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반도체 기판에 비아 홀을 형성하는 단계와,상기 비아 홀의 내측벽에 절연막을 형성하는 단계와,상기 절연막이 형성된 상기 비아 홀의 내측벽과 상기 반도체 기판의 상부에 확산 방지막을 형성하는 단계와,상기 확산 방지막이 형성된 상기 반도체 기판 상에 전기적으로 하전된 금속 입자들이 분산되어 있는 용매를 배치하는 단계와,전기력 또는 자기력을 이용해 상기 금속 입자들을 이동시켜서 상기 비아 홀을 상기 금속 입자들로 충진하는 단계를 포함하며,상기 충진하는 단계는, 상기 반도체 기판과 상기 용매와의 사이에 전류의 흐름을 형성하는반도체 소자의 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 충진하는 단계는, 하전된 상기 금속 입자들과 같은 극성의 전압을 상기 확산 방지막과 상기 용매에 인가하며, 상기 반도체 기판의 하부에는 상기 금속 입자들과 반대 극성의 전압을 인가하는반도체 소자의 제조 방법
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제 3 항에 있어서,상기 충진하는 단계는, 상기 확산 방지막에 인가하는 전압의 크기와 상기 용매에 인가하는 전압의 크기를 다르게 하여 상기 충진을 용이하게 하는반도체 소자의 제조 방법
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반도체 기판에 비아 홀을 형성하는 단계와,상기 비아 홀의 내측벽에 절연막을 형성하는 단계와,상기 절연막이 형성된 상기 비아 홀의 내측벽과 상기 반도체 기판의 상부에 확산 방지막을 형성하는 단계와,상기 확산 방지막이 형성된 상기 반도체 기판 상에 전기적으로 하전된 금속 입자들이 분산되어 있는 용매를 배치하는 단계와,전기력 또는 자기력을 이용해 상기 금속 입자들을 이동시켜서 상기 비아 홀을 상기 금속 입자들로 충진하는 단계를 포함하며,상기 충진하는 단계는, 상기 반도체 기판과 상기 용매와의 사이에 전기장을 형성하는반도체 소자의 제조 방법
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반도체 기판에 비아 홀을 형성하는 단계와,상기 비아 홀의 내측벽에 절연막을 형성하는 단계와,상기 절연막이 형성된 상기 비아 홀의 내측벽과 상기 반도체 기판의 상부에 확산 방지막을 형성하는 단계와,상기 확산 방지막이 형성된 상기 반도체 기판 상에 전기적으로 하전된 금속 입자들이 분산되어 있는 용매를 배치하는 단계와,전기력 또는 자기력을 이용해 상기 금속 입자들을 이동시켜서 상기 비아 홀을 상기 금속 입자들로 충진하는 단계를 포함하며,상기 충진하는 단계는, 상기 반도체 기판과 상기 용매와의 사이에 자기장을 형성하는반도체 소자의 제조 방법
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제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,상기 충진하는 단계는, 상기 확산 방지막에 상기 금속 입자들과 같은 극성의 전압을 인가하는반도체 소자의 제조 방법
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반도체 기판에 비아 홀을 형성하는 단계와,상기 비아 홀의 내측벽에 절연막을 형성하는 단계와,상기 절연막이 형성된 상기 비아 홀의 내측벽과 상기 반도체 기판의 상부에 확산 방지막을 형성하는 단계와,상기 확산 방지막이 형성된 상기 반도체 기판 상에 전기적으로 하전된 금속 입자들이 분산되어 있는 용매를 배치하는 단계와,전기력 또는 자기력을 이용해 상기 금속 입자들을 이동시켜서 상기 비아 홀을 상기 금속 입자들로 충진하는 단계를 포함하며,상기 비아 홀을 형성하는 단계는, 심도 반응성 이온 식각(deep reactive ion etch) 공정을 이용하는반도체 소자의 제조 방법
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반도체 기판에 비아 홀을 형성하는 단계와,상기 비아 홀의 내측벽에 절연막을 형성하는 단계와,상기 절연막이 형성된 상기 비아 홀의 내측벽과 상기 반도체 기판의 상부에 확산 방지막을 형성하는 단계와,상기 확산 방지막이 형성된 상기 반도체 기판 상에 전기적으로 하전된 금속 입자들이 분산되어 있는 용매를 배치하는 단계와,전기력 또는 자기력을 이용해 상기 금속 입자들을 이동시켜서 상기 비아 홀을 상기 금속 입자들로 충진하는 단계를 포함하며,상기 절연막을 형성하는 단계는,상기 비아 홀이 형성된 상기 반도체 기판 상에 절연물질을 증착하는 단계와,상기 절연물질이 증착된 상기 반도체 기판을 전면 식각하여 상기 비아 홀의 저면에 상기 반도체 기판이 드러나게 하는 단계를 포함하는반도체 소자의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 절연물질을 증착하는 단계는, PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 공정을 이용하는반도체 소자의 제조 방법
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반도체 기판에 비아 홀을 형성하는 단계와,상기 비아 홀의 내측벽에 절연막을 형성하는 단계와,상기 절연막이 형성된 상기 비아 홀의 내측벽과 상기 반도체 기판의 상부에 확산 방지막을 형성하는 단계와,상기 확산 방지막이 형성된 상기 반도체 기판 상에 전기적으로 하전된 금속 입자들이 분산되어 있는 용매를 배치하는 단계와,전기력 또는 자기력을 이용해 상기 금속 입자들을 이동시켜서 상기 비아 홀을 상기 금속 입자들로 충진하는 단계를 포함하며,상기 용매를 배치하는 단계는, 마찰이나 플라즈마 차징(plasma charging) 또는 계면 첨가물을 이용하여 상기 금속 입자들을 하전시키는반도체 소자의 제조 방법
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반도체 기판에 비아 홀을 형성하는 단계와,상기 비아 홀의 내측벽에 절연막을 형성하는 단계와,상기 절연막이 형성된 상기 비아 홀의 내측벽과 상기 반도체 기판의 상부에 확산 방지막을 형성하는 단계와,상기 확산 방지막이 형성된 상기 반도체 기판 상에 전기적으로 하전된 금속 입자들이 분산되어 있는 용매를 배치하는 단계와,전기력 또는 자기력을 이용해 상기 금속 입자들을 이동시켜서 상기 비아 홀을 상기 금속 입자들로 충진하는 단계를 포함하며,상기 용매를 배치하는 단계는, 상기 용매에 계면활성제를 첨가하여 상기 분산을 용이하게 하는반도체 소자의 제조 방법
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