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강유전 반도체의 전류-전압 히스테리시스를 이용한 메모리디바이스

  • 기술번호 : KST2014029593
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 셀 선택용 트랜지스터의 소스는 물론 플레이트선에 CdZnTe, CdZnS, CdZnSe, CdMnS, CdFeS, CdMnSe, CdFeSe와 같은 2-6족 화합물의 강유전 반도체 저항을 접속시켜 셀의 강유전 반도체에서 전류값을 읽는 센싱이 원활하고 장기간 안정되게 이루어지도록 한 강유전 반도체의 전류-전압 히스테리시스를 이용한 메모리 디바이스에 관한 것이다. 이같은 본 발명은, 행렬 형상으로 복수 배치되는 1T1C 메모리 디바이스에 있어서, 셀의 셀 선택용 트랜지스터(TR)의 게이트는 워드선(WL)에 접속하고, 드레인은 저항(RB)을 거쳐 비트선(BL)에 접속하며, 소스는 강유전 반도체 저항(RP)을 거쳐 플레이트선(PL)에 접속되도록 구성됨을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 27/105 (2006.01)
CPC H01L 27/11502(2013.01) H01L 27/11502(2013.01) H01L 27/11502(2013.01)
출원번호/일자 1020030073555 (2003.10.21)
출원인 푸데정, 강태원, 이재춘, 최성우
등록번호/일자 10-0665528-0000 (2006.12.29)
공개번호/일자 10-2005-0038296 (2005.04.27) 문서열기
공고번호/일자 (20070109) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.10.21)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 푸데정 중국 중국 후베이성 이창시 지링구 윤지로드 **-**-
2 이재춘 대한민국 서울특별시 서초구
3 강태원 대한민국 서울특별시 성동구
4 최성우 대한민국 전라북도 남원시 아영면 구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 푸데정 중국 서울특별시 중구
2 이재춘 대한민국 서울특별시 서초구
3 최성우 대한민국 전라북도 남원시 아영면 구
4 강태원 대한민국 서울 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 안종철 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, 우영빌딩***호 유리안 국제특허법률사무소 (역삼동)
2 류명현 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 **길 ** 우영빌딩 ***호 유리안국제특허법률사무소(유리안국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 서울특별시 중구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2003-0392506-24
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2005.05.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2005.06.16 수리 (Accepted) 9-1-2005-0036050-89
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2005.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0367632-19
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2005.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0527057-74
6 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2005.11.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2005-0028431-70
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.01.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0020469-14
8 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.03.13 수리 (Accepted) 1-1-2006-0174336-15
9 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.04.13 수리 (Accepted) 1-1-2006-0257601-90
10 의견서
Written Opinion
2006.05.04 수리 (Accepted) 1-1-2006-0318053-33
11 등록결정서
Decision to grant
2006.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0642484-11
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2008-5030362-15
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.02 수리 (Accepted) 4-1-2008-5051192-97
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.03 수리 (Accepted) 4-1-2008-5051729-15
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.06.23 수리 (Accepted) 4-1-2008-5100843-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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게이트는 워드선에 접속되고 드레인은 저항을 거쳐 비트선에 접속되는 셀의 셀 선택용 트랜지스터에 있어서,상기 셀 선택용 트랜지스터의 소스는 강유전 반도체 저항의 접속을 거쳐 플레이트선에 접속되도록 구성하며, 상기 강유전 반도체 저항은, 기판 상에 2-6족 화합물 CdZnTe, CdZnS, CdZnSe, CdMnS, CdFeS, CdMnSe, CdFeSe 중 어느 하나로 이루어진 강유전 반도체를 성장시키도록 함을 특징으로 하는 강유전 반도체의 전류-전압 히스테리시스를 이용한 메모리 디바이스
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.