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실리콘적층 사파이어 박막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014029604
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실리콘적층 사파이어 박막의 제조방법이 제공된다.본 발명에 따른 실리콘적층 사파이어 박막의 제조방법은 (a) 사파이어 기판에 실리콘 이온을 상기 기판의 표면 부근에 위치하도록 주입하는 단계; (b) 상기에서 주입된 실리콘 이온을 결정화하기 위한 열처리 공정을 시행하여 나노 실리콘 종자를 형성하는 단계; (c) 상기 나노 실리콘 종자 상에 결정화 실리콘층을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 결정화 실리콘층의 상부에 단결정 실리콘층을 형성하는 단계를 포함하며, 나노 실리콘 종자의 물리적 성질이 상기 단결정 실리콘층의 그것과 유사하기 때문에 격자 부정합 및 열팽창률의 차이로 인한 결정결함의 생성을 억제할 수 있어, 간단한 공정에 의하여, 보다 향상된 고품위의 실리콘적층 사파이어 박막을 얻을 수 있다는 장점이 있다.
Int. CL H01L 21/86 (2006.01.01)
CPC H01L 21/86(2013.01)
출원번호/일자 1020070032106 (2007.03.31)
출원인 동국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0843741-0000 (2008.06.27)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080704) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.03.31)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 중구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조훈영 대한민국 서울 동작구
2 권영해 대한민국 경기도 남양주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김강욱 대한민국 전북 전주시 덕진구 틀못*길**, 은빛빌딩 ***호(장동)(특허법인다해(전라도분사무소))
2 현종철 대한민국 서울특별시 중구 다산로 **, *층 특허법인충현 (신당동, 두지빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 중구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2007-0252662-37
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.12.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.12.14 수리 (Accepted) 9-1-2007-0075676-77
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0051075-13
5 [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Sub-agent] Report on Agent (Representative)
2008.03.05 수리 (Accepted) 1-1-2008-0162490-82
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.03.11 수리 (Accepted) 1-1-2008-0177137-20
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.03.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0177148-22
8 등록결정서
Decision to grant
2008.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0285915-37
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.11.05 수리 (Accepted) 4-1-2010-5206478-99
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.06 수리 (Accepted) 4-1-2011-5243351-46
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-0002002-62
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.16 수리 (Accepted) 4-1-2019-5163486-33
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 사파이어 기판에 실리콘 이온을 1∼200keV의 주입에너지 및 1X1014 ∼ 5X1017cm-2의 이온도즈량으로 주입하는 단계;(b) 상기에서 주입된 실리콘 이온을 결정화하기 위한 열처리 공정을 시행하여 나노 실리콘 종자를 형성하는 단계;(c) 750∼850℃의 온도 및 1∼2 torr의 압력에서, H2와 SiH4의 유량비율이 35∼45:1이 되도록 유량을 조절하며 1∼5분 동안 상기 나노 실리콘 종자 상에 결정화 실리콘층을 형성하는 단계; 및(d) 850∼950℃의 온도 및 2∼3 torr의 압력에서, H2와 SiH4의 유량비율이 10∼20:1이 되도록 유량을 조절하며 30∼90분 동안 상기 결정화 실리콘층의 상부에 단결정 실리콘층을 형성하는 단계를 포함하는 실리콘 적층 사파이어 박막의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 (d)단계 이후에, 상기 (c) 및 (d) 단계를 반복하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘적층 사파이어 박막의 제조방법
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서, 상기 (b)단계의 열처리 공정의 온도는 500∼1200℃인 것을 특징으로 하는 실리콘적층 사파이어 박막의 제조방법
5 5
제 1항 또는 제4항에 있어서, 상기 열처리 공정의 시간은 5분 내지 3시간인 것을 특징으로 하는 실리콘적층 사파이어 박막의 제조방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 (c) 및 (d)단계의 실리콘층 형성은 RTCVD법에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 실리콘적층 사파이어 박막의 제조방법
7 7
제 1항에 있어서, 상기 (c)단계 이전에 수소 베이킹 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘적층 사파이어 박막의 제조방법
8 8
삭제
9 9
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.