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순차적으로 적층된 n형 반도체층; p형 반도체층; 및 상기 n형 반도체층 및 p형 반도체층 각각에 외부 전압을 인가하는 전극;을 포함하여 구비된 복합막으로,
상기 n형 반도체층 및 p형 반도체층의 빌트인 전위(built-in potential), 또는 상기 빌트인 전위 및 상기 전극을 통해 인가된 역방향 전압(reverse bias)에 의한 인가 전위에 의해,
양이온으로 이온화된 수소의 p형 반도체층으로의 투과가 방지되는 것을 특징으로 하는 수소 투과 방지막
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제 1항에 있어서,
상기 수소 투과 방지막은 상기 p형 반도체층 상부로 형성된 수소 흡착층;을 더 포함하며,
상기 수소 흡착층에 수소 분자가 흡착되는 것을 특징으로 하는 수소 투과 방지막
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제 2항에 있어서,
상기 수소 흡착층이 전도성 막이며, 상기 수소흡착층이 p형 반도체에 외부전압을 인가하는 전극인 것을 특징으로 하는 수소 투과 방지막
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제 3항에 있어서,
상기 수소 흡착층에서 수소분자의 이온화가 수행되는 것을 특징으로 하는 수소 투과 방지막
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제 1항 내지 제 4항에서 선택된 어느 한 항에 있어서,
상기 n형 반도체층은 n형 유기 반도체층이며, 상기 p형 반도체층은 p형 유기 반도체층인 것을 특징으로 하는 수소 투과 방지막
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제 2항 또는 제 3항에 있어서,
상기 수소 흡착층은 전도성 고분자, ITO(Indium-Tin Oxide), FTO(F-doped SnO2), ZnO, TiO2, 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 수소 투과 방지막
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7
제 5항에 있어서,
상기 n형 반도체층은 C60 및 그 유도체, 페릴렌(Perylene) 및 그 유도체, 폴리티오펜 및 그 유도체, 폴리티오펜-헤테로고리방향족 공중합체 및 그 유도체, 폴리페난트롤린 및 그 유도체, 및 n형 고분자 군에서 하나 이상 선택된 물질인 것을 특징으로 하는 수소 투과 방지막
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제 5항에 있어서,
상기 p형 반도체층은 폴리티오펜 및 그 유도체, 금속 프탈로시아닌, 폴리파라페닐렌비닐렌 및 그 유도체, 및 p형 고분자 군에서 하나 이상 선택된 물질인 것을 특징으로 하는 수소 투과 방지막
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