| 1 |
1
Mg, Eu, Y, W 및 V로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상의 이온으로 도핑된 산화아연(ZnO) 나로로드, ZnO 나노파우더 또는 ZnO 나노파티클을 포함하는 나노소재로부터 선택된 적어도 하나 이상의 나노소재와, 상기 나노소재와 서로 다른 파장영역에서 발광하는 적어도 하나 이상의 폴리머 혹은 저분자 발광물질을 결합하여 자외 및 가시영역에서 두 색 이상의 발광이 가능해지는 것을 특징으로 하는 전계발광 소자
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 폴리머는 형광 또는 인광을 이용하여 자외 또는 가시광 발광이 가능한 물질인 것을 특징으로 하는 전계발광 소자
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서,상기 저분자 발광물질은 형광 또는 인광을 이용하여 자외 또는 가시광 발광이 가능한 물질인 것을 특징으로 하는 전계발광 소자
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 폴리머는 폴리 4,4'-디페닐린 디페닐비닐린(PDPV) 및 폴리 p-페닐린(PPP)로 이루어진 그룹에서 선택된 폴리머인 것을 특징으로 하는 전계발광 소자
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
삭제
|
| 7 |
7
Mg, Eu, Y, W 및 V로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상의 이온으로 도핑된 산화아연(ZnO) 나로로드, ZnO 나노파우더 또는 ZnO 나노파티클을 포함하는 나노소재를 제조하는 단계;상기 나노소재와 서로 다른 파장영역에서 발광하는 폴리머 또는 저분자 발광물질을 용해하는 단계;상기 나노소재를 이용하여 나노소재 부유물을 형성하는 단계;상기 폴리머 용액 또는 저분자 발광물질 용액과 상기 나노소재 부유물을 결합시킨 후 용해하는 단계; 기판 상에 상기 나노소재 부유물과 상기 폴리머 또는 저분자 발광물질의 결합물을 도포하는 단계; 및기판상에 상기 나노소재와 상기 폴리머 또는 저분자 발광물질이 결합된 고용체를 정착시키는 단계;를 포함하여 이루어지는 전계발광 소자 제조 방법
|
| 8 |
8
제 7 항에 있어서,상기 폴리머는 4,4'-디페닐린 디페닐비닐린(PDPV) 및 폴리 p-페닐린(PPP)로 이루어진 그룹에서 선택된 폴리머인 것을 특징으로 하는 전계발광 소자 제조 방법
|
| 9 |
9
제 7 항에 있어서,상기 폴리머는 축합 중합 반응으로 제조하는 것을 특징으로 하는 전계발광 소자 제조 방법
|
| 10 |
10
삭제
|
| 11 |
11
제 7 항에 있어서, 상기 나노소재 제조 단계는 질산 용액에 ZnCO3와 (MgCO3)4Mg(OH)25H2O 혼합물을 용해시키는 단계;용해된 혼합물을 침전시키는 단계; 침전물을 건조시킨 후, 분해하는 단계; 및산화시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계발광 소자 제조 방법
|
| 12 |
12
제 11 항에 있어서,상기 ZnCO3와 (MgCO3)4Mg(OH)25H2O 혼합물은 Zn 및 Mg의 몰 비가 1~50:1~50의 범위가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 전계발광 소자 제조 방법
|
| 13 |
13
제 11 항에 있어서,상기 침전 단계는 ZnCO3와 (MgCO3)4Mg(OH)25H2O 혼합물에 2M(NH4)2CO3 용액을 첨가하는 단계인 것을 특징으로 하는 전계발광 소자 제조 방법
|
| 14 |
14
제 11 항에 있어서,상기 건조 및 분해는 진공 중에서 200 내지 500℃의 온도로 열처리하는 단계인 것을 특징으로 하는 전계발광 소자 제조 방법
|
| 15 |
15
제 11 항에 있어서, 상기 산화 단계는 공기 중 또는 산소(O2) 분위기에서 300 내지 800℃의 온도로 열처리하는 단계인 것을 특징으로 하는 전계발광 소자 제조 방법
|
| 16 |
16
제 7 항에 있어서,상기 나노소재 부유물을 형성하는 단계는, 상기 나노소재를 클로로폼에 용해시키고 초음파 처리하는 단계인 것을 특징으로 하는 전계발광 소자 제조 방법
|
| 17 |
17
제 16 항에 있어서,상기 초음파 처리는 10 내지 60분 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 전계발광 소자 제조 방법
|
| 18 |
18
제 7 항에 있어서,상기 폴리머 용액과 상기 나노소재 부유물을 결합하고 용해하는 단계는 상기 폴리머 용액과 나노소재 부유물의 결합물을 초음파 처리하는 단계인 것을 특징으로 하는 전계발광 소자 제조 방법
|
| 19 |
19
제 18 항에 있어서,상기 초음파 처리는 10 내지 60분 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 전계발광 소자 제조 방법
|
| 20 |
20
제 7 항에 있어서,상기 기판 상에 상기 나노소재 부유물과 상기 폴리머 혹은 저분자 발광물질의 결합물을 도포하는 단계는 상기 나노소재 부유물과 결합된 폴리머 혹은 저분자 발광물질의 결합물을 스핀코팅하는 단계인 것을 특징으로 하는 전계발광 소자 제조 방법
|
| 21 |
21
제 20 항에 있어서,상기 스핀 코팅은 500 내지 2000RPM으로 30초 내지 30분 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 전계발광 소자 제조 방법
|
| 22 |
22
제 7 항에 있어서,상기 기판은 실리콘(Si), 갈륨비소(GaAs), 사파이어(Al2O3), 유리(Glass)로 이루어진 그룹에서 선택된 기판인 것을 특징으로 하는 전계발광 소자 제조 방법
|
| 23 |
23
전계발광 소자의 발광 방법에 있어서,Mg, Eu, Y, W 및 V로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나 이상의 이온으로 도핑된 산화아연(ZnO) 나로로드, ZnO 나노파우더 또는 ZnO 나노파티클을 포함하는 나노소재와 상기 나노소재와 서로 다른 파장영역에서 발광하는 폴리머 혹은 저분자 발광물질이 결합된 전계발광 소자를 제조하는 단계;상기 전계 발광 소자에 제 1 전압을 인가하는 단계;상기 전계 발광 소자에 인가된 제 1 전압을 제거하고 제 2 전압을 인가하는 단계; 및상기 전계 발광 소자에 인가된 제 2 전압을 제거하고 상기 제 1 전압을 인가하는 단계로 복귀하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 컬러 스위칭의 잔상효과를 이용한 다중 색채 및 백색 발광 방법
|
| 24 |
24
제 23 항에 있어서, 상기 나노소재와 폴리머 혹은 저분자 발광물질이 결합된 전계발광 소자는, 나노소재를 제조하는 단계;폴리머 혹은 저분자 발광물질을 용해하는 단계;상기 나노소재를 이용하여 나노소재 부유물을 형성하는 단계;상기 폴리머 혹은 저분자 발광물질 용액과 상기 나노소재 부유물을 결합시킨 후 용해하는 단계;기판 상에 상기 나노소재 부유물과 폴리머 혹은 저분자 발광물질의 결합물을 도포하는 단계; 및상기 기판 상에 나노소재에 폴리머 혹은 저분자 발광물질이 결합된 고용체를 정착시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 컬러 스위칭의 잔상효과를 이용한 다중 색체 및 백색 발광 방법
|
