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기판;
상기 기판의 상부에 형성되어 입력광에 의한 전류의 생성 및 증폭이 이루어지는 활성층;
상기 활성층 보다 더 깊게 형성되고, 전기적 절연 및 광반사 기능을 갖는 물질로 내부가 매립되어, 인접한 마이크로픽셀 간의 누화를 억제하는 트렌치;
상기 활성층의 상부면에 각각 형성된 애노드 전극 및 캐소드 전극; 및
상기 활성층의 애노드 전극 및 캐소드 전극이 형성되지 않은 나머지 상부면에 형성된 절연층을 포함하는 실리콘 포토멀티플라이어
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제1항에 있어서, 상기 활성층은,
상기 기판 위에 상기 기판과 같은 타입의 불순물을 낮은 에너지로 이온 주입한 후, 그 위에 에피층을 형성함에 의해 이루어진 매몰층을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 포토멀티플라이어
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제1항에 있어서,
상기 트렌치의 내부의 매립 물질은, 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 및 폴리 실리콘막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 포토멀티플라이어
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제1항에 있어서,
상기 절연층은, 실리콘 산화막인 것을 특징으로 하는 실리콘 포토멀티플라이어
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기판위에 활성층을 형성하는 단계;
인접한 마이크로픽셀의 경계부에서 깊이 방향으로 상기 활성층에서 기판까지 식각하여 트렌치를 형성하는 단계;
전기적 절연 및 광학적 반사 기능을 갖는 하나 이상의 물질로 상기 트렌치의 내부를 매립하는 단계;
상기 트렌치에 의해 격리된 활성층의 상부에 애노드 전극 및 캐소드 전극을 형성하는 단계; 및
상기 애노드 전극 및 캐소드 전극이 형성되지 않은 활성층의 상부면에 절연층을 형성하는 단계를 포함하는 실리콘 포토멀티플라이어의 제조 방법
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제5항에 있어서, 활성층을 형성하는 단계는
상기 기판 상부에서 상기 기판과 같은 타입의 불순물을 낮은 에너지로 이온주입한 후 에피층의 형성을 통해 매몰층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 포토멀티플라이어의 제조 방법
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제5항에 있어서, 상기 트렌치의 내부를 매립하는 단계는,
상기 트렌치의 표면에 절연막과, 반사막을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 실리콘 포토멀티플라이어의 제조 방법
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제7항에 있어서,
상기 절연막은 실리콘 산화막으로 이루어지고, 상기 반사막은 실리콘 질화막 및 폴리 실리콘막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 포토멀티플라이어의 제조 방법
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제7항에 있어서, 상기 트렌치의 내부를 매립하는 단계는,
상기 활성층의 상부면에 존재하는 상기 절연막과 반사막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 포토멀티플라이어의 제조 방법
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제5항에 있어서,
캐소드 전극과 활성층의 옴 접촉을 위하여, 상기 활성층의 상부면중 상기 캐소드 전극이 형성될 부분에 상기 기판과 같은 타입의 불순물을 이온 주입하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 포토멀티플라이어의 제조 방법
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제5항에 있어서,
상기 애노드 전극을 형성하기 전에, 상기 애노드 전극과 접하는 상기 활성층의 상부 영역에 상기 기판과 다른 타입의 불순물을 이온주입하여 반송자를 만들어 내는 접합부를 형성하는 단계를 더 포함하는 실리콘 포토멀티플라이어의 제조 방법
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12
제5항에 있어서,
상기 절연층은 실리콘 산화막인 것을 특징으로 하는 실리콘 포토멀티플라이어의 제조 방법
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