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적외선 감지 센서 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014032383
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 적외선 감지 센서는 지지팔 영역에서 감지 전극 상부의 막질들이 모두 제거되어 지지팔이 낮은 열전도도를 가지며, 이에 따라 적외선 센서 구조체의 열전도도가 감소되어 우수한 감지도를 갖는다.적외선 감지 센서, 볼로미터, 감지도
Int. CL H01L 31/02 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020090077760 (2009.08.21)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1182406-0000 (2012.09.06)
공개번호/일자 10-2011-0020063 (2011.03.02) 문서열기
공고번호/일자 (20120913) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.08.21)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조성목 대한민국 대전광역시 유성구
2 류호준 대한민국 서울특별시 노원구
3 양우석 대한민국 대전광역시 서구
4 전상훈 대한민국 대전광역시 유성구
5 최창억 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2009-0513442-79
2 등록결정서
Decision to grant		 2012.08.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0493616-97
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1
금속 패드와 반사막이 상부에 형성된 기판;상기 반사막으로부터 일정 거리 이격되어 형성되며, 온도 변화에 따라 저항값이 변하는 감지막과, 상기 감지막의 하부와 상부에 각각 형성된 하부 보호막 및 상부 보호막을 포함하는 센서 구조체;상기 금속 패드 상부에 일정 두께를 갖도록 형성되며, 상기 감지막, 상기 감지막의 하부에 형성되어 상기 감지막의 저항 변화를 상기 금속 패드로 전달하기 위한 감지 전극, 상기 하부 보호막 및 상부 보호막을 포함하는 앵커; 및상기 앵커로부터 연장되어 상기 센서 구조체를 지지하는 지지팔을 구비하되,상기 지지팔 영역에서 상기 감지 전극 상부에 형성된 상기 감지막과 상기 상부 보호막이 제거되어, 상기 지지팔이 상기 감지 전극과 상기 하부 보호막으로 구성된 것을 특징으로 하는 적외선 감지 센서
2 2
제 1항에 있어서, 상기 기판은 내부에 판독 회로를 포함하며, 상기 금속 패드는 상기 판독 회로와 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 적외선 감지 센서
3 3
제 1항에 있어서, 상기 감지막은 비정질 실리콘, 다결정 실리콘, 바나듐 산화막 중 어느 하나의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 적외선 감지 센서
4 4
제 1항에 있어서, 상기 감지 전극은 타이타늄(Ti), 질화타이타늄(TiN), 니켈크롬 합금(NiCr alloy) 중 어느 하나의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 적외선 감지 센서
5 5
제 1항에 있어서, 상기 하부 보호막 및 상기 상부 보호막은 실리콘 질화막 또는 실리콘 산화막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 적외선 감지 센서
6 6
(a) 내부에 판독 회로가 포함된 기판 상부에 금속 패드와 반사막을 형성한 후 일정 두께의 희생층을 형성하는 단계; (b) 상기 희생층 상부에 하부 보호막을 형성한 후 앵커 영역과 지지팔 영역에 감지 전극을 형성하는 단계;(c) 상기 감지 전극을 덮도록 감지막을 형성하고 상기 감지막 상부에 상부 보호막을 형성하는 단계;(d) 상기 상부 보호막, 상기 감지막 및 상기 하부 보호막을 패터닝하여 센서 구조체 및 지지팔을 형성하는 단계; 및(e) 상기 희생층을 식각하는 단계를 포함하며,상기 (d) 단계에서, 상기 패터닝에 의해 지지팔 영역에서 상기 감지 전극 상부에 형성된 상기 상부 보호막과 상기 감지막이 제거되어 상기 감지 전극과 상기 하부 보호막으로 구성된 지지팔이 형성되는 것을 특징으로 하는 적외선 감지 센서의 제조 방법
7 7
제 6항에 있어서, 상기 (a) 단계에서,상기 금속 패드가 노출되도록 상기 희생층 상에 앵커 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 적외선 감지 센서의 제조 방법
8 8
제 7항에 있어서, 상기 (b) 단계에서,상기 앵커 패턴이 형성된 희생층 상부에 하부 보호막을 형성하는 제1 단계;상기 하부 보호막 상에 상기 금속 패드를 노출하는 컨택홀을 형성하는 제2 단계;상기 노출된 금속 패드에 접촉하도록 상기 감지 전극을 형성하는 제3 단계; 및앵커 영역과 지지팔 영역에 상기 감지 전극이 남겨지도록 상기 감지 전극을 패터닝하는 제4 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 적외선 감지 센서의 제조 방법
9 9
제 8항에 있어서, 상기 제3 단계에서,타이타늄(Ti), 질화타이타늄(TiN), 니켈크롬 합금(NiCr alloy) 중 어느 하나의 물질을 이용하여 감지 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 적외선 감지 센서의 제조 방법
10 10
제 6항에 있어서, 상기 (c) 단계에서,비정질 실리콘, 다결정 실리콘, 바나듐 산화막 중 어느 하나의 물질을 이용하여 감지막을 형성하는 것을 특징으로 하는 적외선 감지 센서의 제조 방법
11 11
제 6항에 있어서, 상기 (d) 단계에서,센서 구조체 영역과 앵커 영역에 포토레지스트 패턴을 형성하는 제1 단계; 및상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 지지팔 영역에서 상기 감지 전극 상부에 형성된 상기 상부 보호막과 상기 감지막을 건식 식각하고 상기 감지 전극에서 식각이 정지되도록 하여 상기 감지 전극과 상기 하부 보호막으로 구성된 지지팔을 형성하면서, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 상부 보호막, 상기 감지막 및 상기 하부 보호막을 건식 식각으로 패터닝하여 센서 구조체를 형성하는 제2 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 적외선 감지 센서의 제조 방법
12 12
제 11항에 있어서, 상기 제2 단계에서,CF4, CHF3, Ar, O 중 적어도 어느 하나로 구성된 혼합 가스를 이용한 플라즈마를 이용하여 상기 상부 보호막, 상기 감지막 및 상기 하부 보호막을 건식 식각하는 것을 특징으로 하는 적외선 감지 센서의 제조 방법
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1 지식경제부 한국전자통신연구원 IT원천기술개발 유비쿼터스용 CMOS 기반 MEMS 복합센서기술개발