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전해질 막의 표면이 스크래치 처리되고 금속층이 코팅된 표면 개질된 고분자 전해질 막
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제 1 항에 있어서, 상기 표면은 스크래치 처리되되, #400 ~ 1200 범위의 사포를 사용하여 5 ~ 100 회 범위로 스크래치 되고, 금속층은 50 ~ 300 초 범위의 시간 동안 코팅되는 것을 특징으로 하는 표면 개질된 고분자 전해질 막
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제 1 항에 있어서, 상기 금속층은 백금 (Pt), 금 (Au), 은 (Ag), 텅스텐 (W), 팔라디움 (Pd), 및 루비듐 (Ru) 중에서 선택된 하나 이상의 금속이 사용되는 것을 특징으로 하는 표면 개질된 고분자 전해질 막
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제 1 항에 있어서, 상기 금속층의 코팅은 DC 스퍼터법 (DC sputter), 이온 코팅법, 열 압착법 (hot pressing), 무전해 도금법 및 전기화학적 도금법 중에서 선택된 하나 이상의 과정을 통하여 이루어진 것을 특징으로 하는 표면 개질된 고분자 전해질 막
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5
제 1 항에 있어서, 상기 금속층은 1 ㎚ ~ 3 ㎛ 의 두께로 코팅되는 것을 특징으로 하는 표면 개질된 고분자 전해질 막
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제 1 항에 있어서, 상기 금속층은 고분자 전해질 막의 애노드 (anode) 면에 코팅되는 것을 특징으로 하는 표면 개질된 고분자 전해질 막
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7
제 1 항에 있어서,상기 전해질 막은 나피온 (NafionTM), 플레미온 (FlemionTM) 및 아시플렉스 (AciplexTM) 중에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 표면 개질된 고분자 전해질 막
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8
(1) 전해질 막의 표면을 스크래치 처리하는 단계;(2) 상기 표면의 잔존물을 세척하는 단계; 및(3) 금속층을 코팅하는 단계로 표면 개질하는 고분자 전해질 막의 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 (1) 단계에서 전해질 막의 표면을 스크래치 처리하되, #400 ~ 1200 범위의 사포를 사용하여 5 ~ 100 회 범위로 스크래치 하는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막의 제조방법
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10
제 8 항에 있어서, 상기 (2) 단계에서 스크래치 과정에서 남아있는 잔존물을 깨끗이 세척하되, 증류수로 가열하고 과산화수소에 담그고 다시 황산 용액에 담근 다음 증류수로 세척하는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막의 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 (3) 단계에서 금속층의 코팅은 이온 코팅기를 이용하여 50 ~ 300 초 범위의 시간 동안 0
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제 8 항에 있어서, 상기 (3) 단계에서 금속층은 1 ㎚ ~ 3 ㎛ 의 두께로 코팅하는 것을 특징으로 하는 표면 개질된 고분자 전해질 막의 제조방법
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13
제 8 항에 있어서, 상기 (3) 단계에서 금속층은 고분자 전해질 막의 애노드 (anode) 면에 코팅하는 것을 특징으로 하는 표면 개질된 고분자 전해질 막의 제조방법
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14
제 8 항에 있어서, (3) 단계에서 금속층의 코팅은 백금, 금, 은, 텅스텐, 팔라디움 및 루비듐 중에서 선택된 하나 이상의 금속을 사용하는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 (3) 단계에서 금속층의 코팅은 DC 스퍼터법 (DC sputter), 이온 코팅법, 열 압착법 (hot pressing), 무전해 도금법 및 전기화학적 도금법 중에서 선택된 하나 이상의 과정을 통하여 이루어진 것을 특징으로 하는 고분자 전해질 막의 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 전해질 막은 나피온 (NafionTM), 플레미온 (FlemionTM) 및 아시플렉스 (AciplexTM) 중에서 하나 이상 선택하는 것을 특징으로 하는 표면 개질된 고분자 전해질 막의 제조방법
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