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글라스(100) 상층에 ZnO 박막층, 상기 ZnO에 Al이나 B가 도핑된 AZO 박막층 및 BZO 박막층 중에 어느 하나로 이루어진 윈도우층(200)을 형성시키고, 상기 윈도우층(200)에 플라즈마 처리 공정을 수행하는 제1단계와;
상기 플라즈마 처리된 윈도우층(200) 상층에 ZnO 나노막대층(300)을 형성시키는 제2단계와;
상기 ZnO 나노막대층(300)의 ZnO 나노막대를 따라 버퍼층(400)을 형성시키는 제3단계와;
상기 버퍼층(400) 상층에 광흡수층(500)을 형성시키는 제4단계와;
상기 광흡수층(500) 상층에 전극층(600)을 형성시키는 제5단계와;
상기 전극층(600) 상층에 기판(700)을 형성시키는 제6단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대를 이용한 화합물 태양전지의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 윈도우층(200)은,
RF 스파터링법(sputtering), 리액티브 스파터링법(reactive sputtering), 그리고 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법 중에 어느 하나의 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대를 이용한 화합물 태양전지의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 ZnO 나노막대층(300)은,
튜브 퍼니스를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대를 이용한 화합물 태양전지의 제조방법
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제 5항에 있어서, 상기 ZnO 나노막대층(300)의 형성 후에,
상기 ZnO 나노막대층(300)의 플라즈마 처리 공정이 더 이루어지는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대를 이용한 화합물 태양전지의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 버퍼층(400)은,
ZnS, CdS, ZnSe, InS, InOOH 및 ZnOOH 중의 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대를 이용한 화합물 태양전지의 제조방법
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제 7항에 있어서, 상기 버퍼층(400)은,
CBD(Chemical Bath Deposition)법 또는 RF 스파터링법에 의해 형성되는 것을 특징으로하는 ZnO 나노막대를 이용한 화합물 태양전지의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 광흡수층(500)은,
CIS 또는 CIGS인 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대를 이용한 화합물 태양전지의 제조방법
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제 9항에 있어서, 상기 광흡수층(500)은,
이배퍼레이션법(evaporation) 및 RF 스파터링법(sputtering), 전기증착법(electrodeposition)에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대를 이용한 화합물 태양전지의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 전극층(600)은,
Mo, Ni, Au, Al 및 Cu 중에 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대를 이용한 화합물 태양전지의 제조방법
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제 11항에 있어서, 상기 전극층(600)은,
DC 스파터링법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대를 이용한 화합물 태양전지의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 기판(700)은,
글라스(glass), 구리판(Cu plate), 구리 테이프(Cu tape), 세라믹 기판(700) 및 서스판(SUS plate) 중에 어느 하나를 상기 전극층(600) 상부에 본딩하여 형성시키거나, 폴리머를 상기 전극층(600) 상층에 코팅하여 형성시키는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대를 이용한 화합물 태양전지의 제조방법
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제 1항, 제 3항 및 제 5항 내지 제 13항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 제6단계 이후에 상기 제1단계의 글라스(100)를 제거시키는 공정이 더 추가되는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대를 이용한 화합물 태양전지의 제조방법
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글라스(100)와;
상기 글라스(100) 상층에 형성되며, 플라즈마 처리된 윈도우층(200)과;
상기 윈도우층(200) 상층에 형성되는 ZnO 나노막대층(300)과;
상기 ZnO 나노막대층(300)의 ZnO 나노막대를 따라 형성된 버퍼층(400)과;
상기 버퍼층(400) 상층에 형성된 광흡수층(500)과;
상기 광흡수층(500) 상층에 형성된 전극층(600)과;
상기 전극층(600) 상층에 형성된 기판(700);을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대를 이용한 화합물 태양전지
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제 16항에 있어서, 상기 윈도우층(200)은,
ZnO 박막층, 상기 ZnO에 Al이나 B가 도핑된 AZO 박막층 및 BZO 박막층 중에 어느 하나인 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대를 이용한 화합물 태양전지
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제 16항에 있어서, 상기 ZnO 나노막대층(300)은 플라즈마 처리된 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대를 이용한 화합물 태양전지
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제 16항에 있어서, 상기 버퍼층(400)은,
ZnS, CdS, ZnSe, InS, InOOH 및 ZnOOH 중의 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대를 이용한 화합물 태양전지
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제 16항에 있어서, 상기 광흡수층(500)은,
CIS 또는 CIGS인 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대를 이용한 화합물 태양전지
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제 16항에 있어서, 상기 전극층(600)은,
Mo, Ni, Au, Al 및 Cu 중에 어느 하나를 사용하는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대를 이용한 화합물 태양전지
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제 16항에 있어서, 상기 기판(700)은,
글라스(glass), 구리판(Cu plate) 및 서스판(SUS plate) 중에 어느 하나를 상기 전극층(600) 상부에 본딩하여 형성되거나, 폴리머를 상기 전극층(600) 상층에 코팅하여 형성되는 것을 특징으로 하는 ZnO 나노막대를 이용한 화합물 태양전지
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