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투명 절연 기판;
상기 투명 절연 기판의 상부에 형성된 그리드형 하부 금속 전극;
n형 또는 p형의 산화물 반도체 물질로 구성된 반도체 나노섬유를 이용하여 상기 그리드형 하부 금속 전극의 상부에 형성된 고밀도 반도체 나노섬유 부직포층;
상기 반도체 나노섬유와 p-n 접합을 형성할 수 있는 투명 산화물 반도체 물질을 이용하여 상기 고밀도 반도체 나노섬유 부직포층의 상부에 형성된 투명 반도체막; 및
상기 투명 반도체막의 상부에 형성된 그리드형 상부 금속 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제 1항에 있어서,
상기 반도체 나노섬유와 상기 투명 반도체막에 사이에 p-n 접합이 형성되고, 상기 반도체 나노섬유의 비표면적 효과에 의해 p-n 접합의 표면적이 최대화되는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제 1항에 있어서,
상기 투명 절연 기판에 의해 양면으로 태양광의 입사가 가능한 것을 특징으로 하는 태양전지
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제 3항에 있어서,
상기 투명 절연 기판은 투명하면서 절연 특성을 갖는 산화알루미늄(Al2O3), 산화마그네슘(MgO), 스트론튬티탄산화물(SrTiO3) 및 석영(Quartz)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제 1항에 있어서,
상기 그리드형 하부 금속 전극은 백금(Pt)으로 형성되며,
상기 그리드형 상부 금속 전극은 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 크롬(Cr) 및 구리(Cu)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지
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(a) 투명 절연 기판의 상부에 그리드형 하부 금속 전극을 형성하는 단계;
(b) n형 또는 p형의 산화물 반도체 물질로 구성된 반도체 나노섬유를 이용하여 상기 그리드형 하부 금속 전극의 상부에 고밀도 반도체 나노섬유 부직포층(non-woven mat)을 형성하는 단계;
(c) 상기 반도체 나노섬유와 p-n 접합을 형성할 수 있는 투명 산화물 반도체 물질을 이용하여 상기 그리드형 하부 금속 전극과 상기 반도체 나노섬유를 덮는 형태로 투명 반도체막을 형성하는 단계; 및
(d) 상기 투명 반도체막의 상부에 그리드형 상부 금속 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조 방법
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제 6항에 있어서, 상기 (a) 단계에서,
투명하면서 절연 특성을 갖는 산화알루미늄(Al2O3), 산화마그네슘(MgO), 스트론튬티탄산화물(SrTiO3) 및 석영(Quartz)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 물질을 이용하여 상기 투명 절연 기판을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조 방법
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제 6항에 있어서, 상기 (b) 단계에서,
전기방사 공정을 이용하여 상기 그리드형 하부 금속 전극의 상부에 n형 또는 p형의 산화물 반도체 물질을 포함하는 산화물/폴리머 복합 나노섬유를 형성하는 제1 단계; 및
상기 산화물/폴리머 복합 나노섬유를 압접한 후 베이킹 및 하소 공정을 이용하여 반도체 나노섬유로 구성된 고밀도 반도체 나노섬유 부직포층(non-woven mat)을 형성하는 제2 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조 방법
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제 6항에 있어서, 상기 (c) 단계에서,
상기 반도체 나노섬유를 n형 산화물 반도체 물질로 형성한 경우 상기 투명 반도체막을 p형 산화물 반도체 물질로 형성하고, 상기 반도체 나노섬유를 p형 산화물 반도체 물질로 형성한 경우 상기 투명 반도체막을 n형 산화물 반도체 물질로 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조 방법
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