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상하부 전극 사이에 유기 활성층을 포함하는 유기 메모리 소자의 활성층을 패터닝하는 방법에 있어서,
기판 위에 1,2,3,4-부탄테트라-카르복실릭 디안하이드라이드(1,2,3,4-butanetetra-carboxylic dianhydride)와 4,4-디아미노디페닐메탄(4,4-diaminodiphenylmethane)을 반응시켜 수득한 화합물을 질소 기체(N2) 하에서 무수아세트산(acetic anhydride) 및 피리딘(pyridine)에 첨가하여 120℃로 2 ~ 3시간 반응시키는 이미드화 반응을 통해 제조된 화학식 1로 표시되는 패턴형성용 고분자 화합물을 코팅하여 건조하는 단계; 및
소정 패턴의 마스크를 통해 노광하여 현상하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 메모리 소자의 활성층 패터닝 방법
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제2항에 있어서, 상기 기판은 절연체, 유리, 실리콘, 표면 개질 유리, 폴리프로필렌, 또는 활성화된 아크릴아미드 기판 및 이들의 조합으로 구성되는 군에서 선택되는 것임을 특징으로 하는 유기 메모리 소자의 활성층 패터닝 방법
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제2항에 있어서, 상기 코팅 단계가 스핀 코팅, 열증착법 또는 프린팅법에 의해 진행되는 것을 특징으로 하는 유기 메모리 소자의 활성층 패터닝 방법
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1,2,3,4-부탄테트라-카르복실릭 디안하이드라이드(1,2,3,4-butanetetra-carboxylic dianhydride)와 4,4-디아미노디페닐메탄(4,4-diaminodiphenylmethane)을 반응시켜 수득한 화합물을 질소 기체(N2) 하에서 무수아세트산(acetic anhydride) 및 피리딘(pyridine)에 첨가하여 120℃로 2 ~ 3시간 반응시키는 이미드화 반응을 통해 제조된 상기 화학식 1로 표시되는 패턴형성용 고분자 화합물을 이용한 유기메모리 소자
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제5항에 있어서, 상기 유기 메모리 소자가 상부 전극; 상기 청구범위 제1항의 고분자 화합물을 포함하는 유기 활성층; 및 하부전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 메모리 소자
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제6항에 있어서, 상기 상부 전극 또는 하부 전극이 금속, 금속 합금, 금속 질화물 (metal nitrides), 산화물, 황화물, 탄소 및 전도성 폴리머, 유기 도전체(organic conductor)로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 전기 전도성 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기메모리 소자
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제7항에 있어서, 상기 상부 전극 또는 하부 전극이 알루미늄 (Al), 금 (Au), 은 (Ag), 백금 (Pt), 구리 (Cu), 티타늄 (Ti), 텅스텐 (W), 인듐틴옥사이드 (ITO)로 구성되는 군에서 선택되는 하나 이상의 재료로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기메모리 소자
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제5항에 있어서, 상기 유기메모리 소자가 상부 전극 아래 또는 하부 전극 위에 배리어 층(barrier layer)을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 메모리 소자
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제9항에 있어서, 상기 배리어층이 SiOx, AlOx, NbOx, TiOx, CrOx, VOx, TaOx, CuOx, MgOx, WOx, AlNOx로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기메모리 소자
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제10항에 있어서, 상기 배리어층이 SiO2, Al2O3, Cu2O, TiO2, 및 V2O3로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기메모리 소자
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