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SbTe 씨앗 나노선을 사용한 GeSbTe 나노선 제조법

  • 기술번호 : KST2014032481
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기상-액상-고상(vapor-liquid-solid, VLS)법에 의한 GeSbTe 나노선의 제조 방법에 있어서 금(Au) 박막이 형성된 기판 상에 Sb2Te3(ST)를 공급하여 VLS 법에 의해 SbTe 씨앗 나노선(seed 나노선)을 성장시키는 단계; 및 상기 씨앗 나노선에 GeTe(GT)와 Sb2Te3(ST)를 동시에 공급하여 VLS 법에 의해 GeSbTe 나노선을 성장시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 GeSbTe 나노선의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, Si 웨이퍼 기판 위에서 GST가 뭉치는 현상 없이 GST 나노선을 제조할 수 있을 뿐만 아니라, 제조되는 GST 나노선의 지름을 사용한 Au 금속 박막의 두께에 따라 균일하게 제어할 수 있다. 또한 본 발명에 의한 GST 나노선의 제조방법을 상변이 메모리 소자의 제조에 적용하면, 나노선 개개를 응용한 소자들의 특성을 균일하게 제어할 수 있다. GeSbTe, GeTe, Sb2Te3, 상변화메모리, PRAM, 비휘발성 메모리, 나노선, VLS
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자 1020090014614 (2009.02.23)
출원인 충남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1067280-0000 (2011.09.19)
공개번호/일자 10-2010-0095680 (2010.09.01) 문서열기
공고번호/일자 (20110923) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.02.23)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김의태 대한민국 대전 중구
2 박영수 대한민국 충남 논산시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김원준 대한민국 대전광역시 서구 둔산대로***번길 **, 골드벤처타워***호 타임국제특허법률사무소 (만년동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 충남대학교산학협력단 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.02.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0108493-08
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.18 수리 (Accepted) 4-1-2009-5050645-34
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.01.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0009844-81
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.03.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0161240-00
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.05.31 수리 (Accepted) 4-1-2011-5108981-12
6 등록결정서
Decision to grant		 2011.09.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0507038-45
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.12.26 수리 (Accepted) 4-1-2013-5174286-48
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2015-5116888-44
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.09.01 수리 (Accepted) 4-1-2015-5116889-90
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번호 청구항
1 1
기상-액상-고상(vapor-liquid-solid, VLS)법에 의한 GeSbTe 나노선의 제조 방법에 있어서, 금(Au) 박막이 형성된 기판 상에 Sb2Te3를 공급하여 VLS 법에 의해 SbTe 씨앗 나노선(seed 나노선)을 성장시키는 단계; 및 상기 씨앗 나노선에 GeTe와 Sb2Te3를 동시에 공급하여 VLS 법에 의해 GeSbTe 나노선을 성장시키는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 GeSbTe 나노선의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 웨이퍼 또는 비정질 유리 기판인 것을 특징으로 하는 GeSbTe 나노선의 제조 방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 기판 상에 전극, 도전막, 도전막 패턴, 절연막 또는 절연막 패턴이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 GeSbTe 나노선의 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 금 박막의 두께는 3~10nm인 것을 특징으로 하는 GeSbTe 나노선의 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 씨앗 나노선의 길이는 0
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 SbTe 씨앗 나노선과 GeSbTe 나노선이 in-situ 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 GeSbTe 나노선의 제조 방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 SbTe 씨앗 나노선 및 GeSbTe 나노선의 성장온도는 465-485℃인 것을 특징으로 하는 GeSbTe 나노선의 제조 방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 SbTe 씨앗 나노선 및 GeSbTe 나노선은 0
9 9
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 하나의 방법에 의해 제조된 GeSbTe 나노선이 적용된 상변화 메모리 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국과학재단 충남대학교 특정기초연구사업 나노선-양자점 간의 광여기 캐리어 이동특성 연구와 고효율태양전지로의 응용