| 요약 |
본 발명은, 10-10Torr 이하의 초고진공 상태를 유지하는 MBE 장치 내에서 양자점 구조를 갖는 강자성 반도체 제조방법으로서, 격자구조가 섬아연광 구조인 기판의 온도를 250~350℃의 범위 내의 특정 온도를 유지하면서 상기 기판에 In, As, Mn 결정이 들어 있는 셀을 가열하여 셀로부터 나오는 증기를 분자선의 형태로 조사하여 기판물질과 InMnAs물질과의 격자부정합으로 인한 S-K mode와 Mn의 계면활성 효과 및 핵 역할로 인해서 자발적인 InMnAs 양자점을 성장시키는 단계를 포함하여 구성된다. 상기 기판은 밀러 지수가 100인 GaAs 기판이고, 상기 기판의 온도는 300℃이고 Mn/In 평형 빔 자속비는 0.4인 것이 바람직하다. 본 발명에 따르면 저온에서만 강자성을 띠는 기존의 에피택시 층 구조를 갖는 강자성 반도체와는 달리 상온 이상의 큐리 온도를 갖는 강자성 반도체를 제공할 수 있어 상온소자로서 활용할 수 있을 뿐만 아니라, 양자 컴퓨터를 구현할 수 있는 기본소자로 이용할 수 있는 효과가 있다. 양자점, quantum dot, 강자성, 반도체, 상온, MBE, GaAs, InMnAs
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