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하향변환 주파수 혼합기에 있어서,VDD 라인과 GND 라인 사이에 배치되고, RF(Radio Frequency) 신호를 입력받는 RF 입력부;상기 VDD 라인과 상기 GND 라인 사이에 배치되고, 내부 주파수 합성기(Frequency Synthesizer)로부터 LO(Local Oscillator) 신호를 입력받는 LO 입력부;상기 VDD 라인과 상기 GND 라인 사이에서 상기 RF 입력부와 병렬로 배치되고, 상기 입력된 RF 신호를 상기 LO 신호와 혼합하여 IF(Intermediate Frequency) 신호를 출력하는 IF 출력부;상기 VDD 라인과 상기 GND 라인을 통해 유입되는 노이즈에 영향을 받지 않고 일정한 전류를 생성하는, 전류 생성부; 및상기 VDD 라인과 상기 GND 라인을 통해, 상기 RF 입력부, 상기 LO 입력부, 및 상기 IF 출력부로 각각 유입되는 노이즈를 차단하는 노이즈 차단부를 포함하며,상기 노이즈 차단부는,상기 VDD 라인과 상기 RF 입력부 사이, 상기 VDD 라인과 상기 IF 출력부 사이, 상기 VDD 라인과 상기 LO 입력부 사이, 상기 GND 라인과 상기 RF 입력부 사이, 상기 GND 라인과 상기 IF 출력부 사이, 및 상기 GND 라인과 상기 LO 입력부 사이에 배치되고; 상기 전류 생성부에서 생성된 전류를 상기 RF 입력부, 상기 LO 입력부, 및 상기 IF 출력부로 공급하여, 상기 VDD 라인과 상기 GND 라인을 통해 유입되는 노이즈를 차단하는 것을 특징으로 하는, 주파수 혼합기
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제 1 항에 있어서,상기 RF 입력부는,상기 VDD 라인 노이즈 차단부의 2개의 전류원들 각각에 연결된 두 개의 PMOS 트랜지스터들이 차동쌍 구조를 형성하고, 상기 PMOS 트랜지스터들 각각의 드레인은 상기 GND 라인 노이즈 차단부의 두 전류원에 연결되고, 상기 LO 입력부의 트랜지스터의 소스와 병렬로 연결되고,상기 LO 입력부와 상기 IF 출력부는,상기 RF 입력부와 병렬로 연결된 상기 LO 입력부는 2개의 NMOS트랜지스터가 차동쌍 구조를 형성하고, 상기 NMOS 트랜지스터들 각각의 드레인은 더블 밸런스드 길버트 주파수 혼합기 구조와 같이 차동출력(IF+, IF-)인 상기 IF 출력단에 각각 연결되며, 상기 VDD 라인 노이즈 차단부의 2개의 전류원들 각각에 상기 IF 출력단이 연결되며, 병렬로 상기 IF 출력단의 IF+ 출력단과 IF- 출력단 사이에 부하 임피던스가 형성되어 코어 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는, 주파수 혼합기
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제 1 항에 있어서, 상기 전류 생성부는,밴드갭 회로로 구성된 것을 특징으로 하는, 주파수 혼합기
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제 1 항에 있어서,상기 VDD 라인과 상기 RF 입력부 사이에 배치된 노이즈 차단부의 복사 전류원 크기는, 상기 VDD 라인과 상기 IF 출력부 사이에 배치된 노이즈 차단부의 복사 전류원의 크기보다 큰 것을 특징으로 하는, 주파수 혼합기
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제 2 항에 있어서,상기 LO 입력부와 상기 RF 입력부의 입력단에 바이어스 전압을 제공하는, 바이어스부를 더 포함하며,상기 바이어스부는 상기 코어 구조의 반쪽구조로서, 리플리카(Replica) 바이어스 구조를 가지며, 상기 리플리카 바이어스 구조는 상기 코어 구조에서 사용된 트랜지스터들과 동일한 트랜지스터 사이즈를 가지며, 상기 코어 구조에서 사용된 트랜지스터들에 흐르는 전류와 동일한 전류가 흐르는 것을 특징으로 하는, 주파수 혼합기
