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ｐｎ 접합 ＧａＮ 나노막대 ＬＥＤ 제조방법

  • 기술번호 : KST2014029589
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 pn접합 GaN 나노막대 LED 제조방법은, n형(220a)은 GaClx 기체와 NH3 기체를 성장용 기판(10)이 장입된 반응기 안으로 공급하여 이들 기체를 400 내지 600℃의 온도범위에서 반응시켜 성장시키고, p형(220b)은 GaClx 기체, NH3 기체, 및 억셉터 함유 기체를 상기 반응기 안으로 공급하여 이들 기체를 400 내지 600℃의 온도범위에서 반응시켜 성장시킴으로써 성장용 기판(10) 상에 pn 접합 나노막대를 형성하는 단계; 성장용 기판(10) 상에 형성된 pn 접합 GaN 나노막대를 잘라내는 단계; 및 상기 잘라내어진 pn 접합 GaN 나노막대에 상기 p형 및 n형 영역에 각각 오믹접촉되는 금속전극(30a, 30b)을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 나노막대, GaN, GaClx, NH3, HVPE, Mg, pn접합, LED, 오믹접촉,
Int. CL H01L 33/00 (2014.01)
CPC H01L 33/0075(2013.01) H01L 33/0075(2013.01)
출원번호/일자 1020020082624 (2002.12.23)
출원인 김화목, 강태원
등록번호/일자 10-0693129-0000 (2007.03.05)
공개번호/일자 10-2004-0056441 (2004.07.01) 문서열기
공고번호/일자 (20070313) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.12.23)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 김화목 대한민국 서울특별시 서대문구
2 강태원 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김화목 대한민국 서울특별시 서대문구
2 강태원 대한민국 서울특별시강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 허진석 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)(특허법인아주김장리)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 서울특별시 중구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2002-0425319-11
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.06.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.07.14 수리 (Accepted) 9-1-2004-0043777-82
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.01.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0028181-12
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2005.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2005-0134242-61
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2005.04.12 수리 (Accepted) 1-1-2005-0188926-81
7 의견서
Written Opinion		 2005.05.19 수리 (Accepted) 1-1-2005-0263269-85
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.05.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0263274-14
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2005.08.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0394077-01
10 등록결정서
Decision to grant		 2006.12.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0721691-31
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2008-5030362-15
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.10 수리 (Accepted) 4-1-2020-5154795-49
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
n형은 GaClx 기체와 NH3 기체를 성장용 기판이 장입된 반응기 안으로 공급하여 이들 기체를 400 내지 600℃의 온도범위에서 반응시켜 성장시키고, p형은 GaClx 기체, NH3 기체, 및 억셉터 함유 기체를 상기 반응기 안으로 공급하여 이들 기체를 400 내지 600℃의 온도범위에서 반응시켜 성장시킴으로써 상기 성장용 기판 상에 pn 접합 나노막대를 30분 내지 10시간 동안 형성하는 단계;상기 성장용 기판 상에 형성된 pn 접합 GaN 나노막대를 잘라내는 단계; 및상기 잘라내어진 pn 접합 GaN 나노막대에 상기 p형 및 n형 영역에 각각 오믹접촉되는 금속전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 pn접합 GaN 나노막대 LED 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 금속전극을 형성하는 단계는, 상기 잘라내어진 pn접합 GaN 나노막대를 LED용 기판 상에 눕혀놓는 단계; 및 상기 pn접합 GaN 나노막대의 양쪽 끝 부분을 각각 덮도록 상기 LED용 기판 상에 상기 금속전극을 증착하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 pn접합 GaN 나노막대 LED 제조방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 pn접합 GaN 나노막대가 눕혀 놓여지는 상기 LED용 기판의 표면이 절연체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 pn접합 GaN 나노막대 LED 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 억셉터 함유 기체가 Cp2Mg 기체 또는 MgCl 기체인 것을 특징으로 하는 pn접합 GaN 나노막대 LED 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 p형에 오믹 접촉되는 금속전극이 Ni/Au 전극인 것을 특징으로 하는 pn 접합 GaN 나노막대 LED 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 n형에 오믹 접촉되는 금속전극이 Ti/Al 전극인 것을 특징으로 하는 pn 접합 GaN 나노막대 LED 제조방법
7 6
제1항에 있어서, 상기 n형에 오믹 접촉되는 금속전극이 Ti/Al 전극인 것을 특징으로 하는 pn 접합 GaN 나노막대 LED 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.