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광전도체 기판;
상기 광전도체 기판 위에 적층된 광전도체 박막; 및
상기 광전도체 박막 위에 형성된 광전도 안테나 전극을 포함하고, 상기 광전도체 박막은 다결정 GaAs를 포함하는 광전도체 소자
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제1항에 있어서,
상기 광전도체 소자가 테라헤르츠파를 발생시키기 위해, 상기 광전도 안테나 전극에 바이어스 전압을 가하는 전압원을 더 포함하는 광전도체 소자
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제1항에 있어서,
상기 광전도체 소자가 테라헤르츠파를 검출하기 위해, 상기 광전도 안테나 전극에 흐르는 전류를 측정하는 전류계를 더 포함하는 광전도체 소자
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제1항에 있어서,
상기 광전도체 박막이 적층된 면에 대항되는 상기 광전도체 기판의 일면에 마련된 반구형의 렌즈를 더 포함하는 광전도체 소자
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제1항에 있어서,
상기 광전도체 기판은 사파이어 또는 고저항 실리콘을 사용하여 이루어진 광전도체 소자
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제1항에 있어서,
상기 광전도체 박막은 스퍼터 또는 유기금속 화학증착법에 의해 형성되는 광전도체 소자
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7
제1항에 있어서,
상기 광전도체 박막은 불순물을 도핑하지 않고 박막을 성장시킴으로써 형성되는 광전도체 소자
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8
광전도체 기판을 준비하는 단계;
상기 광전도체 기판 상에 다결정 GaAs를 포함하는 광전도체 박막을 적층하는 단계; 및
상기 광전도체 박막상에 광전도 안테나 전극을 형성하는 단계를 포함하는 광전도체 소자 제조 방법
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9
제8항에 있어서,
상기 광전도체 박막을 패터닝하는 단계; 및
상기 광전도체 박막이 적층된 상기 광전도체 기판을 소잉공정을 통해 절단하는 단계를 더 포함하는 광전도체 소자 제조 방법
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10
제8항에 있어서,
상기 광전도체 소자가 테라헤르츠파를 발생시키기 위해, 상기 광전도 안테나 전극에 바이어스 전압을 가하는 전압원을 형성하는 단계를 더 포함하는 광전도체 소자 제조 방법
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11
제8항에 있어서,
상기 광전도체 소자가 테라헤르츠파를 검출하기 위해, 상기 광전도 안테나 전극에 흐르는 전류를 측정하는 전류계를 형성하는 단계를 더 포함하는 광전도체 소자 제조 방법
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12
제8항에 있어서,
상기 광전도체 박막이 적층된 면에 대항되는 상기 광전도체 기판의 일면에 반구형의 렌즈를 형성하는 단계를 더 포함하는 광전도체 소자 제조 방법
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13
제8항에 있어서,
상기 광전도체 기판은 사파이어 또는 고저항 실리콘을 사용하여 이루어진 광전도체 소자 제조 방법
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14
제8항에 있어서,
상기 광전도체 박막을 스퍼터 또는 유기금속 화학증착법에 의해 형성하는 광전도체 소자 제조 방법
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제8항에 있어서,
상기 광전도체 박막을 불순물을 도핑하지 않고 박막을 성장시켜 형성하는 광전도체 소자 제조 방법
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