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(a) 반응원료 기체화영역의 열원부의 온도가 800∼850℃인 반응원료 기체화영역, 혼합가스 반응영역의 열원부의 온도가 900∼1150℃인 혼합가스 반응영역 및 나노막대 형성영역의 열원부의 온도가 600∼750℃인 나노막대 형성영역으로 구분되어 있는 반응챔버를 포함하는 나노막대 제조용 HVPE 증착장치를 사용하여 이종기판상에 GaN 나노막대를 성장시켜 GaN 나노막대 템플레이트를 형성키는 단계;(b) 상기 GaN 나노막대 템플레이트 상에 GaN 보호막을 성장시키는 단계; 및 (c) 상기 GaN 보호막 상에 GaN 후막을 성장시키는 단계;를 포함하는 GaN 후막의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 이종기판은 Al2O3, Si, SiC, GaN 및 ZnO로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 GaN 후막의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 GaN 나노막대 템플레이트를 형성시키는 단계는 HVPE법에 의하는 것을 특징으로 하는 GaN 후막의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 GaN 보호막을 성장시키는 단계는 MOCVD법에 의하는 것을 특징으로 하는 GaN 후막의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 GaN 나노막대 템플레이트를 형성시키는 단계는, 반응원료로서, NH3, HCl 및 Ga을 사용하는 것을 특징으로 하는 GaN 후막의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 GaN 나노막대 템플레이트를 형성시키는 단계의 반응시간은 30분 내지 6시간인 것을 특징으로 하는 GaN 후막의 제조방법
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제 4항에 있어서, 상기 MOCVD법 수행시 반응기체로서는 TMGa(Trimethyl Gallium) 및 NH3를 사용하고 이종기판의 온도를 800∼950℃로 가열하는 것을 특징으로 하는 GaN 후막의 제조방법
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제 4항 내지 제 5항 또는 제 7항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 MOCVD법 수행시 1차적으로 800∼850℃에서 GaN 저온버퍼층을 형성한 후, 2차적으로 900∼950℃에서 GaN 보호막을 형성하는 것을 특징으로 하는 GaN 후막의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 (c)단계 이후에 레이져 리프트 오프 또는 기판 냉각에 의하여 상기 이종기판과 상기 GaN 후막을 분리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 GaN 후막의 제조방법
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