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설파이드 화합물 합성방법에 있어서,
하기 화학식 3으로 표시되는 친전자체와 하기 화학식 2 로 표시되는 유기황-인듐 착물로부터 각각 R1과 R을 유도하여 전이금속을 이용하여 하기 화학식 1로 표시되는 유기 황-인듐 착물을 이용한 설파이드화합물 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 유기황-인듐 착물은 상기 화학식 3에 표기한 친전자체 분자구조에서 X의 수 (m= 1, 2)에 따라 친전자체에 대해 n/3 (n= 1, 2) 당량을 사용함을 특징으로 하는 유기 황-인듐 착물을 이용한 설파이드화합물 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 반응에서 촉매는 팔라듐촉매를 사용하되, 상기 팔라듐촉매는 PdCl2, PdBr2, Pd(OAc)2, Pd(CH3CN)2Cl2, Pd(PhCN)2Cl2, Pd2dba3CHCl3, Pd(PPh3)4, [(allyl)PdCl]2 로 이루어진 군으로부터 선택사용됨을 특징으로 하는 유기 황-인듐 착물을 이용한 설파이드화합물 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 반응에서 리간드는 포스핀 리간드를 사용하되, 상기 포스핀 리간드는 Xantphos, DPEphos (Bis(2-diphenylphosphinophenyl)ether), (Biph)PCy2 (Cy= Cyclohexyl), DPPF (1,1'-Bis(diphenylphosphino)ferrocene), DPPE (1,2-Bis(diphenylphosphino)ethane), DPPP (1,3-Bis(diphenylphosphino)propane), Imes (1,3-Bis-di-i-propylphenyl)imidazolium chloride)로 이루어진 군으로부터 선택사용함을 특징으로 하는 유기 황-인듐 착물을 이용한 설파이드화합물 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 반응에서 첨가제로는 LiCl, LiBr, Lil, K3PO4, Na2CO3, Cs2CO3, Me2NBun, pyridine, TEA (triethylamine), DIPEA (diisopropylethylamine), N-Methylpyrrolidione, N-methylpiperidine 으로 이루어진 군으로부터 선택 사용함을 특징으로 하는 유기 황-인듐 착물을 이용한 설파이드화합물 제조방법
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제4항 또는 제5항에 있어서,
상기 팔라듐 촉매와 포스핀 리간드는 친전자체에 대해 1 내지 10 mol%인 것을 특징으로 하는 유기 황-인듐 착물을 이용한 설파이드화합물 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 첨가제는 할로겐화 리튬 (LiX; X= Cl, Br, I) 및 무기첨가제를 친전자체에 대해 1
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제1항에 있어서,
상기 반응은 디메틸포름아미드 (DMF), 디메틸아세트아미드 (DMA), 톨루엔 (toluene), 자이렌 (xylene), 테트라하이드로퓨란 (THF)으로 이루어진 군으로부터 선택하여 용매로 사용하고, 상기 용매하에서 70~110℃의 반응온도에서 이루어짐을 특징으로 하는 유기 황-인듐 착물을 이용한 설파이드화합물 제조방법
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