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상향 변환 주파수 혼합기에 있어서,VDD 라인과 GND 라인 사이에 배치되고, IF(Intermediate Frequency) 신호를 입력받는 IF 입력부;상기 VDD 라인과 상기 GND 라인 사이에 배치되고, 내부 주파수 합성기(Frequency Synthesizer)로부터 LO(Local Oscillator) 신호를 입력받는 LO 입력부;상기 VDD 라인과 상기 GND 라인 사이에서 상기 IF 입력부와 병렬로 배치되고, 상기 입력된 IF 신호를 상기 LO 신호와 혼합하여 RF(Radio Frequency) 신호를 출력하는 RF 출력부;상기 VDD 라인과 상기 GND 라인을 통해 유입되는 노이즈에 영향을 받지 않고 일정한 전류를 생성하는, 전류 생성부; 및상기 VDD 라인과 상기 GND 라인을 통해, 상기 IF 입력부, 상기 LO 입력부, 및 상기 RF 출력부로 각각 유입되는 노이즈를 차단하는 노이즈 차단부를 포함하며;상기 노이즈 차단부는, 상기 VDD 라인과 상기 IF 입력부 사이, 상기 VDD 라인과 상기 RF 출력부 사이, 상기 VDD 라인과 상기 LO 입력부 사이, 상기 GND 라인과 상기 IF 입력부 사이, 상기 GND 라인과 상기 RF 출력부 사이, 및 상기 GND 라인과 상기 LO 입력부 사이에 배치되고; 상기 전류 생성부로부터 생성된 전류를 상기 IF 입력부, 상기 LO 입력부, 및 상기 RF 출력부에 공급하여, 상기 VDD 라인과 상기 GND 라인을 통해 유입되는 노이즈를 차단하는 것을 특징으로 하는 주파수 혼합기
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제 6 항에 있어서,상기 IF 입력부는,상기 VDD 라인 노이즈 차단부의 2개의 전류원들 각각에 연결된 두 개의 PMOS 트랜지스터들이 차동쌍 구조를 형성하고, 상기 PMOS 트랜지스터들 각각의 드레인은 상기 GND 라인 노이즈 차단부의 두 전류원에 연결되고 상기 LO 입력부의 트랜지스터의 소스와 병렬로 연결되고,상기 LO 입력부와 상기 RF 출력부는,상기 IF 입력부와 병렬로 연결된 LO 입력부는 2개의 NMOS트랜지스터 차동쌍 구조를 형성하고, 상기 NMOS 트랜지스터들 각각의 드레인은 더블 밸런스드 길버트 주파수 혼합기 구조와 같이 차동출력(RF+, RF-)인 상기 RF 출력단에 각각 연결되며, 상기 VDD 전원 노이즈 차단부의 2개의 전류원들 각각에 상기 RF 출력단이 연결되며, 병렬로 상기 RF 출력단의 RF+ 출력단과 RF- 출력단 사이에 부하 임피던스가 형성되어 코어 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 주파수 혼합기
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제 6 항에 있어서, 상기 전류 생성부는,밴드갭 회로로 구성된 것을 특징으로 하는, 주파수 혼합기
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제 6 항에 있어서,상기 VDD 라인과 상기 IF 입력부 사이에 배치된 노이즈 차단부의 복사 전류원 크기는, 상기 VDD 라인과 상기 IF 출력부 사이에 배치된 노이즈 차단부의 복사 전류원의 크기보다 큰 것을 특징으로 하는, 주파수 혼합기
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10
제 7 항에 있어서,상기 LO 입력부와 상기 IF 입력부의 입력단에 바이어스 전압을 제공하는, 바이어스부를 더 포함하며,상기 바이어스부는 상기 코어 구조의 반쪽구조로서, 리플리카(Replica) 바이어스 구조를 가지며, 상기 리플리카 바이어스 구조는 상기 코어 구조에서 사용된 트랜지스터들과 동일한 트랜지스터 사이즈를 가지며, 상기 코어 구조에서 사용된 트랜지스터들에 흐르는 전류와 동일한 전류가 흐르는 것을 특징으로 하는, 주파수 혼합기
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