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나노 구조체 및 그의 형성 방법 그리고 그를 포함하는 전계방출 디스플레이소자, 백라이트 유닛, 전계 방출형 램프

  • 기술번호 : KST2014029600
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노 구조체 및 그의 형성 방법 그리고 그를 포함하는 전계 방출 디스플레이소자, 백라이트 유닛, 전계 방출형 램프에 관한 것으로, 대면적의 글래스 기판상에 무촉매 전해 증착법을 이용하여 ZnO 나노 구조체를 형성하는 것에 의해 나노 구조체의 성장 제어 및 형상 제어가 가능하도록 한 것이다. 대면적, 전해 증착, 나노로드, ZnO, 무촉매, 전계 방출, 헥사고날
Int. CL G02F 1/13 (2006.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020070066655 (2007.07.03)
출원인 동국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0912519-0000 (2009.08.10)
공개번호/일자 10-2009-0003736 (2009.01.12) 문서열기
공고번호/일자 (20090818) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.07.03)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 중구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 나가라잔 가나파티 수브라마니얌 인도 서울 중구
2 이주원 대한민국 서울 마포구
3 강태원 대한민국 서울 성동구
4 정진희 대한민국 경기 구리시
5 이재철 대한민국 서울 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 문춘오 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 문앤파트너특허법률사무소 (역삼동)
2 오위환 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로**길 **, *층 (반포동, 새로나빌딩)(스카이특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 중구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.07.03 수리 (Accepted) 1-1-2007-0486253-43
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.03.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0123233-53
3 [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2008.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2008-0222592-26
4 보정요구서
Request for Amendment
2008.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2008-0045636-88
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.04.08 수리 (Accepted) 1-1-2008-0252616-82
6 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2008.04.11 수리 (Accepted) 1-1-2008-0258495-83
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.05.01 수리 (Accepted) 1-1-2008-0315982-88
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.06.03 수리 (Accepted) 1-1-2008-0398005-85
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.06.23 수리 (Accepted) 1-1-2008-0447446-34
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.06.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0447449-71
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.09.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0456434-44
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0751500-11
13 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.12.01 수리 (Accepted) 1-1-2008-0827373-13
14 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2008.12.01 수리 (Accepted) 1-1-2008-0827364-02
15 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0905001-52
16 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2009-0051666-85
17 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period
2009.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0006635-18
18 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2009-0123659-87
19 지정기간연장승인서
Acceptance of Extension of Designated Period
2009.03.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0097128-46
20 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2009-0193769-75
21 지정기간연장승인서
Acceptance of Extension of Designated Period
2009.04.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0144255-28
22 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0263975-49
23 지정기간연장승인서
Acceptance of Extension of Designated Period
2009.05.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0192911-31
24 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.05.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0315916-19
