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나노막대제조용 화학증착장치

  • 기술번호 : KST2014029598
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노막대제조용 화학증착장치(200)에 관한 것으로, 챔버내에 기체화된 반도체재료를 주입하여 기판(21) 상에 나노막대들(42)을 형성하는 나노막대제조용 화학증착장치(200)에 있어서, 상기 장치(200)는 반응원료 기체를 포함한 반응가스들이 반응을 일으키도록 하기 위하여 열원을 공급하는 혼합가스반응 열원부(11) 및 상기 기판(21)상에 상기 반응가스들을 통해 나노막대들을 성장시키기 위하여 베이스로서 나노입자를 성장시키는 위한 열원을 공급하는 나노물질형성 열원부(12)를 포함하여 이루어지며, 상기 챔버는 상기 각각의 열원부(11,12)에 의해 영향을 받는 혼합가스반응 영역(C2) 및 나노물질형성 영역(C3)으로 구분된 것을 특징으로 한다.나노막대, 화학증착장치, 챔버, VPE
Int. CL C23C 16/02 (2006.01.01) H01L 21/205 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) B82B 3/00 (2017.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC C23C 16/0209(2013.01) C23C 16/0209(2013.01) C23C 16/0209(2013.01) C23C 16/0209(2013.01) C23C 16/0209(2013.01)
출원번호/일자 1020060049199 (2006.06.01)
출원인 동국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0858935-0000 (2008.09.10)
공개번호/일자 10-2007-0115176 (2007.12.05) 문서열기
공고번호/일자 (20080918) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.06.01)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 중구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권영해 대한민국 경기도 남양주시
2 류성룡 대한민국 전북 군산시 나
3 강태원 대한민국 서울 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 현종철 대한민국 서울특별시 중구 다산로 **, *층 특허법인충현 (신당동, 두지빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 중구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.06.01 수리 (Accepted) 1-1-2006-0387000-20
2 출원인변경신고서
Applicant change Notification
2006.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2006-5100735-01
3 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2007.01.08 수리 (Accepted) 1-1-2007-0015555-13
4 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items
2007.01.10 수리 (Accepted) 1-1-2007-0023374-88
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.02.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.03.15 수리 (Accepted) 9-1-2007-0017335-75
7 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
2007.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2007-0317477-44
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0366183-11
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.08.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0630967-13
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2007-0630968-69
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2007.12.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0654298-85
12 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2008.01.03 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2008-0000302-58
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0105582-50
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2008-0303334-97
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.04.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0303348-25
16 등록결정서
Decision to grant
2008.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0438500-48
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.11.05 수리 (Accepted) 4-1-2010-5206478-99
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.06 수리 (Accepted) 4-1-2011-5243351-46
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-0002002-62
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.16 수리 (Accepted) 4-1-2019-5163486-33
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
챔버내에 기체화된 반도체재료를 주입하여 기판(21)상에 나노막대들(42)을 형성하는 나노막대제조용 화학증착장치(200)에 있어서,상기 장치(200)는Ga(Gallium) 또는 TMGa(Trimethyl Gallium)의 반응원료를 이용한 반응가스가 반응을 일으키도록 하기 위하여 열원을 공급하는 혼합가스반응 열원부(11); 및상기 기판(21)상에 상기 반응원료를 통해 나노입자를 성장시키는 위하여 열원을 공급하는 나노물질형성 열원부(12);를 구비하고,상기 챔버는 상기 혼합가스반응 열원부(11) 및 나노물질형성 열원부(12) 각각에 의해 영향을 받는 혼합가스반응 영역(C2) 및 나노물질형성 영역(C3)으로 구분된 것을 특징으로 하는 나노막대제조용 화학증착장치(200)
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 혼합가스반응 영역(C2)은 반응원료를 기체화시키기 위한 반응원료기체화 영역(C1)을 더 포함하고, 상기 반응원료기체화 영역(C1)에는 열원을 공급하는 반응원료기체화 열원부(10)를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 나노막대제조용 화학증착장치(200)
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 나노물질형성 열원부(12)에 의해 공급되는 열원의 온도는 상기 혼합가스반응 열원부(11)에 의해 공급되는 열원의 온도보다 낮은 온도로 유지되는 것을 특징으로 하는 나노막대제조용 화학증착장치(200)
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 기판(21)상에 나노입자가 성장되는 과정은 상압(대기압)에서 상기 나노물질형성 열원부(12)에 의해 열원이 공급되어 상기 반응가스들의 분압이 포화증기압 상태가 됨으로써 성장과정중 소결과정(sintering process)이 진행되어 이루어진 것을 특징으로 하는 나노막대제조용 화학증착장치(200)
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 기판(21)상에 나노입자가 성장되는 과정은 상압-100torr의 압력범위내에서 상기 나노물질형성 열원부(12)에 의해 공급된 열원에 의해 상기 반응가스들의 분압이 포화증기압 상태가 되도록 열처리과정(annealing process)이 진행되어 이루어진 것을 특징으로 하는 나노막대제조용 화학증착장치(200)
6 6
제 1 항에 있어서,상기 나노물질형성 열원부(12)는 저항가열 히터를 사용하는 것을 특징으로 하는 나노막대제조용 화학증착장치(200)
7 7
제 1 항에 있어서,상기 나노물질형성 열원부(12)는 유도가열 히터를 사용하는 것을 특징으로 하는 나노막대제조용 화학증착장치(200)
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 기판(21)은 상기 나노물질형성 열원부(12)에 위치된 것을 특징으로 하는 나노막대제조용 화학증착장치(200)
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.