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자기장을 이용한 탄소나노입자-고분자 복합체의 제조방법 및 이로부터 얻은 탄소나노입자-고분자 복합체

  • 기술번호 : KST2014032095
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 자기장을 이용한 탄소나노입자-고분자 복합체의 제조방법 및 이로부터 얻은 탄소나노입자-고분자 복합체에 관한 것이고, 본 발명에 따른 탄소나노입자-고분자 복합체의 제조방법은 자성을 띄는 금속나노입자를 포함하는 탄소나노입자 분산액과 고분자 용액을 혼합하여 복합체 제조 용액을 준비하는 단계; 상기 복합체 제조 용액에 자기장을 인가하여 탄소나노입자를 정렬 또는 편재시키는 단계, 및 상기 복합체 제조 용액을 중합 또는 건조시키는 단계를 포함한다. 이와 같은 방법으로 제조된 탄소나노입자-고분자 복합체는 동일한 박막에서 탄소나노입자의 농도 구배를 유발함으로써 표면의 전기 및 기계적 특성이 다른 고분자 막 혹은 패턴을 얻을 수 있고, 이로 인하여 전자 및 전기, 기계, 광학, 의료 등 광범위한 산업분야에 적용될 수 있다. 탄소나노입자 정렬, 나피온, 고분자 복합체, 고분자구동기
Int. CL C08J 3/00 (2006.01) C08K 7/18 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) C08K 3/04 (2006.01)
CPC C08K 3/04(2013.01) C08K 3/04(2013.01) C08K 3/04(2013.01) C08K 3/04(2013.01) C08K 3/04(2013.01) C08K 3/04(2013.01) C08K 3/04(2013.01) C08K 3/04(2013.01)
출원번호/일자 1020090094306 (2009.10.05)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0037055 (2011.04.13) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양광석 대한민국 대전광역시 유성구
2 이형근 대한민국 대전광역시 유성구
3 최낙진 대한민국 대전광역시 유성구
4 정선경 대한민국 대전광역시 서구
5 박강호 대한민국 대전광역시 유성구
6 김종대 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 문용호 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 ** 디타워 D* **층(법무법인세종)
2 이용우 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 ** 디타워 D* **층(법무법인세종)
3 강신섭 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 ** 디타워 D* **층(법무법인세종)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.10.05 수리 (Accepted) 1-1-2009-0608864-27
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2013.10.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0900589-76
3 보정요구서
Request for Amendment		 2013.10.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0122861-46
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0953434-39
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
자성을 띄는 금속나노를 포함하는 탄소나노입자 분산액과 고분자 용액을 혼합하여 복합체 제조 용액을 준비하는 단계; 상기 복합체 제조 용액에 자기장을 인가하여 탄소나노입자를 정렬 또는 편재시키는 단계;및 상기 복합체 제조 용액을 중합 또는 건조시키는 단계; 를 포함하는 탄소나노입자-고분자 복합체의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 자성을 띄는 금속나노입자는 Ni, Co, Fe, Y, Pd, Pt 및 Au로 이루어진 군에서 선택되며, 금속나노입자의 크기는 5 내지 500 nm 인 탄소나노입자-고분자 복합체의 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 탄소나노입자로는 단일벽 탄소나노튜브, 이중벽 탄소나노튜브, 다중벽 탄소나노튜브, 다발형 탄소나노튜브, 탄소나노 구(sphere), 그라핀 (graphene), 그라핀 옥사이드 및 이들의 조합으로부터 선택되는 탄소나노입자-고분자 복합체의 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 복합체 제조 용액을 준비하는 단계에서, 탄소나노입자의 함량은 복합체 제조 용액의 고형분 총중량 100중량부에 대하여 0
5 5
제 1항에 있어서, 상기 복합체 제조 용액을 준비하는 단계에서, 복합체 제조 용액에서 용매의 함량은 총고형분 1중량부를 기준으로 하여 5 내지 10,000 중량부인 탄소나노입자-고분자 복합체의 제조방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 용매로는 물, 에탄올, 메탄올, 이소프로판올, 1,2-디클로로벤젠(1,2-Dichlorobenzene), 클로로포름, 디메틸포름아미드, 아세톤 및 이들의 조합물로부터 선택되는 탄소나노입자-고분자 복합체의 제조방법
7 7
제 1항에 있어서, 상기 중합 또는 건조 단계에서, 40 내지 150℃로 가열하는 것인 탄소나노입자-고분자 복합체의 제조방법
8 8
제 1항에 있어서, 상기 자기장은 자기력이 100 가우스(Gause) 내지 200,000 가우스(Gause)의 자석을 복합체 제조 용액에 접촉 또는 근접시키는 것으로 인가되는 탄소나노입자-고분자 복합체의 제조방법
9 9
제 9항에 있어서, 상기 자석으로는 네오디움(NdFeB) 자석, 훼라이트(ferrite) 자석, 사마륨(SmCo) 자석, 알리코 자석으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 탄소나노입자-고분자 복합체의 제조방법
10 10
제1항 내지 제9항중 어느 하나의 항에 따른 방법에 의해 제조된 탄소나노입자-고분자 복합체
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국전자통신연구원 정보통신연구개발 유비쿼터스 단말용 부품 모듈