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나노입자의 제조장치

  • 기술번호 : KST2014030073
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노입자의 제조장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 제조하고자 하는 나노입자의 적정 제조조건에 에너지와 전류 밀도 및 선량 등을 독립적으로 제어할 수 있어 나노입자를 손쉽게 제조할 수 있는 장치에 관한 것이다. 본 발명의 나노입자 제조장치는 둘레의 일측에 길이방향으로 전자빔 조사창이 형성된 진공챔버; 상기 진공챔버 내부 중심에 길이방향으로 구비되며, 상기 전자빔 조사창에 대응되는 일측에 전계방출팁이 형성된 음극; 상기 음극 상에 형성되며, 상기 전계방출팁을 표면에 노출시키는 공동이 형성된 절연막; 상기 절연막 상부에 형성된 게이트 전극; 상기 진공챔버에 구비되고, 상기 음극에 전압을 인가하는 음극 전압인가부; 및 상기 진공챔버에 구비되고, 상기 게이트 전극에 음 또는 양의 전압을 인가하는 게이트 전압인가부를 포함하는 3극형 대면적 전자빔 조사장치와 상기 전자빔 조사장치의 전자빔 조사측에 위치하는 전자빔 조사부를 포함한다. 나노입자, 전자빔, 3극형 전자빔 조사장치, 금속 나노입자
Int. CL B82B 3/00 (2006.01)
CPC B82B 3/0004(2013.01) B82B 3/0004(2013.01) B82B 3/0004(2013.01) B82B 3/0004(2013.01) B82B 3/0004(2013.01) B82B 3/0004(2013.01)
출원번호/일자 1020090047252 (2009.05.29)
출원인 한국원자력연구원
등록번호/일자 10-1091567-0000 (2011.12.02)
공개번호/일자 10-2010-0128695 (2010.12.08) 문서열기
공고번호/일자 (20111213) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.05.29)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한영환 대한민국 대전광역시 대덕구
2 이병철 대한민국 서울특별시 강남구
3 최용운 대한민국 부산광역시 연제구
4 김민완 대한민국 충청남도 아산시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인씨엔에스 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2009-0324434-25
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0156407-56
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.05.17 수리 (Accepted) 1-1-2011-0366655-30
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.05.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0366654-95
5 등록결정서
Decision to grant
2011.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0701071-48
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2012-5134067-95
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5109542-64
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
둘레의 일측에 길이방향으로 전자빔 조사창이 형성된 진공챔버; 상기 진공챔버 내부 중심에 길이방향으로 구비되며, 상기 전자빔 조사창에 대응되는 일측에 전계방출팁이 형성된 음극; 상기 음극 상에 형성되며, 상기 전계방출팁을 표면에 노출시키는 공동이 형성된 절연막; 상기 절연막 상부에 형성된 게이트 전극; 상기 진공챔버에 구비되고, 상기 음극에 전압을 인가하는 음극 전압인가부; 및 상기 진공챔버에 구비되고, 상기 게이트 전극에 음 또는 양의 전압을 인가하는 게이트 전압인가부를 포함하는 3극형 대면적 전자빔 조사장치와 상기 전자빔 조사장치의 전자빔 조사측에 위치하는 전자빔 조사부를 포함하는 나노입자 제조장치
2 2
제 1항에 있어서, 상기 음극은 원형 단면의 봉체이며, 상기 전자빔 조사창에 대응되는 상기 봉체의 외주면에 띠 형태의 전계방출팁이 길이 방향으로 형성된 나노입자 제조장치
3 3
제 1항에 있어서, 상기 음극은 원형 단면의 봉체이며, 상기 전자빔 조사창에 대응되는 상기 봉체의 외주면에 다수의 도트형의 전계방출팁이 길이 방향으로 형성된 나노입자 제조장치
4 4
제 1항에 있어서, 상기 절연막의 상기 공동은 상기 게이트 전극이 존재하는 상부의 단면적이 상기 음극이 존재하는 하부의 단면적보다 작은 나노입자 제조장치
5 5
제 4항에 있어서, 상기 절연막의 상기 공동의 측면은 상기 음극 표면의 수직 방향을 기준으로 4 내지 7도 기울어진 나노입자 제조장치
6 6
제 1항에 있어서, 상기 진공챔버는 원통형이며, 그 외주면에 상기 전자빔 조사창이 다수개 형성되며, 다수의 상기 전자빔 조사창 각각에 대응되는 상기 전계방출팁, 상기 절연막 및 상기 게이트 전극이 형성되는 나노입자 제조장치
7 7
제 1항에 있어서, 상기 전계방출팁은 탄소나노튜브인 나노입자 제조장치
8 8
제 1항에 있어서, 상기 진공챔버의 양단부에 각각 일체로 형성된 고정플랜지; 상기 양단부의 고정플랜지 중 일측의 고정플랜지에 결합되고, 상기 음극 전압인가부를 구비하는 제 1 진공플랜지; 상기 양단부의 고정플랜지 중 타측의 고정플랜지에 결합되고, 상기 게이트 전압인가부를 구비하는 제 2 진공플랜지; 상기 음극의 일측단에 핀삽입공을 형성하고, 상기 음극 전압인가부의 일측에는 상기 음극 전압인가부의 접속핀이 관통하는 제 1 절연체를 구비하여 상기 제 1 절연체를 관통한 접속핀이 음극의 핀삽입공에 삽입되도록 구성된 제 1 지지부; 및 상기 음극의 타측단에 삽입돌부를 형성하여 상기 삽입돌부에 절연막 및 게이트 전극 금속막을 형성하고, 상기 게이트 전압인가부의 일측에는 상기 게이트 전압인가부의 접속핀이 관통하며 삽입홈이 형성된 제 2 절연체를 구비하여, 상기 삽입돌부가 상기 삽입홈에 삽입되어 상기 게이트 전극 금속막과 상기 게이트 전압인가부의 접속핀이 접속됨과 동시에 음극을 지지하는 제 2 지지부; 를 더 포함하는 나노입자 제조장치
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 전자빔 조사부는 컨베이어 벨트의 형태인 나노입자 제조장치
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 전자빔 조사부는 불활성 가스 또는 진공으로 분위기 제어되는 나노입자 제조장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.