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GaClx 기체와 NH3 기체를 400 내지 600 ℃의 온도범위에서 반응시켜 주기판 상에 GaN 나노막대를 성장시키는 단계; 상기 GaN 나노막대가 성장된 주기판 상에 GaN 후막을 성장시키는 단계; 및 상기 GaN 후막을 상기 주기판으로부터 분리시켜서 상기 GaN 후막으로 된 기판을 얻는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 GaN 기판 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 GaN 나노막대의 성장시간이 30분 내지 10 시간인 것을 특징으로 하는 GaN 기판 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 GaN 후막은 GaClx 기체와 NH3 기체를 1000 내지 1150 ℃의 온도범위에서 반응시켜서 성장시키는 것을 특징으로 하는 GaN 기판 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 GaN 나노막대와 상기 GaN 후막은 동일한 반응기에서 성장되는 것을 특징으로 하는 GaN 기판 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 GaN 후막으로 된 기판은, 상기 주기판을 상온까지 냉각시키는 과정에서 상기 GaN 후막이 상기 주기판으로부터 저절로 분리되어 얻어 지는 것을 특징으로 하는 GaN 기판 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 GaN 후막의 두께가 200 μm 이상인 것을 특징으로 하는 GaN 기판 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 GaN 후막의 두께가 200 μm 이상인 것을 특징으로 하는 GaN 기판 제조방법
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