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저결함 ＧａＮ막 형성방법

  • 기술번호 : KST2014029587
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 GaN막 형성방법은, 기판이 장입된 반응기 내로 In기체를 흘려보내 상기 기판 표면을 In 기체로 처리하는 단계(S12); 상기 반응기 내에 NH3 기체와 GaCl 기체를 교번하여 흘려보내 상기 기판 표면을 NH3 기체와 GaCl 기체로 번갈아 가면서 처리하는 단계(S18); 및 상기 반응기 내에 NH3 기체와 GaCl 기체를 동시에 흘려보내 상기 기판 상에 GaN막을 에피텍셜 성장시키는 단계(S20); 를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, GaN막 성장(S20) 전에 기판표면 처리단계(S10)를 더 거침으로서 사파이어 등의 기판 상에 GaN막을 에피텍셜 성장시킬 수 있을 뿐만 아니라 GaN막의 전위밀도를 감소시킬 수 있다. 특히, 기판표면 처리단계(S10)는 처음에는 In 기체를 이용하고, 그 이후로는 GaN막을 에피텍셜 성장시키는데 사용되는 NH3와 GaCl 기체를 번갈아 가면서 이용하기 때문에 GaN막의 성장과 기판표면처리를 하나의 반응기 안에서 연속적으로 수행할 수 있어서 간단하게 GaN막의 전위밀도를 감소시킬 수 있다는 잇점이 있다. GaN, 전위밀도, 사파이어, 저결함, 격자부정합
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/02389(2013.01) H01L 21/02389(2013.01) H01L 21/02389(2013.01)
출원번호/일자 1020020081660 (2002.12.20)
출원인 김화목, 강태원
등록번호/일자 10-0525725-0000 (2005.10.26)
공개번호/일자 10-2004-0055071 (2004.06.26) 문서열기
공고번호/일자 (20051103) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.12.20)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 김화목 대한민국 서울특별시 서대문구
2 강태원 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김화목 대한민국 서울특별시 서대문구
2 강태원 대한민국 서울특별시강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허진석 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)(특허법인아주김장리)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 서울특별시 중구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2002-0421910-03
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.08.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.09.17 수리 (Accepted) 9-1-2004-0057054-63
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.01.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0026856-75
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2005.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2005-0134238-88
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2005.04.12 수리 (Accepted) 1-1-2005-0188927-26
7 의견서
Written Opinion		 2005.05.19 수리 (Accepted) 1-1-2005-0263281-23
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.05.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0263300-14
9 등록결정서
Decision to grant		 2005.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0365561-18
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2008-5030362-15
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.10 수리 (Accepted) 4-1-2020-5154795-49
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번호 청구항
1 1
기판이 장입된 반응기 내로 In기체를 흘려보내 상기 기판 표면을 In 기체로 처리하는 제1단계; 상기 반응기 내에 NH3 기체와 GaCl 기체를 교번하여 흘려보내 상기 기판 표면을 NH3 기체와 GaCl 기체로 번갈아 가면서 처리하는 제2단계; 및 상기 반응기 내에 NH3 기체와 GaCl 기체를 동시에 흘려보내 상기 기판 상에 GaN막을 에피텍셜 성장시키는 제3단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 GaN막 형성방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1단계가 900 내지 1100℃에서 행해지는 것을 특징으로 하는 GaN막 형성방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 제2단계가 1000 내지 1200℃에서 행해지는 것을 특징으로 하는 GaN막 형성방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 제1단계에서는 상기 In기체를 상기 제3단계에서 GaN막의 성장을 위해 공급되는 전체 기체량의 0
5 4
제1항에 있어서, 상기 제1단계에서는 상기 In기체를 상기 제3단계에서 GaN막의 성장을 위해 공급되는 전체 기체량의 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.