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실리콘적층 사파이어 박막의 제조방법 및 이에 의하여제조된 실리콘적층 사파이어 박막

  • 기술번호 : KST2014029605
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실리콘적층 사파이어 박막의 제조방법 및 이에 따라 제조된 실리콘적층 사파이어 박막이 제공된다. 본 발명에 따른 실리콘적층 사파이어 박막의 제조방법은 사파이어 기판 상에 실리콘을 적층하는 단계; 상기 실리콘층에 양이온을 주입하여 상기 실리콘 층과 사파이어 기판의 계면에 비정질층을 형성하는 단계; 및 상기 비정질층을 열처리하여 재결정화시키는 단계를 포함하며, 사파이어와 실리콘층 간의 계면특성이 향상되며, 열처리 공정, 특히 급속 열처리 공정에 의하여 실리콘층에 주입된 양이온을 일부 증발 시킬뿐만 아니라, 일부 양이온을 잔존시킴으로써 매우 우수한 전류 특성을 갖는 실리콘적층 사파이어의 제조가 가능하다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01) H01L 21/265 (2006.01.01)
CPC H01L 21/02532(2013.01) H01L 21/02532(2013.01) H01L 21/02532(2013.01) H01L 21/02532(2013.01) H01L 21/02532(2013.01)
출원번호/일자 1020080025558 (2008.03.19)
출원인 동국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0972605-0000 (2010.07.21)
공개번호/일자 10-2009-0100135 (2009.09.23) 문서열기
공고번호/일자 (20100728) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.03.19)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 중구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조훈영 대한민국 서울 동작구
2 곽동욱 대한민국 경기 성남시 분당구
3 김원식 대한민국 서울 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 중구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2008-0199915-40
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.10.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.11.13 수리 (Accepted) 9-1-2009-0062552-90
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.11.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0482634-68
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2010-0033113-51
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.02.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0115551-36
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2010-0115553-27
8 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2010.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2010-0115524-14
9 등록결정서
Decision to grant
2010.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0268263-82
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.11.05 수리 (Accepted) 4-1-2010-5206478-99
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.06 수리 (Accepted) 4-1-2011-5243351-46
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-0002002-62
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.16 수리 (Accepted) 4-1-2019-5163486-33
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
사파이어 기판 상에 실리콘층을 적층하는 단계; 상기 실리콘층에 실리콘보다 크기가 작은 양이온을 주입하여 상기 실리콘층과 사파이어 기판의 계면에 비정질층을 형성하는 단계; 및 상기 비정질층을 열처리하여 재결정화시키는 단계를 포함하는 실리콘적층 사파이어의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 실리콘층의 적층은 화학적 증기 증착법(CVD)에 의하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘적층 사파이어의 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 양이온은 양성자 또는 헬륨 양이온인 것을 특징으로 하는 실리콘적층 사파이어의 제조방법
4 4
제 3항에 있어서, 상기 양성자 주입은 플라즈마 이온 주입법에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 실리콘적층 사파이어의 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 양이온 주입 공정은 50 내지 100keV의 에너지로 1X1015/㎠ 내지 1x1017/㎠의 도즈량으로 수행하는 것을 특징으로 하는 실리콘적층 사파이어의 제조방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 비정질층의 열처리는 500 내지 1500℃의 온도에서 5분 내지 15분 동안 급속열처리 공정(RTA)에 의하여 진행되는 것을 특징으로 하는 실리콘적층 사파이어의 제조방법
7 7
제 6항에 있어서, 상기 급속열처리 공정의 가열속도는 15 내지 20℃/sec이었고, 냉각속도는 1 내지 3℃/sec인 것을 특징으로 하는 실리콘적층 사파이어의 제조방법
8 8
사파이어 기판 및 상기 사파이어 기판 상에 적층된 실리콘층을 포함하며, 상기 실리콘층은 양이온 주입 후 열처리 공정에 의하여 재결정화된 것을 특징으로 하는 실리콘적층 사파이어 박막
9 9
제 8항에 있어서, 상기 양이온은 양성자 또는 헬륨 양이온인 것을 특징으로 하는 실리콘적층 사파이어 박막
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.