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반도체 기판을 준비하는 것;상기 반도체 기판 상에 높은 지르코늄 함유량을 지닌 지르코늄 산화막(ZrOX)을 형성하는 것; 그리고상기 지르코늄 산화막(ZrOX) 상에 게이트 전극을 형성하는 것을 포함하되,상기 지르코늄 산화막(ZrOX)에서 0＜X＜2인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 형성방법
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반도체 기판을 준비하는 것;상기 반도체 기판 상에 높은 지르코늄 함유량을 지닌 지르코늄 산화막(ZrOX)을 형성하는 것; 그리고상기 지르코늄 산화막(ZrOX) 상에 게이트 전극을 형성하는 것을 포함하되,상기 지르코늄 산화막(ZrOX)을 형성하는 것은:지르코늄 산화막(ZrO2)과 상기 지르코늄 산화막(ZrO2) 내에 분산된 지르코늄 나노 파티클을 동시에 형성하는 것을 포함하는 비휘발성 메모리 소자의 형성방법
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반도체 기판을 준비하는 것;상기 반도체 기판 상에 높은 지르코늄 함유량을 지닌 지르코늄 산화막(ZrOX)을 형성하는 것; 그리고상기 지르코늄 산화막(ZrOX) 상에 게이트 전극을 형성하는 것을 포함하되,상기 지르코늄 산화막(ZrOX)은 아르곤(Ar) 가스와 산소 가스를 이용하는 반응성 스퍼터링 방법으로 형성되는 비휘발성 메모리 소자의 형성방법
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청구항 4에 있어서,산소 가스의 분압은 5%~30%인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 형성방법
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청구항 5에 있어서,산소 가스의 분압은 10%인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 형성방법
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도전 영역을 갖는 반도체 기판;상기 반도체 기판 상의 높은 지르코늄 함유량을 가진 지르코늄 산화막(ZrOX); 및상기 지르코늄 산화막(ZrOX) 상의 게이트 전극을 포함하되,상기 지르코늄 산화막(ZrOX)에서 0＜X＜2인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
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도전 영역을 갖는 반도체 기판;상기 반도체 기판 상의 높은 지르코늄 함유량을 가진 지르코늄 산화막(ZrOX); 및상기 지르코늄 산화막(ZrOX) 상의 게이트 전극을 포함하되,상기 지르코늄 산화막(ZrOX)은 지르코늄 산화막(ZrO2) 내에 지르코늄 나노 파티클이 분산되어 있는 구조를 가지는 비휘발성 메모리 소자
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