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각각의 GaN 나노막대마다 pn 접합이 형성되도록 하는 pn접합 GaN 나노막대 형성방법에 있어서, 상기 n형은 GaClx 기체와 NH3 기체를 기판이 장입된 반응기 안으로 공급하여 이들 기체를 400 내지 600℃ 의 온도범위에서 반응시켜 성장시키고, 상기 p형은 GaClx 기체, NH3 기체, 및 억셉터 함유 기체를 상기 반응기 안으로 공급하여 이들 기체를 400 내지 600℃의 온도범위에서 반응시켜 성장시키되, 상기 pn접합 GaN 나노막대의 전체적인 성장시간은 30분 내지 10시간인 것을 특징으로 하는 pn접합 GaN 나노막대 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 n형의 성장시에 Si 함유기체를 상기 반응기에 더 공급하는 것을 특징으로 하는 pn접합 GaN 나노막대 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 억셉터 함유 기체가 Cp2Mg 기체 또는 MgCl 기체인 것을 특징으로 하는 pn접합 GaN 나노막대 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 p형은, 상기 n형을 먼저 성장시키다가 상기 n형의 성장시에 공급되는 GaClx 기체와 NH3 기체를 그대로 계속 공급함과 동시에 상기 억셉터 함유 기체를 더 공급하여 성장시키는 것을 특징으로 하는 pn접합 GaN 나노막대 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 n형은, 상기 p형을 먼저 성장시키다가 상기 p형의 성장시에 공급되는 기체 중 상기 억셉터 함유 기체만을 차단하고 상기 GaClx 기체와 NH3 기체는 그대로 계속 공급하여 성장시키는 것을 특징으로 하는 pn접합 GaN 나노막대 형성방법
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제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 p형과 n형은 동일한 온도에서 성장되는 것을 특징으로 하는 pn접합 GaN 나노막대 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 n형과 p형은 각각 30분 내지 5시간 동안 성장되는 것을 특징으로 pn접합 GaN 나노막대 형성방법
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제1항에 있어서, 상기 n형과 p형은 각각 30분 내지 5시간 동안 성장되는 것을 특징으로 pn접합 GaN 나노막대 형성방법
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