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기판 위에 n-형 반도체층 및 p-형 반도체층을 차례로 적층하여 발광 다이오드 적층 구조를 형성하는 단계, 그리고상기 p-형 반도체층의 표면에 상기 발광 다이오드 적층 구조의 내부를 통과하는 빛의 전반사를 막는 나노 구조물을 형성하는 단계를 포함하고,상기 나노 구조물을 형성하는 단계는상기 p-형 반도체층 위에 투과층을 형성하는 단계,상기 투과층 위에 근접장 전기방사법을 이용하여 포토 레지스트 패턴을 직접 인쇄하는 단계,상기 포토 레지스트 패턴을 마스크로 상기 투과층을 현상하여 양각 및 음각의 돌출부를 형성하는 단계를 포함하는발광 다이오드의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 나노 구조물을 형성하는 단계는상기 p-형 반도체층 위에 양각 및 음각의 나노 패턴 돌출부를 상기 근접장 전기방사법을 이용하여 직접 인쇄하는 발광 다이오드의 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 나노 구조물을 형성하는 단계는상기 p-형 반도체층 위에 상기 근접장 전기방사법으로 촉매 패턴을 형성하는단계, 그리고상기 촉매 패턴 위에 나노 로드 또는 나노 와이어를 성장시키는 단계를 포함하는발광 다이오드의 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 나노 구조물을 형성하는 단계는상기 p-형 반도체층 위에 상기 근접장 전기방사법으로 AAO 템플레이트를 형성하는 단계,상기 템플레이트 내부에 양극 산화 공정을 통하여 홀을 형성하는 단계, 그리고상기 템플레이트의 홀에 나노 로드 또는 나노 와이어를 성장하는 단계를 포함하는발광 다이오드의 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 나노 구조물을 형성하는 단계는상기 p-형 반도체층 위에 상기 근접장 전기방사법을 이용하여 나노 파티클 패턴을 직접 인쇄하는 발광 다이오드의 제조 방법
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제15항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 나노 구조물은 상기 발광 다이오드 적층 구조의 굴절률보다 높은 굴절률을 가지는 물질로 형성하는 발광 다이오드의 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 발광 다이오드 적층 구조를 형성하는 단계는 상기 n-형 반도체층과 상기 p-형 반도체층 사이에 활성층을 형성하는 단계를 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법
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