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산화 또는 질화되지 않은 비변형 고체표면만을 수소로 개질시키는 단계;수소로 개질된 비변형 고체표면에 광을 이용하여 EGPA 코팅막을 형성하는 단계; 상기 EGPA 코팅막의 아민 보호기 또는 아민염을 제거하여 EGA 코팅막을 형성하는 단계; 및상기 EGA 코팅막을 이용하여 상기 비변형 고체표면상에 광에 응답하는 작용기를 갖는 코팅막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비변형 고체표면을 선택적으로 광응답형 코팅막으로 개질하는 방법
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제 1 항에 있어서,상기 비변형 고체표면만을 수소로 개질시키는 단계는,상기 비변형 고체표면을 포함하는 기판을 30:1 BOE(Buffered oxide etch) 용액에 10 초간 침지시켜 상기 비변형 고체표면만을 수소로 개질시키는 것을 특징으로 하는 비변형 고체표면을 선택적으로 광응답형 코팅막으로 개질하는 방법
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제 1 항에 있어서,상기 EGPA 코팅막을 형성하는 단계는,상기 수소로 개질된 비변형 고체표면에 EGPA를 코팅하고 254 nm UV 빛을 조사하는 단계; 및에탄올(EtOH)에서 초음파처리를 하여 다중막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비변형 고체표면을 선택적으로 광응답형 코팅막으로 개질하는 방법
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제 3 항에 있어서,상기 EGPA는 알릴기, 에틸렌 글라이콜기 및 아민 보호기 또는 아민염을 포함하는 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 비변형 고체표면을 선택적으로 광응답형 코팅막으로 개질하는 방법
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제 1 항에 있어서,상기 EGA 코팅막을 형성하는 단계는,상기 EGPA 코팅막의 아민 보호기에 TFA(Trifluoroacetic acid)를 가하여 아미노기를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비변형 고체표면을 선택적으로 광응답형 코팅막으로 개질하는 방법
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제 1 항에 있어서,상기 EGA 코팅막을 형성하는 단계는,상기 EGPA 코팅막의 아민염을 증류수로 린스하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비변형 고체표면을 선택적으로 광응답형 코팅막으로 개질하는 방법
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제 1 항에 있어서,상기 광에 응답하는 작용기를 갖는 코팅막을 형성하는 단계는, 상기 비변형 고체표면을 포함하는 기판에 N-히드록시숙신이미드(N-hydroxysuccinimide)기 및 디아지린(diazirine)을 포함한 분자를 가하여 상기 비변형 고체표면을 디아지린으로 개질시키는 것을 특징으로 하는 비변형 고체표면을 선택적으로 광응답형 코팅막으로 개질하는 방법
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비변형 고체표면만을 선택적으로 광응답형 코팅막으로 개질하는 단계; 및상기 개질된 비변형 고체표면에 활성물질을 접촉시키고 광을 조사하여 상기 활성물질을 고정시키는 단계를 포함하며,상기 광응답형 코팅막으로 개질하는 단계는, 산화 또는 질화되지 않은 비변형 고체표면만을 수소로 개질시키는 단계;수소로 개질된 비변형 고체표면에 광을 이용하여 EGPA 코팅막을 형성하는 단계;상기 EGPA 코팅막의 아민 보호기 또는 아민염을 제거하여 EGA 코팅막을 형성하는 단계; 및상기 EGA 코팅막을 이용하여 상기 비변형 고체표면상에 광에 응답하는 작용기를 갖는 코팅막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광응답형 코팅막을 이용한 활성물질 고정화 방법
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제 9 항에 있어서,상기 광응답형 코팅막으로 개질하는 단계는,상기 비변형 고체표면만을 디아지린으로 개질시키는 것을 특징으로 하는 광응답형 코팅막을 이용한 활성물질 고정화 방법
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제 10 항에 있어서,상기 활성물질을 고정시키는 단계는,상기 디아지린으로 개질된 비변형 고체표면에 상기 활성물질을 접촉시키고 365 nm의 UV를 조사하여 상기 활성물질을 고정시키는 것을 특징으로 하는 광응답형 코팅막을 이용한 활성물질 고정화 방법
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제 9 항에 있어서,상기 활성물질은 바이오 물질, 기능성 물질, 나노 물질 및 고분자로 이루어진 그룹에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 광응답형 코팅막을 이용한 활성물질 고정화 방법
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