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반금속성 섬아연광 구조의 ＭｎＡｓ층을 포함하는 스핀소자 자성박막 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014029533
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 스핀소자 자성박막 및 그 제조방법이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 스핀소자 자성박막은 반도체 기판; 및 상기 반도체 기판상에 적층되는 복수개의 반금속성 섬아연광 구조의 MnAs층을 포함한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 스핀소자 자성박막은 구조적으로 섬아연광의 특성을 가지고, 자기적으로는 등방 자성을 나타낸다. 따라서, 우수한 효율로 스핀 주입이 가능하고, 스핀 플립 현상을 최소화할 수 있으며, 자기저항 비율을 감소시킬 수 있다. 스핀소자 자성박막, 반금속성 섬아연광 구조, MnAs
Int. CL G11C 11/15 (2006.01)
CPC G11C 11/161(2013.01) G11C 11/161(2013.01) G11C 11/161(2013.01) G11C 11/161(2013.01) G11C 11/161(2013.01)
출원번호/일자 1020090091812 (2009.09.28)
출원인 동국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1061047-0000 (2011.08.25)
공개번호/일자 10-2011-0034321 (2011.04.05) 문서열기
공고번호/일자 (20110901) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.09.28)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 중구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강태원 대한민국 서울특별시 성동구
2 전희창 대한민국 서울특별시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 중구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2009-0595160-09
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2009.10.01 수리 (Accepted) 1-1-2009-0606356-09
3 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2010.01.11 수리 (Accepted) 1-1-2010-0015904-37
4 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2010.01.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2010.01.25 수리 (Accepted) 9-1-2010-0005717-70
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0130317-13
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2010-0345130-12
8 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2010.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2010-0343865-04
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2010.07.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0297820-83
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2010.08.11 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2010-0516514-07
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.08.11 수리 (Accepted) 1-1-2010-0516513-51
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.09.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0397130-11
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.11.05 수리 (Accepted) 4-1-2010-5206478-99
14 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.11.05 수리 (Accepted) 1-1-2010-0722703-51
15 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2010-0804976-09
16 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.01.06 수리 (Accepted) 1-1-2011-0010500-79
17 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.02.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0085986-79
18 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period		 2011.02.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0012269-55
19 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.03.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0163305-15
20 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.03.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0163307-17
21 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2011.05.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0243885-75
22 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.12 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2011-0351248-10
23 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.05.12 수리 (Accepted) 1-1-2011-0351247-75
24 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2011.08.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0466870-10
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.06 수리 (Accepted) 4-1-2011-5243351-46
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-0002002-62
27 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.16 수리 (Accepted) 4-1-2019-5163486-33
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 반도체 기판, (b) 반도체 스페이서층, (c) 상기 반도체 기판 상에 적층되며 상기 반도체 스페이서층에 의해서 분리되는 복수개의 반금속성 섬아연광 구조의 MnAs층을 포함하는 스핀소자 자성박막으로서; 상기 스핀소자 자성박막은 상기 반도체 기판과 상기 MnAs층 사이에 순차적으로 적층되는 (d) GaAs 버퍼층 및 (e) InAs 버퍼층을 더 포함하며; (b) 상기 반도체 스페이서층 및 (c) 상기 MnAs층은 각각 5-50 nm의 두께 및 100-500 nm의 두께로 150-250 ℃의 온도에서 적층되며, (d) 상기 GaAs 버퍼층은 500 nm 내지 1 ㎛의 두께로 550-600 ℃의 온도에서 적층되며, (e) 상기 InAs 버퍼층은 1
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제1항에 있어서, 상기 스핀소자는 스핀밸브 (spin valve), 스핀전계발광트랜지스터 (spin field emission transistor), 스핀발광다이오드 (sipn light emission device) 또는 스핀공명터널링다이오드 (spin resonant tunneling diode)인 것을 특징으로 하는 스핀소자 자성박막
8 8
(A) 반도체 기판에 대해서 유지 제거, 세척, 에칭 및 재세척을 수행하는 단계; 및 (B) 상기 반도체 기판 상에 반금속성 섬아연광 구조의 MnAs층 및 반도체 스페이서층을 교대로 성장시키는 단계를 포함하는 스핀소자 자성박막의 제조방법으로서, (C) 상기 반도체 기판 상에 반금속성 섬아연광 구조의 MnAs층을 적층한 이후에는 GaAs 버퍼층 및 InAs 버퍼층을 순차적으로 적층하는 단계를 더 포함하고, 상기 반도체 스페이서층 및 상기 MnAs층은 각각 5-50 nm의 두께 및 100-500 nm의 두께로 150-250 ℃의 온도에서 적층하고, 상기 GaAs 버퍼층은 500 nm 내지 1 ㎛의 두께로 550-600 ℃의 온도에서 적층하며, 상기 InAs 버퍼층은 1
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제8항에 있어서, 상기 MnAs층, 상기 반도체 스페이서층, 상기 GaAs 버퍼층 및 상기 InAs 버퍼층은 분자선 성장법 (molecular beam epitaxy), 화학기상증착법 (chemical vapor deposition) 또는 기상성장법 (vapor phase epitaxy)에 의해서 적층되는 것을 특징으로 하는 스핀소자 자성박막의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.