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HVPE법에 의한 GaN 나노막대 형성방법

  • 기술번호 : KST2014029584
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 GaN 나노막대 형성방법은, GaClx 기체와 NH3 기체를 400 내지 600℃의 온도범위에서 반응시켜 기판 상에 GaN 나노막대를 형성하는 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 반응은 30분 내지 10 시간 동안 이루어진다. 상기 GaClx 기체는 Ga 금속과 HCl 기체를 600 내지 900℃에서 서로 반응시켜 형성시킬 수 있다. 본 발명은 기판의 종류나 촉매(catalyst)나 템플릿(templet) 층의 존재여부에 상관없다. 본 발명에 의하면, GaN을 400 내지 600℃의 저온에서 형성함으로써 GaN을 나노막대 형태로 성장시킬 수 있게 된다. 나노막대, 촉매, GaN, GaClx, NH3, HVPE
Int. CL H01L 21/20 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01)
CPC H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자 1020020080167 (2002.12.16)
출원인 김화목, 강태원
등록번호/일자 10-0525723-0000 (2005.10.26)
공개번호/일자 10-2004-0052312 (2004.06.23) 문서열기
공고번호/일자 (20051103) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.12.16)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 김화목 대한민국 서울특별시 서대문구
2 강태원 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김화목 대한민국 서울특별시 서대문구
2 강태원 대한민국 서울특별시강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허진석 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)(특허법인아주김장리)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 서울특별시 중구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2002.12.16 수리 (Accepted) 1-1-2002-0416458-48
2 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)
2002.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2002-5296962-05
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2004.08.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2004.09.17 수리 (Accepted) 9-1-2004-0056966-19
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2004.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0537688-18
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2005.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2005-0075691-29
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2005.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2005-0134232-15
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2005.04.12 수리 (Accepted) 1-1-2005-0188922-09
9 의견서
Written Opinion
2005.05.19 수리 (Accepted) 1-1-2005-0262569-09
10 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2005.05.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0262574-27
11 등록결정서
Decision to grant
2005.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0365558-81
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2008-5030362-15
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.10 수리 (Accepted) 4-1-2020-5154795-49
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
GaClx 기체와 NH3 기체를 400 내지 600℃의 온도범위에서 30분 내지 10 시간 동안 반응시켜 기판 상에 GaN 나노막대를 형성하는 것을 특징으로 하는 GaN 나노막대 형성방법
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삭제
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제1항에 있어서, 상기 GaClx 기체는 Ga 금속과 HCl 기체가 600 내지 900℃에서 서로 반응하여 형성되는 것을 특징으로 하는 GaN 나노막대 형성방법
4 3
제1항에 있어서, 상기 GaClx 기체는 Ga 금속과 HCl 기체가 600 내지 900℃에서 서로 반응하여 형성되는 것을 특징으로 하는 GaN 나노막대 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.