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금속나노입자패턴을 이용한 분자 검출장치 및 방법

  • 기술번호 : KST2014030017
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기, 무기, 금속, 천연 또는 합성 생체물질의 종류와 농도를 검출하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 상세하게는 검출대상 물질에 의해 금속이온이 금속으로 환원되며, 금속이온의 환원 및 석출에 의해 기판 상에 일정한 패턴을 갖도록 형성된 금속나노입자의 형상, 크기 또는 패턴이 변화하는 것을 이용하여 광학적으로 검출대상 물질의 종류, 유/무 및 농도를 측정할 수 있는 장치 및 방법에 관한 것이다. 금속나노입자, 백색광, 분광, 광투과율, 플라즈몬, 검출, 유기, 무기, 바이오, 생체
Int. CL G01N 21/00 (2011.01) G01N 33/20 (2011.01) B82Y 15/00 (2011.01)
CPC G01N 21/59(2013.01) G01N 21/59(2013.01) G01N 21/59(2013.01)
출원번호/일자 1020080018135 (2008.02.28)
출원인 한국표준과학연구원
등록번호/일자 10-0947262-0000 (2010.03.05)
공개번호/일자 10-2009-0092907 (2009.09.02) 문서열기
공고번호/일자 (20100401) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.02.28)
심사청구항수 22

