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산화구리 형성 방법

기술번호 : KST2014030586
담당센터 : 서울동부기술혁신센터
전화번호 : 02-2155-3662

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 기술은 전기화학증착법에 의해 산화구리를 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 기술은 산화구리 형성 방법에 있어서, 구리를 포함하는 수용액 및 착물 형성용 시료를 포함하는 수용액을 교반하여 전기화학증착 수용액을 제조하는 단계; 및 상기 전기화학 증착 수용액에 직류 전압을 가해, 상기 시료로부터 형성된 착물을 이용하여 산화구리막을 형성하는 단계를 포함한다. 본 기술에 따르면, 착물을 이용한 전기화학증착 방식에 의해 산화구리막을 형성함으로써, 표면이 매끄럽고 결정 방위 배열이 일정한 산화구리 박막을 형성할 수 있다. 특히, 착물을 이용하는 함으로써, 저온에서 단결정 선화구리막을 형성할 수 있으므로, 제조 단가를 낮추고, 공정을 더욱 용이하게 수행할 수 있다. 산화구리, 착물, HMTA
Int. CL	C25D 3/38 (2006.01) C25D 11/34 (2006.01) H05K 1/09 (2006.01)
CPC	C25D 3/38(2013.01) C25D 3/38(2013.01)
출원번호/일자	1020090022569 (2009.03.17)
출원인	건국대학교 산학협력단
등록번호/일자	10-1069738-0000 (2011.09.27)
공개번호/일자	10-2010-0104265 (2010.09.29) 문서열기
공고번호/일자	(20111005) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2009.03.17)
심사청구항수	16

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	건국대학교 산학협력단	대한민국	서울특별시 광진구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	강성웅	대한민국	경상남도 사천시
2	박배호	대한민국	서울특별시 강남구
3	홍사환	대한민국	서울특별시 은평구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	구현서	대한민국	서울특별시 서초구 강남대로길 -**(서초동)(특허법인키)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	건국대학교 산학협력단	대한민국	서울특별시 광진구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2009.03.17	수리 (Accepted)	1-1-2009-0160430-41
2	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)	2009.10.12	수리 (Accepted)	1-1-2009-0624591-33
3	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2010.11.09	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2010.12.16	수리 (Accepted)	9-1-2010-0077174-09
5	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2011.03.22	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2011-0157616-60
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2011.05.20	수리 (Accepted)	1-1-2011-0378764-34
7	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2011.05.20	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2011-0378760-52
8	등록결정서 Decision to grant	2011.09.26	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2011-0545824-06
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2012.06.01	수리 (Accepted)	4-1-2012-5116974-69

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 구리를 포함하는 수용액 및 착물 형성용 시료를 포함하는 수용액을 교반하여 전기화학증착 수용액을 제조하는 단계; 및 상기 전기화학 증착 수용액에 직류 전압을 가해, 상기 시료로부터 형성된 착물을 이용하여 산화구리막을 형성하는 단계를 포함하고, 여기서, 상기 산화구리막 형성 단계는, 상기 시료로부터 착물이 형성되는 단계; 상기 착물이 분해되어 구리 이온이 형성되는 단계; 및 상기 구리 이온의 축합 반응에 의해 산화구리막이 형성되는 단계 를 포함하는 산화구리막 형성 방법
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 산화구리막 형성 단계 전에, 제조된 상기 전기화학증착 수용액을 80 내지 90℃의 온도에서, 100rpm 이상의 속도로 5분 이상 교반하는 단계 를 더 포함하는 산화구리막 형성 방법
3	3 제 1 항에 있어서, 상기 구리를 포함하는 수용액은, 구리질산염 수용액인 산화구리막 형성 방법
4	4 제 1 항에 있어서, 상기 착물 형성용 시료는, HMTA(hexamethylenetetramine)인 산화구리막 형성 방법
5	5 삭제
6	6 제 1 항에 있어서, 상기 구리를 포함하는 수용액의 농도는, 20mM 이상인 산화구리막 형성 방법
7	7 제 1 항에 있어서, 상기 착물 형성용 시료를 포함하는 수용액의 농도는, 20mM 이상인 산화구리막 형성 방법
8	8 제 1 항에 있어서, 상기 전기화학증착 수용액의 농도는 20mM 이상인 산화구리막 형성 방법
9	9 제 1 항에 있어서, 상기 산화구리막 형성 단계는, 상기 전기화학증착 수용액 내에 동작 전극, 기준 전극 및 상대 전극을 장입하고, 상기 기준 전극에 -30 내지 -80mV의 직류전압을 인가하여 수행되는 산화구리막 형성 방법
10	10 구리질산염 수용액 및 HMTA를 포함하는 수용액을 교반하여 전기화학증착 수용액을 제조하는 단계; 및 상기 전기화학 증착 수용액에 직류 전압을 가해, 상기 HMTA로부터 형성된 착물을 이용하여 산화구리막을 형성하는 단계 를 포함하는 산화구리막 형성 방법
11	11 제 1 항에 있어서, 상기 산화구리막 형성 단계 전에, 제조된 상기 전기화학증착 수용액을 80 내지 90℃의 온도에서, 100rpm 이상의 속도로 5분 이상 교반하는 단계 를 더 포함하는 산화구리막 형성 방법
12	12 제 10 항에 있어서, 상기 산화구리막 형성 단계는, 상기 HMTA로부터 착물이 형성되는 단계; 상기 착물이 분해되어 구리 이온이 형성되는 단계; 및 상기 구리 이온의 축합 반응에 의해 산화구리막이 형성되는 단계 를 포함하는 산화구리막 형성 방법
13	13 제 12 항에 있어서, 상기 착물 형성 단계는, 상기 HMTA가 분해되어 구리암모늄 착물([Cu(NH3)4(H2O)]2+) 또는 암모늄수산화착물((NH4)+OH-)을 형성하는 산화구리막 형성 방법
14	14 제 12 항에 있어서, 상기 착물 형성 단계는, 상기 HMTA가 미분해 또는 부분 분해되어 (CH2)6N4-H+ 착물 또는 [Cu((CH2)6N4)]2+착물을 형성하는 산화구리막 형성 방법
15	15 제 10 항에 있어서, 상기 구리질산염 수용액의 농도는, 20mM 이상인 산화구리막 형성 방법
16	16 제 10 항에 있어서, 상기 HMTA 수용액의 농도는, 20mM 이상인 산화구리막 형성 방법
17	17 제 10 항에 있어서, 상기 전기화학증착 수용액의 농도는 20mM 이상인 산화구리막 형성 방법

