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저전압 구동 초박형 압전 세라믹 스피커 기술

  • 기술번호 : KST2014030153
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 압전형 스피커 및 이의 제작 방법에 관한 것으로, 특히 압전박막을 이용하여 높은 음압을 얻기 위한 압전형 스피커 및 이의 제작방법을 제공한다.이를 위하여, 본 발명에 따른 압전형 스피커는, 압전 박막과, 상기 압전 박막의 상부에 형성되거나 상하부에 형성되는 전극과, 상기 압전 박막 하부에 형성되는 댐핑물질층과, 상기 압전 박막 및 상기 댐핑물질층중 적어도 하나의 측면을 둘러싸는 형태로 접착물질에 의해 부착되는 프레임을 포함한다.압전박막, 댐핑물질층, 진동판, 프레임
Int. CL H04R 17/00 (2006.01) H04R 31/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020080131660 (2008.12.22)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1159734-0000 (2012.06.19)
공개번호/일자 10-2010-0073075 (2010.07.01) 문서열기
공고번호/일자 (20120628) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.12.22)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김혜진 대한민국 대전광역시 유성구
2 이성규 대한민국 대전광역시 유성구
3 신민철 대한민국 대전광역시 중구
4 박강호 대한민국 대전광역시 유성구
5 김종대 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0880989-04
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.01.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0028350-28
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0181811-28
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.03.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0181815-11
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.09.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0515536-14
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2011-0829401-33
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.10.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0829412-35
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.04.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0229476-10
10 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2012.05.07 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2012-0021851-66
11 등록결정서
Decision to grant		 2012.06.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0342013-79
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
압전 박막과, 상기 압전 박막의 상부 및 하부에 비대칭적으로 형성된 제1 및 제2 전극을 포함하는 압전진동판과,상기 압전진동판 하부에 형성되며, 상기 압전진동판의 불필요한 진동을 흡수하여 상기 압전진동판에서 발생되는 음의 왜곡을 상쇄시키기 위한 저점도 고탄성 물질로 이루어진 댐핑물질층과,상기 압전 박막 및 상기 댐핑물질층중 적어도 하나의 측면을 둘러싸는 형태로 접착물질에 의해 부착되는 프레임을 포함하고,상기 댐핑 물질은 합성 수지 또는 고무로 이루어지는 압전형 스피커
2 2
제1 항에 있어서, 상기 압전 박막의 상부에 형성된 제1 전극은 맞물림 전극을 포함하는 압전형 스피커
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1 항에 있어서, 상기 접착 물질은 고탄성 에폭시인 압전형 스피커
6 6
제1 항에 있어서, 상기 프레임은 상기 압전 박막의 하부에 후방음향챔버가 형성되도록 상기 압전 박막 하부면으로부터 일정 간격을 두고 부착되며, 상기 프레임의 하부에는 적어도 하나의 음향홀이 형성되는 압전형 스피커
7 7
제1 항에 있어서, 상기 댐핑물질층은 일정 패턴으로 식각되어 홈을 형성하는 압전형 스피커
8 8
제1 항에 있어서, 상기 댐핑물질층은 성형틀을 이용하여 주름모양으로 형성되는 압전형 스피커
9 9
제1 항에 있어서, 상기 프레임은, 폴리브탈렌, 테레프탈레이트(PBT), 폴리 아세탈 수지(POM), 폴리 카보네이트 수지(PC) 중 어느 하나의 물질로 이루어지는 압전형 스피커
10 10
압전 박막의 상부 및 하부에 비대칭적으로 제1 및 제2 전극을 형성하여 압전진동판을 형성하는 단계와,상기 압전진동판 하부에, 상기 압전진동판의 불필요한 진동을 흡수하여 상기 압전진동판에서 발생되는 음의 왜곡을 상쇄시키기 위한 저점도 고탄성 물질로 이루어진 댐핑물질층을 형성하는 단계와,상기 압전 박막 및 상기 댐핑물질층중 적어도 하나의 측면에 접착물질을 이용하여 프레임을 부착하는 단계와,상기 프레임의 하면에 적어도 1개의 홀을 형성하는 단계를 포함하는 압전형 스피커 제작 방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 압전 진동판을 형성하는 단계는, 상기 압전 박막의 상부에 맞물림 전극을 포함하는 제1 전극을 형성하는 압전형 스피커 제작 방법
12 12
삭제
13 13
실리콘 기판상에 댐핑물질층을 형성하는 단계와,상부에 제1 전극이 형성된 압전 박막을 상기 댐핑물질층상에 부착하는 단계와,상기 압전 박막 및 상기 댐핑물질층중 적어도 하나의 측면에 접착물질을 이용하여 프레임을 부착하는 단계를 포함하는 압전형 스피커 제작 방법
14 14
제13항에 있어서, 상기 댐핑물질층상에 상기 압전 박막을 부착하기 이전에 상기 댐핑물질층 상부에 제2 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 압전형 스피커 제작 방법
15 15
제13항에 있어서, 상기 실리콘 기판의 일부를 식각하여 후방 음향 챔버를 형성하는 단계를 더 포함하는 압전형 스피커 제작 방법
16 16
제14항에 있어서,상기 프레임상에 제3 전극을 형성하는 단계와,상기 제1 전극 또는 상기 제1 및 제2 전극을 상기 제3 전극에 와이어 본딩하는 단계를 더 포함하는 압전형 스피커 제작 방법
17 17
제10항 또는 제13항에 있어서, 상기 댐핑물질층에 홈을 형성하기 위해 일정 패턴으로 식각하는 단계를 더 포함하는 압전형 스피커 제작 방법
18 18
제10항 또는 제13항에 있어서, 상기 댐핑물질층은 성형틀을 이용하여 주름 모양으로 형성되는 압전형 스피커 제작 방법
19 19
제13항에 있어서, 상기 프레임의 하면에 적어도 1개의 홀을 형성하는 단계를 더 포함하는 압전형 스피커 제작 방법
지정국 정보가 없습니다
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1 US08712079 US 미국 FAMILY
2 US20100158283 US 미국 FAMILY

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1 US2010158283 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8712079 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 및 정보통신연구진흥원 한국전자통신연구원 IT원천기술개발 유비쿼터스 단말용 부품 모듈