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공통 소스 전계효과 트랜지스터에 공통 게이트 전계효과 트랜지스터가 캐스코드 구조로 연결되어 이루어진 캐스코드 증폭기;상기 공통 게이트 전계효과 트랜지스터의 드레인 단자에 병렬로 연결되어, 상기 공통 게이트 전계효과 트랜지스터의 게이트 단자에 인가되는 이득제어 전압신호에 따라 상기 캐스코드 증폭기의 트랜스컨덕턴스를 변화시키는 제1전류 생성부;상기 공통 소스 전계효과 트랜지스터의 공통 소스 단자에 연결되어, 상기 이득제어 전압신호에 따라 상기 캐스코드 증폭기의 바이어스 전류를 조절하는 제2전류 생성부;상기 이득제어 전압신호에 따라 상기 제1전류 생성부 및 상기 제2전류 생성부로 전류 제어신호를 발생하는 전류 제어부; 및상기 공통 게이트 전계효과 트랜지스터의 드레인 단자에 직렬로 연결되어, 상기 캐스코드 증폭기의 트랜스컨덕턴스에 의해 변하는 출력 전류를 차동 출력 전압으로 출력하는 부하단을 포함하는 CMOS 가변 이득 증폭기
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한 쌍의 공통 소스 전계효과 트랜지스터로 이루어져 선형(Triode) 영역에서 차동입력 전압신호를 차동 입력받는 입력단과, 상기 한 쌍의 공통 소스 전계효과 트랜지스터의 드레인 단자에 각각의 소스 단자가 캐스코드(Cascode) 결합된 한 쌍의 공통 게이트 전계효과 트랜지스터로 이루어진 캐스코드단을 구비하여, 상기 캐스코드단의 공통 게이트 전압으로 인가되는 이득제어 전압신호에 따라 상기 입력단의 트랜스컨덕턴스를 변화시키는 캐스코드 증폭기;상기 캐스코드단의 드레인 단자에 병렬로 연결되어, 상기 이득제어 전압신호에 따라 흐르는 전류의 변화에 따라 상기 캐스코드단으로 흐르는 전류를 조절하여, 상기 캐스코드단의 트랜스컨덕턴스를 변화시키는 제1전류 생성부;상기 입력단의 공통 소스 단자에 연결되어, 상기 이득제어 전압신호에 따라 흐르는 전류의 변화에 따라 상기 캐스코드 증폭기에 인가되는 바이어스 전류를 조절하는 제2전류 생성부;상기 이득제어 전압신호에 따라 상기 제1전류 생성부 및 상기 제2전류 생성부로 전류 제어신호를 발생하는 전류 제어부; 및상기 캐스코드단의 드레인 단자에 직렬로 연결되어, 상기 캐스코드 증폭기의 트랜스컨덕턴스에 의해 변하는 출력 전류를 차동 출력 전압으로 출력하는 부하단을 포함하는 CMOS 가변 이득 증폭기
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제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 제1전류 생성부는,상기 전류 제어부로부터 인가되는 전류 제어신호를 각각 게이트 단자로 인가받아서, 상기 전류 제어신호가 감소하면 흐르는 전류가 감소하고, 상기 전류 제어신호가 증가하면 흐르는 전류가 증가하는 한 쌍의 전계효과 트랜지스터를 포함하는, CMOS 가변 이득 증폭기
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제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 제2전류 생성부는,상기 전류 제어부로부터 인가되는 전류 제어신호를 게이트 단자로 인가받아서, 상기 전류 제어신호가 감소하면 흐르는 전류가 감소하고, 상기 전류 제어신호가 증가하면 흐르는 전류가 증가하는 전계효과 트랜지스터를 포함하는, CMOS 가변 이득 증폭기
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5
제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 전류 제어부는,기준 전압이 게이트 단자로 인가되어, 일정한 게이트 전압을 갖는 제1전계효과 트랜지스터;상기 이득제어 전압신호가 게이트 단자로 인가되고, 상기 제1전계효과 트랜지스터와 공통 소스를 형성하여, 상기 이득제어 전압신호가 증가하면 흐르는 전류가 감소하고, 상기 이득제어 전압신호가 감소하면 흐르는 전류가 증가하는 제2전계효과 트랜지스터;상기 제2전계효과 트랜지스터로부터의 전류를 상기 제1전류 생성부로 인가하는 제1전류미러(Mirror) 전계효과 트랜지스터; 및상기 제2전계효과 트랜지스터에 흐르는 전류가 증감하면, 상기 증감하는 전류와 소스 전원 전류의 차에 따라 증감하는 상기 제1전계효과 트랜지스터에 흐르는 전류를 상기 제2전류 생성부로 인가하는 제2전류미러 전계효과 트랜지스터를 포함하는 CMOS 가변 이득 증폭기
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제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 부하단은,저항, 인덕터 및 커패시터 중 적어도 어느 하나의 수동소자를 포함하는, CMOS 가변 이득 증폭기
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7
제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 부하단은,NMOS 및 PMOS 중 적어도 어느 하나의 능동소자를 포함하는, CMOS 가변 이득 증폭기
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8
제 7항에 있어서,상기 부하단은,저항, 인덕터 및 커패시터 중 적어도 어느 하나의 수동소자를 더 포함하는, CMOS 가변 이득 증폭기
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