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1
유체 내의 특정 작용기에 반응하는 반응 물질층,
절연층의 상하에 위치한 제1 전극과 제2 전극을 포함하며, 상기 반응 물질층하부에 상기 제1 전극이 형성되어 있는 검출 커패시터, 그리고
상기 검출 커패시터의 상기 제1 전극과 연결되어 있는 게이트 전극을 포함하는 전계 효과 트랜지스터
를 포함하며,
상기 반응 물질층은 전도성 물질로 이루어지며 표면적을 넓히기 위한 입체 구조를 갖는
검출 소자
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| 2 |
2
제1항에 있어서,
상기 제2 전극은,
상기 전계 효과 트랜지스터의 소스 전극과 전도적으로 연결되며, 상기 전계효과 트랜지스터의 기판보다 전도성이 높은 전도성 물질로 형성되는
검출 소자
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3
제2항에 있어서,
상기 제1 전극은,
상기 게이트 전극과 동일한 물질로 형성되는
검출 소자
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4
제1항에 있어서,
상기 검출 커패시터의 절연층 두께가 상기 전계효과 트랜지스터의 게이트 절연층보다 더 두꺼운
검출 소자
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5
제4항에 있어서,
상기 검출 커패시터의 커패시턴스가, 상기 전계효과 트랜지스터의 게이트 커패시턴스의 1/5보다 작은
검출 소자
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6
제1항에 있어서,
상기 전계효과 트랜지스터는
상기 게이트 전극의 전하량의 변화에 의해 전류가 흐르는 소스/드레인 전극,
상기 소스/드레인 전극 및 채널을 덮으며 형성되는 게이트 절연층, 그리고
상기 게이트 절연층 위에 형성되며, 상기 검출 커패시터의 일전극과 연결되어 있는 상기 게이트 전극
을 포함하는
검출 소자
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7
제1항에 있어서,
상기 입체 구조는 망사형 또는 기둥형인
검출 소자
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8
제7항에 있어서,
상기 전도성 물질로 이루어지며 입체 구조를 갖는 반응 물질층은 망사형의 금속 나노 와이어 구조물로 형성되는
검출 소자
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9
제1항에 있어서,
상기 검출 커패시터의 절연층은 검출하려는 유체를 내부로 이동시키는 평판 형태를 가지며,
상기 제1 전극은 상기 절연층의 상부로 접하는 평판 형태를 가지며,
상기 제2 전극은 상기 절연층의 하부로 접하는 평판 형태를 가지며,
상기 전도성 물질로 이루어지며 입체 구조를 갖는 반응 물질층은 상기 제1 전극의 상부에 위치하는
검출 소자
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10
제9항에 있어서,
상기 검출 커패시터의 절연층은 고분자 합성수지 혹은 유리로 이루어지며,
상기 제1 전극 및 제2 전극은 금속으로 이루어지는
검출 소자
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11
제1항에 있어서,
상기 검출 커패시터의 절연층은 검출하려는 유체를 내부로 이동시키는 도관 형태를 가지며,
상기 제1 전극은 상기 절연층의 안쪽으로 접하는 도관 형태를 가지며,
상기 제2 전극은 상기 절연층의 바깥쪽으로 접하는 도관 형태를 가지며,
상기 전도성 물질로 이루어지며 입체 구조를 갖는 반응 물질층은 상기 제1 전극의 안쪽에 위치하는
검출 소자
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12
제11항에 있어서,
상기 검출 커패시터의 절연층은 고분자 합성수지로 이루어지며,
상기 제1 전극 및 제2 전극은 금속으로 이루어지는
검출 소자
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