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저전력소모형 반도체 가스 센서

  • 기술번호 : KST2014031999
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 저전력소모형 반도체 가스 센서의 구성 및 동작 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 가스 센서는, 상온 상태에서 저차원 반도체 나노 소재에 가스를 흡착시켜 저차원 반도체 나노 소재의 저항 변화를 출력하고, 히터에 전력을 가하여 상기 저차원 반도체 나노 소재에 흡착된 가스를 탈착시켜 상기 저차원 반도체 나노 소재를 초기 저항 상태로 만든다. 상술한 바와 같은 본 발명은, 상온에서도 고감도 특성을 갖는 저차원 반도체 나노 소재를 이용하여 상온에서 가스를 감지하고 흡착된 가스의 탈착시에만 히터를 구동함으로써 가스 감지 특성을 향상시키고 전력소모를 줄이거나 응답속도를 빠르게 할 수 있는 이점이 있다.
Int. CL G01N 27/12 (2006.01)
CPC G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01) G01N 27/12(2013.01)
출원번호/일자 1020100116063 (2010.11.22)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0066849 (2011.06.17) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020090123175   |   2009.12.11
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.11.22)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문승언 대한민국 대전광역시 유성구
2 박종혁 대한민국 대구광역시 동구
3 이재우 대한민국 대전광역시 유성구
4 이홍열 대한민국 충청북도 청주시 상당구
5 박강호 대한민국 대전광역시 유성구
6 김종대 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 문용호 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 ** 디타워 D* **층(법무법인세종)
2 이용우 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 ** 디타워 D* **층(법무법인세종)
3 강신섭 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 ** 디타워 D* **층(법무법인세종)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2010-0760274-45
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2013.10.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0900589-76
3 보정요구서
Request for Amendment		 2013.10.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0122861-46
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0953434-39
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.12.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0844324-38
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2014-0050445-96
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.01.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0050466-44
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2014.06.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0388059-04
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
상온 상태에서 저차원 반도체 나노 소재에 가스를 흡착시켜 저차원 반도체 나노 소재의 저항 변화를 출력하고, 히터에 전력을 가하여 상기 저차원 반도체 나노 소재에 흡착된 가스를 탈착시켜 상기 저차원 반도체 나노 소재를 초기 저항 상태로 만드는저전력소모형 반도체 가스 센서
2 2
제1항에 있어서,멤브레인; 상기 멤브레인의 하부에 위치하며 상기 멤브레인의 하부와 기판사이가 노출되도록 중앙 영역이 식각된 기판; 상기 멤브레인 상의 중앙 영역에 형성되며 상기 저차원 반도체 나노 소재에 흡착된 가스의 탈착 시 구동되는 히터; 상기 히터를 덮는 형태로 상기 멤브레인 상에 형성된 절연막; 상기 절연막 상의 중앙 영역에 형성된 감지 전극; 및상기 감지 전극 상에 형성된 상기 저차원 반도체 나노 소재를 포함하는 저전력소모형 반도체 가스 센서
3 3
제1항에 있어서,상기 저차원 반도체 나노 소재는 나노 분말(nano powder), 나노 선(nano wire), 나노 로드(nano rod), 탄소 나노 튜브(Carbon Nano Tube; CNT) 또는 그라핀(graphene)인저전력소모형 반도체 가스 센서
4 4
제1항에 있어서,상기 저차원 반도체 나노소재는, 솔-젤법, 드랍 코팅법, 스크린 프린팅법 또는 화학 기상 증착법에 의해 형성된 저전력소모형 반도체 가스 센서
5 5
제1항에 있어서,상기 멤브레인은,상기 히터의 가열시 발열에 의한 소자의 변형을 방지하는저전력소모형 반도체 가스 센서
6 6
제1항에 있어서,상기 멤브레인은, 산화 실리콘 박막 또는 질화 실리콘 박막으로 형성되거나, 산화 실리콘 박막 및 질화 실리콘 박막의 적층 구조로 형성된저전력소모형 반도체 가스 센서
7 7
제1항에 있어서,상기 멤브레인은, 산화 실리콘 박막 또는 질화 실리콘 박막의 단일 또는 다층 구조로 형성된저전력소모형 반도체 가스 센서
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20110138882 US 미국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2011138882 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국전자통신연구원 IT성장동력기술개발사업 유비쿼터스용 단말용 부품 모듈