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자가조립단층 형성을 이용한 투명전극의 표면개질 방법

  • 기술번호 : KST2014030491
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 자가조립단층 형성을 이용한 투명전극의 표면개질 방법에 관한 것이다.본 발명이 개시하는 표면개질 방법은, 투명전극의 표면을 수산화기로 염기화하는 공정과, 삼염화실란을 증발시켜 투명전극에 자가조립단층을 형성하는 공정으로 구현된다.본 발명에 의하면, 투명전극의 일함수를 유기 반도체 수준으로 높일 수 있다.투명전극, 자가조립단층, SAM, 표면개질, 일함수, 삼염화실란
Int. CL H01L 51/00 (2006.01)
CPC H01L 51/5206(2013.01) H01L 51/5206(2013.01) H01L 51/5206(2013.01)
출원번호/일자 1020070049548 (2007.05.22)
출원인 건국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0867352-0000 (2008.10.31)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20081106) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.05.22)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 건국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤영수 대한민국 경기도 남양주시
2 지승현 대한민국 경기도 양평군
3 김수호 대한민국 인천 부평구
4 고재환 대한민국 경기 성남시 중원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이은철 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 건국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2007-0373755-34
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.02.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.03.11 수리 (Accepted) 9-1-2008-0011973-89
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.04.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0218882-69
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2008.06.23 수리 (Accepted) 1-1-2008-0447705-65
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2008-0528295-69
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.07.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0528294-13
8 등록결정서
Decision to grant		 2008.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0552545-33
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.01 수리 (Accepted) 4-1-2012-5116974-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명전극(ITO)의 표면개질 방법에 있어서,상기 투명전극의 표면을 수산화기로 염기화하는 제1 공정; 및삼염화실란을 증발시켜 상기 투명전극에 자가조립단층을 형성하는 제2 공정; 을 포함하되,상기 제2 공정은,밀폐된 용기에 삼염화실란을 주입하고, 상기 투명전극을 배치하는 단계; 및상기 삼염화실란을 소정 시간 증발시키는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 자가조립단층 형성을 이용한 투명전극의 표면개질 방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 제1 공정은,과산화수소와 암모니아수를 1:1의 비율로 섞어 혼합수를 마련하는 단계; 및상기 혼합수에 상기 투명전극을 소정 시간 수침시키는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 자가조립단층 형성을 이용한 투명전극의 표면개질 방법
3 3
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4 4
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.