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유기금속 수소화물 기상 에피택셜(MO-HVPE:Metal Organic Hydride VPE) 성장법에 의해 인-시튜(in-situ)로 발광 다이오를 제조하는 방법으로서,400~600℃의 온도에서 Ga 및 N의 전구체를 각각 30~70sccm 및 1000~2000sccm의 유량으로 공급하고 동시에 SiH4를 5~20scm의 유량으로 공급하여 기판에 수직한 방향으로 다수의 제1도전형의 GaN 나노막대들을 어레이 상으로 형성하는 단계;400~500℃의 온도에서 Ga, In 및 N의 전구체를 각각 30~70sccm, 10~40sccm 및 1000~2000sccm의 유량으로 공급하여 상기 다수의 제1도전형의 GaN 나노막대들 위에 각각 InGaN 양자 웰을 형성하는 단계;400~600℃의 온도에서 Ga 및 N의 전구체를 각각 30~70sccm 및 1000~2000sccm의 유량으로 공급하고 동시에 Cp2Mg를 5~20scm의 유량으로 공급하여 상기 InGaN 양자 웰 위에 제2도전형의 GaN 나노막대를 각각 형성하는 단계;상기 제1도전형의 GaN 나노막대들에 전압을 인가하기 위한 전극 패드를 형성하는 단계; 및상기 제2도전형의 GaN 나노막대들 위에 공통적으로 연결되어 전압을 인가하기 위한 투명전극을 형성하는 단계를 포함하는 발광 다이오드의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 제2도전형의 GaN 나노막대를 형성하는 단계에 이어, 제1도전형의 GaN 나노막대, InGaN 양자 웰 및 제2도전형의 GaN 나노막대로 이루어지는 나노막대들 사이에 투명 절연물을 채우는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 투명 절연물은 SOG(Spin-On-Glass), SiO2 또는 에폭시 수지인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 투명 절연물에는 상기 발광 다이오드의 방출광이 전체로서 백색광이 되도록 형광물질이 첨가되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 양자 웰을 형성하는 단계는, InGaN층을 형성하는 단계와, GaN 배리어(barrier)층을 형성하는 단계를 교대로 반복함으로써 다층 양자 웰을 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 기판은 사파이어 기판이고, 상기 제1도전형의 GaN 나노막대들을 형성하는 단계 이전에, 상기 사파이어 기판 위에 제1도전형의 GaN 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 전극 패드는 상기 GaN 버퍼층 위의 일부 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 기판이고, 상기 전극 패드는 상기 실리콘 기판의 상기 나노막대들이 형성되는 면과 대향하는 면에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법
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