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챔버내에 기체화된 반도체재료를 주입하여 기판(21)상에 나노막대들(42)을 형성하기 위하여 반응원료 기체를 포함한 반응가스들이 반응을 일으키도록 하기 위한 열원을 공급하는 혼합가스반응 열원부(11) 및 상기 기판(21)상에 상기 반응가스들을 통해 나노막대들을 성장시키기 위하여 베이스로서 나노입자를 성장시키는 위한 열원을 공급하는 나노물질형성 열원부(12)를 포함하여 이루어지며, 상기 챔버는 상기 각각의 열원부(10,11,12)의해 영향을 받는 반응원료기체화 영역(C1), 혼합가스반응 영역(C2) 및 나노물질형성 영역(C3)으로 구분된 것을 특징으로 하는 나노막대제조용 화학증착장치(200)를 이용한 나노막대 형성방법에 있어서,상기 나노물질형성 열원부(12)에 의해 공급된 열원의 온도에 의해 상기 기판(21)위로 반응가스가 통과되면서 나노입자(41)가 형성되며 이후 종자층(42)이 형성되고, 상기 종자층(42)을 토대로 수직상방으로 나노막대(43)들이 자발적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노막대제조용 화학증착장치(200)를 이용한 나노막대 형성방법
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제 1 항에 있어서, 상기 나노물질형성 열원부(12)에 의해 공급된 열원의 온도는 상기 혼합가스반응 열원부(11)에 의해 공급된 열원의 온도보다 낮은 온도로 유지되는 것을 특징으로 하는 나노막대제조용 화학증착장치(200)를 이용한 나노막대 형성방법
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제 1 항에 있어서, 상기 기판(21)상에 나노입자가 형성되는 과정은 상압(대기압)에서 상기 나노물질형성 열원부(12)에 의해 열원이 공급되어 상기 반응가스들의 분압이 포화상태가 됨으로써 성장과정중 소결과정(sintering process)이 진행되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노막대제조용 화학증착장치(200)를 이용한 나노막대 형성방법
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제 1 항에 있어서, 상기 기판(21)상에 나노입자가 형성되는 과정은 상압-100torr의 압력범위내에서 상기 나노물질형성 열원부(12)에 의해 공급된 열원에 의해 상기 반응가스들의 분압이 포화상태가 되도록 열처리과정(annealing process)이 진행되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노막대제조용 화학증착장치(200)를 이용한 나노막대 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 나노물질형성 열원부(12)는 저항가열 히터를 사용하는 것을 특징으로 하는 나노막대제조용 화학증착장치(200)를 이용한 나노막대 형성방법
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제 1 항에 있어서,상기 나노물질형성 열원부(12)는 RF 히팅 코일 히터를 사용하는 것을 특징으로 하는 나노막대제조용 화학증착장치(200)를 이용한 나노막대 형성방법
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제 1 항에 있어서, 상기 혼합가스반응 열원부(11)의 온도범위는 900 ∼ 1050℃이고, 상기 나노물질형성 열원부(12)의 온도범위는 600∼750℃인 것을 특징으로 하는 나노막대제조용 화학증착장치(200)를 이용한 나노막대 형성방법
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제 1 항 또는 제 3항에 있어서, 상기 나노막대(43)가 생성되는 성장시간이 30분에서 6시간인 것을 특징으로 하는 나노막대제조용 화학증착장치(200)를 이용한 나노막대 형성방법
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제 1 항에 있어서, 상기 기판(21)은 Al2O3, Si, SiC, GaN, ZnO중 하나가 사용된 것을 특징으로 하는 나노막대제조용 화학증착장치(200)를 이용한 나노막대 형성방법
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제 1 항에 있어서, 상기 기판(21)상에 형성된 나노막대(43)는 GaN, Si, SiC, ZnO, SiGe, GaAs, InP, InGaN, AlGaN, AlN 중 하나인 것을 특징으로 하는 나노막대제조용 화학증착장치(200)를 이용한 나노막대 형성방법