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 하동한 대한민국 대전시 유성구
2 윤용주 대한민국 충남 공주시
3 김상훈 대한민국 경북 문경시
4 박형주 대한민국 부산시 연제구
5 윤완수 대한민국 대전시 서구
6 조용재 대한민국 대전시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국표준과학연구원 대한민국 대전 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2008-0146273-16
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.02.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2009-0014164-18
4 등록결정서
Decision to grant
2010.02.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0071411-89
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5004381-25
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266645-00
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266640-72
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266627-88
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번호 청구항
1 1
a) 투명기판 및 상기 투명기판 상부에 금속나노입자가 일정 패턴으로 형성된 검출기판에 금속 이온을 함유하는 검출용액을 접촉시키는 단계; b) 상기 검출용액에 상기 금속이온을 환원시키는 검출대상 물질을 함유하는 반응용액을 투입하는 단계; 및 c) 상기 반응용액으로부터 분리된 검출기판의 광투과율을 측정하는 단계; 를 포함하여 수행되는 금속나노입자 패턴을 이용한 물질의 검출방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 검출대상 물질에 의해 상기 금속이온이 상기 금속나노입자에 환원ㆍ석출되어 상기 금속나노입자의 형상, 크기 또는 패턴이 변화하는 것을 특징으로 하는 금속나노입자 패턴을 이용한 물질의 검출방법
3 3
제 1항에 있어서, a) 단계 이전, 검출기판의 광투과율을 측정하는 레퍼런스 측정 단계가 더 포함되는 것을 특징으로 하는 금속나노입자 패턴을 이용한 물질의 검출방법
4 4
제 3항에 있어서, 상기 레퍼런스 측정에 의한 광투과율과 상기 c) 단계의 광투과율의 변화를 기반으로 상기 검출대상 물질의 종류 및 농도를 검출하는 것을 특징으로 하는 금속나노입자 패턴을 이용한 물질의 검출방법
5 5
제 1항 또는 제 3항에 있어서, 상기 광투과율은 적외선 내지 자외선 영역의 브로드밴드를 갖는 광의 파장별 투과율인 것을 특징으로 하는 금속나노입자 패턴을 이용한 물질의 검출방법
6 6
제 3항에 있어서, 상기 레퍼런스로 측정된 광투과율의 최대 또는 최소 광투과율을 갖는 파장 영역은 상기 금속나노입자의 패턴에 의해 적외선 내지 자외선 영역으로 조절되는 것을 특징으로 하는 금속나노입자 패턴을 이용한 물질의 검출방법
7 7
제 1항에 있어서, 상기 패턴은 직사각형, 정사각형, 정육각형 또는 평행사변형에서 선택된 다각형을 기본 형상으로 하여 상기 다각형의 각 꼭지점과 중심점에 하나 이상의 금속나노입자의 모티프(motif)로 구성된 것을 특징으로 하는 금속나노입자 패턴을 이용한 물질의 검출방법
8 8
제 1항에 있어서, 상기 금속나노입자의 크기는 10 nm 내지 1000 nm 인 것을 특징으로 하는 금속나노입자 패턴을 이용한 물질의 검출방법
9 9
제 7항에 있어서, 상기 다각형의 변의 길이는 100 nm 내지 5000nm 인 것을 특징으로 하는 금속나노입자 패턴을 이용한 물질의 검출방법
10 10
제 7항에 있어서, 상기 모티프(motif)는 1 내지 6개의 금속나노입자로 구성되는 것을 특징으로 하는 금속나노입자 패턴을 이용한 물질의 검출방법
11 11
제 7항에 있어서, 상기 모티프(motif)를 구성하는 금속나노입자의 입자간 간격은 0 nm 내지 200 nm인 것을 특징으로 하는 금속나노입자 패턴을 이용한 물질의 검출방법
12 12
제 4항에 있어서, 상기 검출대상물질의 종류 및 농도는 물질의 종류, 물질별 광투과율, 농도별 광투과율 및 측정조건으로 구성된 룩업테이블을 이용하는 것을 특징으로 하는 금속나노입자 패턴을 이용한 물질의 검출방법
13 13
제 12항에 있어서, 물질의 종류는 유기물, 고분자, 무기물, 금속, 천연 또는 합성 생체의 검출대상물질의 종류이며, 상기 측정조건은 상기 검출용액의 부피, 상기 검출용액의 금속이온 농도, 상기 검출용액의 금속이온 물질, 상기 반응용액의 부피, 반응온도, 반응시간, 상기 기판의 물질, 상기 금속나노입자의 물질, 상기 패턴정보 또는 이들의 조합을 파라메터로 가지며, 상기 물질별 광투과율은 상기 물질의 종류 각각의 상기 측정조건의 파라메터에 따라 측정된 파장별 광투과율이며, 상기 농도별 광투과율은 특정한 상기 물질의 종류에서 농도별로 상기 측정조건의 파라메터에 따라 측정된 파장별 광투과율인 것을 특징으로 하는 금속나노입자 패턴을 이용한 물질의 검출방법
14 14
제 1항에 있어서, 상기 광투과율을 측정하기 위해 조사되는 광은 적외선 내지 자외선 영역의 광인 것을 특징으로 하는 금속나노입자 패턴을 이용한 물질의 검출방법
15 15
제 1항에 있어서, 상기 금속나노입자는 Au, Pt, Ag, Cu, Pb, Sn, Ni, Co, Zn, Mn, Al 또는 Mg의 나노입자이며, 상기 금속이온은 Au, Pt, Ag, Cu, Pb, Sn, Ni, Co, Zn, Mn, Al 또는 Mg 이온인 것을 특징으로 하는 금속나노입자 패턴을 이용한 물질의 검출방법
16 16
투명기판 및 상기 투명기판 상부에 금속나노입자가 일정 패턴으로 형성된 검출기판; 및 금속 이온을 함유하는 검출용액; 을 포함하여 구성되는 금속나노입자 패턴을 이용한 물질의 검출키트
17 17
제 16항에 있어서, 상기 검출기판과 상기 검출용액을 접촉시킨 후, 상기 금속이온을 환원시키는 검출대상 물질을 함유하는 반응용액을 상기 검출용액에 투입하여 상기 검출대상 물질에 의해 상기 금속이온이 상기 금속나노입자에 환원ㆍ석출되어 상기 금속나노입자의 크기, 형상 또는 패턴이 변화되는 것을 특징으로 하는 금속나노입자 패턴을 이용한 물질의 검출키트
18 18
제 17항에 있어서, 상기 검출키트는 적외선 내지 자외선 광을 제공하는 광원; 파장별 광의 세기를 측정하는 광검출기;를 더 포함하여 구성되며, 상기 검출용액과 반응용액의 혼합액으로부터 분리된 상기 검출기판의 파장별 광투과율을 측정하여 검출대상물질의 종류, 유/무, 및 농도를 검출하는 것을 특징으로 하는 금속나노입자 패턴을 이용한 물질의 검출키트
19 19
제 16항에 있어서, 상기 투명기판은 유리기판, 수정기판, 사파이어 기판, 투명전도성기판, 또는 이들의 적층 기판인 것을 특징으로 하는 금속나노입자 패턴을 이용한 물질의 검출키트
20 20
제 16항에 있어서, 상기 검출기판은 상기 투명기판 상부에 레지스트를 도포하는 단계; 광 또는 전자빔을 이용하여 일정 패턴으로 노광 및 현상하는 단계; 금속을 증착하는 단계; 레지스트를 제거하는 단계; 를 포함하여 제조된 것을 특징으로 하는 금속나노입자 패턴을 이용한 물질의 검출키트
21 21
제 16항에 있어서, 상기 금속나노입자는 Au, Pt, Ag, Cu, Pb, Sn, Ni, Co, Zn, Mn, Al 또는 Mg의 나노입자이며, 상기 금속이온은 Au, Pt, Ag, Cu, Pb, Sn, Ni, Co, Zn, Mn, Al 또는 Mg이온인 것을 특징으로 하는 금속나노입자 패턴을 이용한 물질의 검출키트
22 22
제 16항에 있어서, 상기 금속나노입자의 크기는 10 nm 내지 1000 nm 인 것을 특징으로 하는 금속나노입자 패턴을 이용한 검출장치
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1 US20090221086 US 미국 FAMILY

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1 산업자원부 한국표준과학연구원 차세대신기술개발사업 나노갭 응용 항원-항체 검출기술 개발