하는, 접촉 구조의 반도체 소자
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 반도체 나노로드들이 p형으로 도핑될 때, 상기 단결정 반도체층은 n형으로 도핑되는 것을 특징으로 하는, 접촉 구조의 반도체 소자
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 반도체 나노로드들은 상기 투명 기판에 대해 수직 배향되는 것을 특징으로 하는, 접촉 구조의 반도체 소자
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 반도체 나노로드들은 상기 투명 기판에 대해 수직이 아닌 각도로 성장된 것을 특징으로 하는, 접촉 구조의 반도체 소자
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 나노로드층은 단원자 단결정 반도체 또는 다원자 단결정 화합물 반도체 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 접촉 구조의 반도체 소자
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 반도체 나노로드들은 높이가 0
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 나노로드층은 에너지 금지대역을 이루는 원자가띠와 전도띠의 모서리(edge)가 이루는 폭(gap)이 0
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 단결정 반도체층은 단결정 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는, 접촉 구조의 반도체 소자
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 단결정 반도체층의 상면에 부착된 금속 방열층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 접촉 구조의 반도체 소자
11 11
투명 기판 위에 투명 전극층을 형성하는 단계; 상기 투명 전극층 위에 제1극성으로 도핑된 복수의 반도체 나노로드들을 성장하여 나노로드층을 형성하는 단계; 상기 나노로드층 위에 제2극성으로 도핑된 단결정 반도체층을 접촉하는 단계; 및 상기 단결정 반도체층의 상면에 소정의 압력을 가하여 상기 단결정 반도체층을 상기 나노로드층에 고정하는 단계를 포함하는, 접촉 구조의 반도체 소자 제조 방법
12 12
제 11 항에 있어서, 상기 투명 전극층의 상면에서 외부로 노출된 영역과 상기 단결정 반도체층의 상면에 각각 금속층을 형성하는 단계; 및 상기 금속층에 열처리하여 오믹접합을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 접촉 구조의 반도체 소자 제조 방법
13 13
제 11 항에 있어서, 상기 나노로드층은 단원자 단결정 반도체 또는 다원자 단결정 화합물 반도체 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 접촉 구조의 반도체 소자 제조 방법
14 14
제 11 항에 있어서, 상기 나노로드층을 형성하는 단계는 상기 투명 전극층 위에 상기 반도체 나노로드들을 직접 성장하는 단계인 것을 특징으로 하는, 접촉 구조의 반도체 소자 제조 방법
15 15
제 11 항에 있어서, 상기 나노로드층을 형성하는 단계는 카탈리스트 방법을 사용하여 상기 반도체 나노로드들을 성장하는 단계인 것을 특징으로 하는, 접촉 구조의 반도체 소자 제조 방법
16 16
제 11 항에 있어서, 상기 나노로드층을 형성하는 단계는 버퍼층을 형성한 후 상기 반도체 나노로드들을 성장하는 단계인 것을 특징으로 하는, 접촉 구조의 반도체 소자 제조 방법
17 17
제 11 항에 있어서, 상기 나노로드층을 형성하는 단계는 기상 수송 증착법(Vapor Phase Transport process), 유기금속 화학 기상 증착법(Metal-Organic source Chemical Vapor Deposition), 스퍼터법(Sputter), 전해 증착법 (Chemical Electrolysis Deposition) 중 어느 하나의 방법으로 상기 반도체 나노로드들을 성장하는 단계인 것을 특징으로 하는, 접촉 구조의 반도체 소자 제조 방법
18 18
제 11 항에 있어서, 상기 단결정 반도체층은 단결정 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는, 접촉 구조의 반도체 소자 제조 방법
19 19
제 11 항에 있어서, 상기 단결정 반도체층을 상기 나노로드층에 고정하는 단계는 상기 단결정 반도체층의 상면에 0
20 20
제 11 항에 있어서, 상기 단결정 반도체층을 상기 나노로드층에 고정하는 단계는 상기 단결정 반도체층의 상면에 압력을 가한 상태에서 상기 단결정 반도체층의 측면, 상기 투명 전극층 및 상기 투명 기판의 측면을 이어주는 에폭시를 부착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 접촉 구조의 반도체 소자 제조 방법
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3 WO2011078555 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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3 WO2011078555 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국연구재단 동국대학교 산학협력단 중견연구자지원사업/도약연구지원사업 강유전반도체와 강자성반도체를 이용한 Multinary-bit에 관한 연구