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게르마늄 나노결정체의 형성 방법 및 이를 포함하는비휘발성 메모리 소자의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014029602
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 게르마늄 나노결정체의 형성 방법 및 이를 포함하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법이 개시된다. 개시된 방법에 의하면, 복수의 산화막들 사이에 형성된 비정질 게르마늄(amorphous Ge)막을 포함하는 반도체 기판에 고에너지 대용량의 전자빔을 조사하고, 전자빔이 조사된 반도체 기판을 열처리함으로써, 산화막 내에 게르마늄 나노결정체를 형성할 수 있다. 따라서 상대적으로 적은 비용, 대면적 기판, 저온 및 간단한 공정을 통하여, 산화막 내에 게르마늄 나노결정체를 형성할 수 있다. 비휘발성 메모리 소자, 터널 산화막, 비정질 게르마늄막, 게르마늄 나노결정체(Ge nanocrystal), 콘트롤 산화막, 고에너지 대용량 전자빔
Int. CL H01L 21/20 (2011.01) H01L 27/115 (2011.01) H01L 21/268 (2011.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC H01L 21/02381(2013.01) H01L 21/02381(2013.01) H01L 21/02381(2013.01) H01L 21/02381(2013.01) H01L 21/02381(2013.01)
출원번호/일자 1020080087173 (2008.09.04)
출원인 동국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0954572-0000 (2010.04.16)
공개번호/일자 10-2010-0028240 (2010.03.12) 문서열기
공고번호/일자 (20100423) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.09.04)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 중구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이병철 대한민국 서울특별시 강남구
2 양우철 대한민국 서울특별시 중구
3 한영환 대한민국 대전광역시 대덕구
4 김도형 대한민국 경기도 안성시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 문춘오 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 문앤파트너특허법률사무소 (역삼동)
2 오위환 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로**길 **, *층 (반포동, 새로나빌딩)(스카이특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 중구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.09.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0629557-17
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2009.07.07 수리 (Accepted) 1-1-2009-0413287-75
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search
2009.07.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2009.07.21 수리 (Accepted) 9-1-2009-0043357-03
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.08.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0332408-27
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.10.07 수리 (Accepted) 1-1-2009-0614113-54
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.11.09 수리 (Accepted) 1-1-2009-0686965-47
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.12.08 수리 (Accepted) 1-1-2009-0757146-14
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.01.08 수리 (Accepted) 1-1-2010-0011699-78
10 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period
2010.01.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0003369-77
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.02.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0087841-70
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.02.09 수리 (Accepted) 1-1-2010-0087843-61
13 등록결정서
Decision to grant
2010.04.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0156696-99
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.11.05 수리 (Accepted) 4-1-2010-5206478-99
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.06 수리 (Accepted) 4-1-2011-5243351-46
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-0002002-62
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.16 수리 (Accepted) 4-1-2019-5163486-33
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
복수의 산화막들 사이에 형성된 비정질 게르마늄(amorphous Ge)막을 포함하는 반도체 기판에 1MeV 내지 2MeV의 에너지를 갖는 전자빔을 3시간 내지 3시간 30분 동안 조사하는 단계; 및 상기 전자빔이 조사된 반도체 기판을 650℃ 내지 750℃에서 열처리하는 단계를 포함하는 게르마늄 나노결정체의 형성 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 반도체 기판에 전자빔을 조사하는 단계에서 1MeV 내지 2MeV의 에너지를 갖는 전자빔을 1015/cm2 내지 1017/cm2 의 선량으로 조사하는 것을 특징으로 하는 게르마늄 나노결정체의 형성 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 반도체 기판을 열처리하는 단계에서 상기 열처리는 650℃ 내지 750℃에서 5분 내지 15분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 게르마늄 나노결정체의 형성 방법
4 4
반도체 기판 상에 제1 산화막을 형성하는 단계; 상기 제1 산화막 상에 비정질 게르마늄(amorphous Ge)막을 형성하는 단계; 상기 비정질 게르마늄막 상에 제2 산화막을 형성하는 단계; 상기 제2 산화막, 상기 비정질 게르마늄막 및 상기 제1 산화막이 형성된 반도체 기판에 1MeV 내지 2MeV의 에너지를 갖는 전자빔을 3시간 내지 3시간 30분 동안 조사하는 단계; 및 상기 전자빔이 조사된 반도체 기판을 650℃ 내지 750℃에서 열처리함으로써, 상기 반도체 기판 상에 터널 산화막, 게르마늄 나노결정체 및 콘트롤 산화막을 형성하는 단계를 포함하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 비정질 게르마늄막을 전자빔 진공증착 방법(electron beam evaporation)을 통하여 0
6 6
제4항에 있어서, 상기 제2 산화막을 플라즈마 화학 기상 증착 방법(plasma enhanced chemical vapor deposition)을 통하여 10㎚ 내지 100㎚의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
7 7
삭제
8 8
제4항에 있어서, 상기 반도체 기판을 열처리하는 단계에서 상기 열처리는 650℃ 내지 750℃에서 5분 내지 15분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
9 9
제4항에 있어서, 상기 콘트롤 산화막 상에 콘트롤 게이트를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술부 동국대학교 산학협력단 원자력연구기반확충사업 전자빔 조사를 이용한 반도체 나노결정 성장 및 특성 제어연구