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저항성 재질을 이용한 공진형 전자파 흡수체

  • 기술번호 : KST2014031629
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 저항성 재질을 이용한 공진형 전자파 흡수체가 개시된다. 본 발명은 금속 도체층으로 형성된 접지층과 접지층 상에 형성된 유전체층, 그리고 유전체층 상에 형성된 저항성 재질로 이루어진 단위셀 패턴을 포함하는 둘 이상의 단위셀이 주기적으로 배열되어 있는 전자파 흡수체에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 일반적인 전자파 흡수체에 비해 제조 과정이 간단하고, 흡수 주파수 대역 및 흡수 특성을 쉽게 조정할 수 있다. 게다가, 기존의 평판형 공진형 전자파 흡수체에 비해 더 얇은 두께로 제작이 가능한 효과가 있다. 전자파 흡수체, 공진 주파수, 대역폭, 저항성 재질, 단위셀, 주기
Int. CL H05K 9/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020080044515 (2008.05.14)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1042601-0000 (2011.06.13)
공개번호/일자 10-2009-0118617 (2009.11.18) 문서열기
공고번호/일자 (20110620) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.05.14)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 심동욱 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구
2 권종화 대한민국 대전광역시 유성구
3 곽상일 대한민국 서울특별시 강동구
4 최형도 대한민국 서울특별시 동대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장성구 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))
2 김원준 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.05.14 수리 (Accepted) 1-1-2008-0341572-26
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.07.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0441114-97
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.10.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.11.13 수리 (Accepted) 9-1-2009-0062706-24
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.04.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0167114-07
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2010-0400779-46
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.06.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0400780-93
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2010.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0492401-30
10 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2010.11.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2010-0048411-98
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.01.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0000933-92
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.02.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0125616-29
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0125617-75
14 등록결정서
Decision to grant		 2011.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0297591-56
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
금속 도체층으로 형성된 접지층; 상기 접지층 상에 형성된 유전체층; 및 상기 유전체층 상에 형성된 저항성 재질로 이루어진 단위셀 패턴을 포함하고, 상기 단위셀 패턴은 정사각형 형태의 기본 패치와 상기 단위셀 패턴의 각 변의 중앙에 위치한 반 직교 다이폴 패치를 포함하고, 상기 기본 패치는 상기 정사각형의 각 변 중앙에 직사각형 형상의 패임부가 형성되어 있고, 상기 반 직교 다이폴 패치는 상기 기본패치의 패임부와 일정한 간격을 두고 삽입되는 삽입부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전자파 흡수체
3 3