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챔버내에 기체화된 반도체재료를 주입하여 기판(21)상에 나노막대들(42)을 형성하기 위하여 반응원료 기체를 포함한 반응가스들이 반응을 일으키도록 하기 위한 열원을 공급하는 혼합가스반응 열원부(11) 및 상기 기판(21)상에 상기 반응가스들을 통해 나노막대들을 성장시키기 위하여 베이스로서 나노입자를 성장시키는 위한 열원을 공급하는 나노물질형성 열원부(12)를 포함하여 이루어지며, 상기 챔버는 상기 각각의 열원부(10,11,12)의해 영향을 받는 반응원료기체화 영역(C1), 혼합가스반응 영역(C2) 및 나노물질형성 영역(C3)으로 구분된 나노막대제조용 화학증착장치(200)를 이용하여 제조되고,상기 나노물질형성 열원부(12)에서 공급된 열원의 온도에 의해 상기 기판(21)위로 반응가스가 통과되면서 나노입자(41)가 형성되고, 상기 나노입자(41) 상에 종자층(42)이 형성되고, 상기 종자층(42)을 토대로 수직상방으로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노막대(43)
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나노물질을 형성하기 위한 열원을 공급하는 별도의 나노물질형성 열원부(12)를 구비한 나노막대제조용 화학증착장치(200)에 있어서, GaClx기체와 NH3기체를 상기 별도의 나노물질형성 열원부(12)로부터 열원이 공급되는 나노물질형성 영역(C3)에서 600∼750℃의 온도범위로 30분에서 6시간 동안 반응시켜 기판(21)상에 나노막대(43)를 형성하는 것을 특징으로 하는 나노막대제조용 화학증착장치(200)를 이용한 나노막대 형성방법
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제 12 항에 있어서, 상기 나노물질형성 열원부(12)에 의해 공급된 열원의 온도는 반응가스가 공급되는 인접한 열원부에 의해 공급된 열원의 온도보다 낮은 온도로 유지되는 것을 특징으로 하는 나노막대제조용 화학증착장치(200)를 이용한 나노막대 형성방법
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제 12 항에 있어서, 상기 기판(21)상에 나노입자가 형성되는 과정은 상압(대기압)에서 상기 나노물질형성 열원부(12)에 의해 열원이 공급되어 상기 반응가스들의 분압이 포화상태가 됨으로써 성장과정중 소결과정(sintering process)이 진행되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노막대제조용 화학증착장치(200)를 이용한 나노막대 형성방법
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제 12 항에 있어서, 상기 기판(21)상에 나노입자가 형성되는 과정은 상압-100torr의 압력범위내에서 상기 나노물질형성 열원부(12)에 의해 공급된 열원에 의해 상기 반응가스들의 분압이 포화상태가 되도록 열처리과정(annealing process)이 진행되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노막대제조용 화학증착장치(200)를 이용한 나노막대 형성방법
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제 12 항에 있어서,상기 나노물질형성 열원부(12)는 저항가열 히터를 사용하는 것을 특징으로 하는 나노막대제조용 화학증착장치(200)를 이용한 나노막대 형성방법
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제 12 항에 있어서,상기 나노물질형성 열원부(12)는 RF 히팅 코일 히터를 사용하는 것을 특징으로 하는 나노막대제조용 화학증착장치(200)를 이용한 나노막대 형성방법
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제 12 항에 있어서, 상기 기판(21)은 Al2O3, Si, SiC, GaN, ZnO중 하나가 사용된 것을 특징으로 하는 나노막대제조용 화학증착장치(200)를 이용한 나노막대 형성방법
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제 12 항에 있어서, 상기 기판(21)상에 형성된 나노막대(43)는 GaN, Si, SiC, ZnO, SiGe, GaAs, InP, InGaN, AlGaN, AlN 중 하나인 것을 특징으로 하는 나노막대제조용 화학증착장치(200)를 이용한 나노막대 형성방법
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제 12 항에 있어서, 상기 나노막대(43)는 나노입자(41) 형성단계;종자층(42) 형성단계;를 거쳐 상기 종자층(42)을 베이스로 하여 수직상방으로 순차적으로 형성되는 것을 특징으로 하는 나노막대제조용 화학증착장치(200)를 이용한 나노막대 형성방법
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제 1 항 또는 제 12항에 있어서, 상기 반응원료는 Ga금속 혹은 Ga기체인 것을 특징으로 하는 나노막대제조용 화학증착장치(200)를 이용한 나노막대 형성방법
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제 1항 또는 제 12항에 있어서, 상기 반응원료는 TMGa(Trimethyl Gallium)금속 혹은 TMGa(Trimethyl Gallium) 기체인 것을 특징으로 하는 나노막대제조용 화학증착장치(200)를 이용한 나노막대 형성방법
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