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ｐ－ＧａＮ 나노막대 형성방법

  • 기술번호 : KST2014029585
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 p-GaN 나노막대 형성방법은, GaClx 기체, NH3 기체, 및 억셉터 함유 기체를 400 내지 600℃의 온도범위에서 반응시켜 기판 상에 p-GaN 나노막대를 형성하는 것을 특징으로 한다. 여기서, 상기 반응은 30분 내지 10 시간 동안 이루어진다. 상기 억셉터 함유 기체로는 Cp2Mg 기체 또는 MgCl 기체 등을 사용할 수 있으며, 여기서, 상기 MgCl 기체는 Mg 금속과 HCl 기체를 600 내지 900℃에서 서로 반응시켜서 얻을 수 있다. 본 발명에 의하면, 각각의 나노막대들이 p형 특성을 갖게 되어 GaN 나노막대의 다각적 응용을 도모할 수 있게 된다. 나노막대, GaN, GaClx, NH3, HVPE, Mg, p-GaN
Int. CL H01L 21/20 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01)
CPC H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자 1020020080169 (2002.12.16)
출원인 김화목, 강태원
등록번호/일자 10-0525724-0000 (2005.10.26)
공개번호/일자 10-2004-0052314 (2004.06.23) 문서열기
공고번호/일자 (20051103) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.12.16)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 김화목 대한민국 서울특별시 서대문구
2 강태원 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김화목 대한민국 서울특별시 서대문구
2 강태원 대한민국 서울특별시강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허진석 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)(특허법인아주김장리)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 서울특별시 중구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.12.16 수리 (Accepted) 1-1-2002-0416460-30
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.08.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.09.17 수리 (Accepted) 9-1-2004-0056967-54
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0538025-36
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2005.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2005-0075700-53
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2005.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2005-0134235-41
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2005.04.12 수리 (Accepted) 1-1-2005-0188931-10
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.05.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0263260-75
9 의견서
Written Opinion		 2005.05.19 수리 (Accepted) 1-1-2005-0263248-26
10 등록결정서
Decision to grant		 2005.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0365559-26
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2008-5030362-15
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.10 수리 (Accepted) 4-1-2020-5154795-49
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번호 청구항
1 1
GaClx 기체, NH3 기체, 및 억셉터 함유 기체를 400 내지 600℃의 온도범위에서 30분 내지 10 시간 동안 반응시켜 기판 상에 p형 GaN 나노막대를 형성하는 것을 특징으로 하는 p-GaN 나노막대 형성방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 억셉터가 Mg인 것을 특징으로 하는 p-GaN 나노막대 형성방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 억셉터 함유 기체가 cp2Mg 기체 또는 MgCl 기체인 것을 특징으로 하는 p-GaN 나노막대 형성방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 MgCl 기체는 Mg 금속과 HCl 기체가 600 내지 900℃에서 서로 반응하여 형성되는 것을 특징으로 하는 p-GaN 나노막대 형성방법
6 5
제4항에 있어서, 상기 MgCl 기체는 Mg 금속과 HCl 기체가 600 내지 900℃에서 서로 반응하여 형성되는 것을 특징으로 하는 p-GaN 나노막대 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.