제 2항에 있어서, 상기 기본 패치와 상기 반 직교 다이폴 패치의 전기적 특성을 결정하는 구조 파라미터; 상기 기본 패치와 상기 반 직교다이폴 패치의 간격; 상기 금속 도체층으로부터 상기 단위셀 패턴까지의 높이; 유전체의 특성 값; 및 상기 단위셀 패턴의 표면 저항 값 을 조절하여 상기 전자파 흡수체의 공진 주파수 및 대역폭을 조절할 수 있는 전자파 흡수체
4 4
금속 도체층으로 형성된 접지층; 상기 접지층 상에 형성된 유전체층; 및 상기 유전체층 상에 형성된 저항성 재질로 이루어진 단위셀 패턴을 포함하고, 상기 단위셀 패턴은 정사각형 형태의 기본 패치와 상기 단위셀 패턴의 각 변의 중앙에 위치한 반 직교 다이폴 패치를 포함하고, 상기 기본 패치는 상기 정사각형의 각 변 중앙에 직사각형 형상의 패임부가 형성되어 있고, 상기 기본 패치의 중앙에 사각형 형상의 제1슬롯이 형성되어 있으며, 상기 반 직교 다이폴 패치는 상기 기본패치의 패임부와 일정한 간격을 두고 삽입되는 삽입부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전자파 흡수체
5 5
제 4항에 있어서, 상기 기본 패치와 상기 반 직교 다이폴 패치의 전기적 특성을 결정하는 구조 파라미터; 상기 기본 패치와 상기 반 직교다이폴 패치의 간격; 상기 금속 도체층으로부터 상기 단위셀 패턴까지의 높이; 유전체의 특성 값; 상기 단위셀 패턴의 표면 저항 값; 및 상기 제 1슬롯의 크기 를 조절하여 상기 전자파 흡수체의 공진 주파수 및 대역폭을 조절할 수 있는 전자파 흡수체
6 6
금속 도체층으로 형성된 접지층; 상기 접지층 상에 형성된 유전체층; 및 상기 유전체층 상에 형성된 저항성 재질로 이루어진 단위셀 패턴을 포함하고, 상기 단위셀 패턴은 정사각형 형태의 기본 패치와 상기 단위셀 패턴의 각 변의 중앙에 위치한 반 직교 다이폴 패치를 포함하고, 상기 기본 패치는 상기 정사각형의 각 변 중앙에 직사각형 형상의 패임부가 형성되어 있고, 상기 기본 패치의 중앙에 사각형 형상의 제1슬롯이 형성되어 있으며, 상기 기본패치에 정사각형 구조를 가진 4개의 제2슬롯이 설치되되, 상기 제2슬롯 각각은 상기 제1슬롯의 모서리 부위에 형성되며, 상기 제1슬롯의 모서리와 상기 제2슬롯의 모서리가 한 점을 공유하여 형성되고, 상기 반 직교 다이폴 패치는 상기 기본패치의 패임부와 일정한 간격을 두고 삽입되는 삽입부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전자파 흡수체
7 7
제 6항에 있어서, 상기 기본 패치와 상기 반 직교 다이폴 패치의 전기적 특성을 결정하는 구조 파라미터; 상기 기본 패치와 상기 반 직교다이폴 패치의 간격; 상기 금속 도체층으로부터 상기 단위셀 패턴까지의 높이; 유전체의 특성 값; 상기 단위셀 패턴의 표면 저항 값; 상기 제 1슬롯의 크기; 및 상기 제 2슬롯의 한 변의 길이 를 조절하여 상기 전자파 흡수체의 공진 주파수 및 대역폭을 조절할 수 있는 전자파 흡수체
8 8
금속 도체층으로 형성된 접지층; 상기 접지층 상에 형성된 유전체층; 및 상기 유전체층 상에 형성된 저항성 재질로 이루어진 단위셀 패턴을 포함하고, 상기 단위셀 패턴은 정사각형 형태의 기본 패치와 상기 단위셀 패턴의 각 변의 중앙에 위치한 반 직교 다이폴 패치를 포함하고, 상기 기본 패치는 상기 정사각형의 각 변 중앙에 직사각형 형상의 패임부가 형성되어 있고, 상기 기본 패치의 중앙에 사각형 형상의 제1슬롯이 형성되어 있으며, 상기 기본패치에 정사각형 구조를 가진 4개의 제2슬롯이 설치되되, 상기 제2슬롯 각각은 상기 제1슬롯의 모서리 부위에 형성되며, 상기 제1슬롯의 모서리와 상기 제2슬롯의 모서리가 한 점을 공유하여 형성되고, 상기 반 직교 다이폴 패치는 상기 기본패치의 패임부와 일정한 간격을 두고 삽입되는 삽입부가 형성되어 있고, 상기 반 직교 다이폴 패치 상에 제3슬롯이 설치되는 것을 특징으로 하는 전자파 흡수체
9 9
제 8항에 있어서, 상기 제 3슬롯은 반 직교 다이폴와 동일한 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 전자파 흡수체
10 10
제 8항에 있어서, 상기 기본 패치와 상기 반 직교 다이폴 패치의 전기적 특성을 결정하는 구조 파라미터; 상기 기본 패치와 상기 반 직교다이폴 패치의 간격; 상기 금속 도체층으로부터 상기 단위셀 패턴까지의 높이; 유전체의 특성 값; 상기 단위셀 패턴의 표면 저항 값; 상기 제 1슬롯의 크기; 상기 제 2슬롯의 한 변의 길이; 및 상기 제 3슬롯의 크기 를 조절하여 상기 전자파 흡수체의 공진 주파수 및 대역폭을 조절할 수 있는 전자파 흡수체
11 11
제 2항 또는 제4항 또는 제 6항 또는 제 8항에 있어서, 상기 반 직교다이폴 패치와 상기 기본 패치가 각각 다른 표면 저항 값을 갖는 전자파 흡수체
12 12
제 2항 또는 제 4항 또는 제 6항 또는 제 8항에 있어서, 주기적으로 배열된 서로 인접한 상기 단위셀 패턴들이 서로 다른 표면 저항 값을 갖는 전자파 흡수체
13 13
제 3항 또는 제 5항 또는 제 7항 또는 제 10항에 있어서, 상기 구조 파라미터는 상기 단위셀 패턴의 한 변의 길이; 상기 반 직교 다이폴 패치가 상기 단위셀 패턴에 맞닿아 있는 변의 길이; 상기 반 직교 다이폴 패치에서 상기 기본 패치와 맞물려 있는 부분 중 상기 기본 패치와 평행한 방향인 변의 길이; 상기 기본 패치의 정사각형의 한 변의 길이; 상기 단위셀 패턴의 두께; 및 상기 반 직교 다이폴 패치에서 상기 단위셀 패턴의 한 변으로부터 수직한 높이 를 포함하는 전자파 흡수체
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 정보통신부 한국전자통신연구원 IT원천기술개발사업 전자파 기반 진단 및 방호기술 연구