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1
제1 금속층;
상기 제1 금속층 상에 형성된 유전체층; 및
상기 유전체층 상에 형성되는 제2 금속층을 포함하되,
상기 제2 금속층의 상부, 하부 또는 측면부 중 적어도 하나의 위치에 금속 브래그 그레이팅 구조가 돌출 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 폴라리톤 브래그 그레이팅 소자
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2
제1항에 있어서,
상기 제1 금속층 또는 제2 금속층은 귀금속 또는 천이금속 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 폴라리톤 브래그 그레이팅 소자
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3
제1항에 있어서,
상기 유전체층은 실리콘(Si), 석영(SiO2) 또는 폴리머(Polymer) 중 어느 하나의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 폴라리톤 브래그 그레이팅 소자
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4
제1 금속층;
상기 제1 금속층 상에 형성된 유전체층; 및
상기 유전체층 상에 형성되는 제2 금속층을 포함하되,
상기 제2 금속층 상부에 상기 유전체층을 구성하는 유전체와 굴절률이 다른 유전체로 형성되는 브래그 그레이팅 구조가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 폴라리톤 브래그 그레이팅 소자
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5
제4항에 있어서,
상기 유전체 층 내부에 형성되어 있는 브래그 그레이팅 구조의 일 측면은,
상기 제1 금속층과 제2 금속층과 접하도록 형성되는 것을 특징으로 하는 표면 플라즈몬 폴라리톤 브래그 그레이팅 소자
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6
나노 플라즈모닉 집적 회로 모듈에 있어서,
광 도파로로부터 입력받은 광 신호를 집속하고, 이를 표면 플라즈모닉 폴라리톤 신호로 변환하고 이를 수 내지 수십 마이크론 크기로 집속하는 입력 이중금속테이퍼(Taper);
상기 집속된 표면 플라즈몬 플라리톤 신호를 전송하는 이중 도파로 소자; 및
상기 이중 도파로 소자로 전송된 표면 플라즈모닉 폴라리톤 신호로 탈집속하고 광 신호로 변환하여 출력하는 출력 이중금속테이퍼를 포함하되,
상기 이중 도파로 소자는,
제1 금속층;
상기 제1 금속층 상에 형성된 유전체층; 및
상기 유전체층 상에 형성되는 제2 금속층을 포함하되,
상기 제2 금속층의 상부, 하부 또는 측면부 중 적어도 하나의 위치에 브래그 그레이팅 구조가 돌출 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 나노 플라즈모닉 집적 회로 모듈
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7
제6항에 있어서,
상기 제1 금속층 또는 제2 금속층은 귀금속 또는 천이금속 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노 플라즈모닉 집적 회로 모듈
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8
제6항에 있어서,
상기 유전체층은 실리콘(Si), 석영(SiO2), 폴리머(Polymer) 중 어느 하나의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노 플라즈모닉 집적 회로 모듈
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9
나노 플라즈모닉 집적 회로 모듈에 있어서,
광 도파로로부터 입력받은 광 신호를 집속하고, 이를 표면 플라즈모닉 폴라리톤 신호로 변환하고 이를 수 내지 수십 마이크론 크기로 집속하는 입력 이중금속테이퍼(Taper);
상기 집속된 표면 플라즈몬 플라리톤 신호를 전송하는 이중 도파로 소자; 및
상기 이중 도파로 소자로 전송된 표면 플라즈모닉 폴라리톤 신호로 탈집속하고 광 신호로 변환하여 출력하는 출력 이중금속테이퍼를 포함하되,
상기 이중 도파로 소자는,
제1 금속층;
상기 제1 금속층 상에 형성된 유전체층; 및
상기 유전체층 상에 형성되는 제2 금속층을 포함하되,
상기 제2 금속층 상부에 상기 유전체층을 구성하는 유전체와 굴절률이 다른 유전체로 형성되는 브래그 그레이팅 구조가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 나노 플라즈모닉 집적 회로 모듈
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10
제9항에 있어서,
상기 제1 금속층 또는 제2 금속층은 귀금속 또는 천이금속 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노 플라즈모닉 집적 회로 모듈
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11
제9항에 있어서,
상기 유전체층은 실리콘(Si), 석영(SiO2), 폴리머(Polymer) 중 어느 하나의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노 플라즈모닉 집적 회로 모듈
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