25 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2009-0315918-11
26 등록결정서
Decision to grant
2009.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0312220-83
27 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.11.05 수리 (Accepted) 4-1-2010-5206478-99
28 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.06 수리 (Accepted) 4-1-2011-5243351-46
29 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-0002002-62
30 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.16 수리 (Accepted) 4-1-2019-5163486-33
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기준 전극, 상대 전극, 작업 전극으로 구성된 다수의 전극들을 전해 증착 반응기의 수용액 내에 위치시키는 단계; 상기 전해 증착 반응기로 공급되는 산소와 불활성기체의 혼합 가스의 혼합비, 상기 전극들 간에 인가되는 전위차, 상기 수용액의 농도, 공정 시간, 공정 온도를 포함하는 공정 변수를 설정하고 상기 전해 증착 반응기를 실링하는 단계; 및 상기 설정된 공정 변수에 따른 환경 하에서 상기 전극들 간에 전원을 공급하고 상기 산소와 불활성기체의 혼합 가스를 상기 전해 증착 반응기로 공급함에 의해 상기 작업 전극 상에 나노 구조체를 성장시키는 무촉매 전해 증착 단계를 포함하는 나노 구조체의 형성 방법으로서, 상기 기준 전극은 Ag/AgCl로 구성되며, 상기 상대 전극은 Pt, Au, Zn, Ag로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 금속재료로 구성되며, 상기 상대 전극과 작업 전극의 전위차는 일정 전위 컨트롤러에 의해 0
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 불활성기체는 Ar인 것을 특징으로 하는 나노 구조체의 형성 방법
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 작업 전극은 투명 도전막이 형성된 투명 기판이나 전도성 있는 반도체 기판으로 구성된 성장 영역을 포함하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 나노 구조체의 형성 방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 투명 기판은 글래스 기판이며, 상기 투명 도전막은 ITO, IZO, ATO, ZnO, CdO, SnO2, In2O3로 구성되는 그룹으로부터 선택되는 재료로 형성된 것을 특징으로 하는 나노 구조체의 형성방법
6 6
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7 7
제 5 항에 있어서, 상기 전해 증착 반응기의 실링을 위한 실링 부재는 테플론인 것을 특징으로 하는 나노 구조체의 형성 방법
8 8
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9 9
제 7 항에 있어서, 상기 나노 구조체는 첨예한 끝단을 구비하는 것을 특징으로 하는 나노 구조체의 형성 방법
10 10
삭제
11 11
제 9 항에 있어서, 상기 나노 구조체는 바닥면에서 끝단까지 진행되는 모든 모서리들의 진행 방향이 각각 어느 하나의 지점에서 나노 구조체의 중심 방향으로 꺾이는 변곡점을 갖는 헥사고날 타워형인 것을 특징으로 하는 나노 구조체의 형성 방법
12 12
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13 13
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14 14
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15 15
제 1, 2, 4, 5, 7, 9, 11 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해 형성된 나노 구조체
16 16
애노드 전극, 형광체층 및 블랙매트릭스가 형성되어 있는 상부기판과, 캐소드 전극 및 전계 방출 에미터가 형성되어 있는 하부기판과, 상기 상부기판과 상기 하부기판 사이의 간격을 유지하기 위한 스페이서를 포함하는 전계 방출 디스플레이(FED)에 있어서, 상기 에미터는 제 15 항에 따른 나노 구조체를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 방출 디스플레이
17 17
광원과, 상기 광원으로부터의 빛을 균일하게 디스플레이 영역으로 조사하기 위한 반사 시트, 도광판, 확산 시트 및 프리즘 시트를 포함하는 백라이트유닛(BLU)에 있어서, 상기 광원은 제 15 항에 따른 나노 구조체를 포함하는 것을 특징으로 하는 백라이트유닛
18 18
애노드 전극과 형광체층이 형성되어 있는 상부기판과, 캐소드 전극 및 전계 방출 에미터가 형성되어 있는 하부기판과, 상기 상부 기판과 상기 하부기판 사이의 간격을 유지하기 위한 스페이서들을 포함하는 전계 방출형 램프(FEL)에 있어서, 상기 에미터는 제 15 항에 따른 나노 구조체를 포함하는 것을 특징으로 하는 전계 방출형 램프
19 19
삭제
20 20
제 15 항에 있어서, 상기 나노 구조체는 단일 성장 공정으로 일체형으로 형성된 단결정 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 나노 구조체
21 21
제 20 항에 있어서, 상기 나노 구조체의 중심 방향으로 꺾이는 변곡점을 지난 모서리들은 하나의 꼭지점으로 수렴되며, 상기 나노 구조체는 상기 변곡점을 지나기 이전의 모서리들에 의해 육각 기둥 형태를 이루며, 상기 변곡점을 지난 이후의 모서리들에 의해 육각뿔 형태를 이루는 것을 특징으로 하는 나노 구조체
22 22
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38 38
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20090011224 US 미국 FAMILY
2 WO2009005295 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
3 WO2009005295 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2009011224 US 미국 DOCDBFAMILY
2 WO2009005295 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
3 WO2009005295 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.