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-1069738-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20090317 출원 번호 : 1020090022569 공고 연월일 : 20111005 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20110926 청구범위의 항수 : 16 유별 : C25D 3/38 발명의 명칭 : 산화구리 형성 방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 건국대학교 산학협력단 서울특별시 광진구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	334,500 원	2011년 09월 28일	납입
제 4 년분	금 액	274,400 원	2014년 09월 26일	납입
제 5 년분	금 액	274,400 원	2015년 07월 24일	납입
제 6 년분	금 액	274,400 원	2016년 09월 27일	납입
제 7 년분	금 액	510,460 원	2017년 10월 24일	납입
제 8 년분	금 액	354,000 원	2018년 09월 03일	납입
제 9 년분	금 액	354,000 원	2019년 09월 23일	납입
제 10 년분	금 액	560,000 원	2020년 07월 16일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2009.03.17	수리 (Accepted)	1-1-2009-0160430-41
2	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2009.10.12	수리 (Accepted)	1-1-2009-0624591-33
3	선행기술조사의뢰서	2010.11.09	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	선행기술조사보고서	2010.12.16	수리 (Accepted)	9-1-2010-0077174-09
5	의견제출통지서	2011.03.22	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2011-0157616-60
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2011.05.20	수리 (Accepted)	1-1-2011-0378764-34
7	[명세서등 보정]보정서	2011.05.20	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2011-0378760-52
8	등록결정서	2011.09.26	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2011-0545824-06
9	출원인정보변경(경정)신고서	2012.06.01	수리 (Accepted)	4-1-2012-5116974-69


기술번호	KST2014030586
자료제공기관	NTB
기술공급기관	건국대학교
기술명	산화구리 형성 방법
기술개요	본 기술은 전기화학증착법에 의해 산화구리를 형성하는 방법에 관한 것이다. 본 기술은 산화구리 형성 방법에 있어서, 구리를 포함하는 수용액 및 착물 형성용 시료를 포함하는 수용액을 교반하여 전기화학증착 수용액을 제조하는 단계; 및 상기 전기화학 증착 수용액에 직류 전압을 가해, 상기 시료로부터 형성된 착물을 이용하여 산화구리막을 형성하는 단계를 포함한다. 본 기술에 따르면, 착물을 이용한 전기화학증착 방식에 의해 산화구리막을 형성함으로써, 표면이 매끄럽고 결정 방위 배열이 일정한 산화구리 박막을 형성할 수 있다. 특히, 착물을 이용하는 함으로써, 저온에서 단결정 선화구리막을 형성할 수 있으므로, 제조 단가를 낮추고, 공정을 더욱 용이하게 수행할 수 있다. 산화구리, 착물, HMTA
개발상태	기술개발완료
기술의 우수성
응용분야	태양전지, 센서, 촉매, 배터리 전극, 반도체 제조공정
시장규모 및 동향
희망거래유형	기술매매,라이센스,기술협력,기술지도,
사업화적용실적
도입시고려사항


과제고유번호	1345086711
세부과제번호	R31-2008-000-10057-0
연구과제명	양자상및소자전공인력양성및세계적선도연구그룹구축
성과구분	출원
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	교육과학기술부
연구주관기관명	건국대학교
성과제출연도	2008
연구기간	200812~201308
기여율	0.2
연구개발단계명	기초연구
6T분류명


과제고유번호	1345100274
세부과제번호	2008-0060004
연구과제명	산화물분자메모리
성과구분	출원
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국연구재단
연구주관기관명	건국대학교
성과제출연도	2009
연구기간	200806~201305
기여율	0.2
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	NT(나노기술)


과제고유번호	1345101337
세부과제번호	2008-2002557
연구과제명	3차원고속고집적메모리용상변화및저항변화나노소재및단위소자구조개발
성과구분	출원
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국연구재단
연구주관기관명	건국대학교
성과제출연도	2009
연구기간	200806~201105
기여율	0.2
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	NT(나노기술)


과제고유번호	1345102268
세부과제번호	2008-0062164
연구과제명	양자메타물질의응용
성과구분	출원
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국연구재단
연구주관기관명	이화여자대학교
성과제출연도	2009
연구기간	200809~201502
기여율	0.2
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	NT(나노기술)


과제고유번호	1345109766
세부과제번호	314-2008-1-C00111
연구과제명	Graphene의밴드구조제어연구
성과구분	출원
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국연구재단
연구주관기관명	건국대학교
성과제출연도	2009
연구기간	200807~201106
기여율	0.2
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	NT(나노기술)

특허성과

[1020100059936]	십자형 그래핀 이종 접합구조체 및 그 제작 방법	새창보기
[1020090116250]	나노입자 어셈블리 기반의 스위칭 소자 및 이의 제조 방법	새창보기
[1020090022569]	산화구리 형성 방법	새창보기
[1020090013716]	탄소나노튜브를 포함하는 메모리셀	새창보기

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