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ＭＯＳ형 수소 검지센서

  • 기술번호 : KST2014032635
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 ＭＯＳ형 수소 검지센서에 관한 것으로서, 제1 실리콘 기판(111); 상기 제1 실리콘 기판(111)의 양측면상에 형성된 제1 및 제2 실리콘 산화막(121,122); 상기 제1 실리콘 산화막(121)상에 형성된 제2 실리콘 기판(112); 상기 제2 실리콘 기판(112)상에 형성된 제3 실리콘 산화막(123); 상기 제3 실리콘 산화막(123)상에 형성된 수소 흡착금속층(130); 상기 수소 흡착금속층(130)상에 형성된 제1 전극층(141); 상기 제2 실리콘 기판(112)상의 또다른 위치에 형성된 제2 전극층(142);을 포함하여 이뤄진다. 수소 센서, 폭발, SOI 기판, 수소흡착 금속, MOS
Int. CL G01N 27/12 (2006.01) G01N 27/22 (2006.01)
CPC G01N 27/121(2013.01) G01N 27/121(2013.01) G01N 27/121(2013.01) G01N 27/121(2013.01) G01N 27/121(2013.01)
출원번호/일자 1020040109344 (2004.12.21)
출원인 재단법인 포항산업과학연구원
등록번호/일자 10-1062221-0000 (2011.08.30)
공개번호/일자 10-2006-0070749 (2006.06.26) 문서열기
공고번호/일자 (20110905) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.12.21)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김흥락 대한민국 경상북도 경주시
2 김영덕 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 김광일 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인맥 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, *층 (양재동, 화승빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2004-0602498-07
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.03.04 수리 (Accepted) 4-1-2005-5020373-24
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2009.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2009-0788671-99
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.07.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.08.16 수리 (Accepted) 9-1-2011-0067706-44
6 등록결정서
Decision to grant		 2011.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0480280-11
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-0019112-38
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 실리콘 기판(111); 상기 제1 실리콘 기판(111)의 양측면상에 형성된 제1 및 제2 실리콘 산화막(121,122); 상기 제1 실리콘 산화막(121)상에 형성된 제2 실리콘 기판(112); 상기 제2 실리콘 기판(112)상에 형성된 제3 실리콘 산화막(123); 상기 제3 실리콘 산화막(123)상에 형성된 수소 흡착금속층(130); 상기 수소 흡착금속층(130)상에 형성된 제1 전극층(141); 상기 제2 실리콘 기판(112)상의 또다른 위치에 형성된 제2 전극층(142);을 포함하여 이뤄진 ＭＯＳ형 수소 검지센서
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 실리콘 기판(111) 및 그 일측면상에 형성된 제1 실리콘 산화막(121), 상기 제1 실리콘 산화막(121)상에 형성된 제2 실리콘 기판(112)은 SOI(Silicon On Insulator) 기판 형태로 제조된 것임을 특징으로 하는 ＭＯＳ형 수소 검지센서
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 수소 흡착금속층(130) 이외의 부분은 에폭시(6)로 코팅 처리된 것을 특징으로 하는 ＭＯＳ형 수소 검지센서
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.