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기판; 및
상기 기판 상에 형성되며, 아민기를 포함하는 고분자 전해질로서 상기 아민기가 글루타르알데히드 가교제로 가교된 고분자 전해질 박막층을 포함하여 형성되는 다층구조 고분자 전해질;을 포함하며,
산성 상태에서 염화 마그네슘, 염화나트륨, 염화칼륨, 염화칼슘 및 염화아연으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들 중 2종 이상의 혼합물로 처리되어 상기 고분자 전해질 박막층의 다공성이 증가된 것을 특징으로 하는 다층구조 고분자 전해질 코팅체
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제5항에 있어서,
상기 기판은 유리, 실리콘 웨이퍼 또는 고분자를 포함하여 형성된 것을 특징으로 하는 다층구조 고분자 전해질 코팅체
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제6항에 있어서,
상기 고분자를 포함하여 형성된 기판은 PMMA 또는 PC를 포함하여 형성된 것을 특징으로 하는 다층구조 고분자 전해질 코팅체
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제5항에 있어서,
상기 기판은 염기성 용액 또는 산소 플라즈마로 전처리된 것임을 특징으로 하는 다층구조 고분자 전해질 코팅체
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제5항에 있어서,
상기 다층구조 고분자 전해질은 상기 아민기를 포함하는 고분자 전해질로 형성된 박막층; 및 상기 아민기를 포함하는 고분자 전해질 박막층의 전하와 반대되는 전하를 띠는 고분자 전해질로 형성된 박막층이 교대로 적층하여 형성된 적층체를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 다층구조 고분자 전해질 코팅체
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(S1) 기판을 전처리하는 단계;
(S2) 상기 전처리된 기판에 아민기를 포함하는 고분자 전해질 용액을 도포시켜 기판 표면에 아민기를 포함하는 고분자 전해질 박막층을 형성하는 단계;
(S3) 상기 아민기를 포함하는 고분자 전해질 박막층 상에 상기 박막층을 형성하는 아민기를 포함하는 고분자 전해질과 반대되는 전하를 띠는 고분자 전해질 용액을 도포시켜 상기 아민기를 포함하는 고분자 전해질 박막층 상에 제2의 고분자 전해질 박막층을 형성하는 단계;
(S4) 상기 (S2) 단계 및 (S3) 단계의 각 박막층 형성 단계를 교대로 반복하여 미리 정해진 두께의 다층구조 고분자 전해질을 얻은 후, 산성 상태에서 염화 마그네슘, 염화나트륨, 염화칼륨, 염화칼슘 및 염화아연으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 2종 이상의 혼합물로 처리하여 상기 다층구조 고분자 전해질 박막층의 다공성을 증가시키는 단계;
(S5) 상기 기판 상에 형성된 고분자 전해질을 글루타르알데히드 용액으로 처리하여 상기 아민기를 포함하는 고분자 전해질을 가교시키는 단계;
를 포함하는 것을 특징으로 하는 다층구조 고분자 전해질 코팅체의 제조방법
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제11항에 있어서,
상기 기판은 유리, 실리콘 웨이퍼 또는 고분자를 포함하여 형성된 것을 특징으로 하는 다층구조 고분자 전해질 코팅체의 제조방법
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제11항에 있어서,
상기 (S1) 단계의 전처리는 상기 기판을 염기성 용액으로 처리하거나 또는 산소 플라즈마 처리하여 수행되는 것을 특징으로 하는 다층구조 고분자 전해질 코팅체의 제조방법
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제11항에 있어서,
상기 (S2) 단계의 아민기를 포함하는 고분자 전해질은 폴리알릴아민, 폴리비닐아민, 폴리아미노에틸메타크릴레이트, 폴리라이신 및 폴리에틸렌이민으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나, 이들의 블렌드 또는 이들의 공중합체의 염인 것을 특징으로 하는 것을 다층구조 고분자 전해질 코팅체의 제조방법
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제11항에 있어서,
상기 (S3) 단계의 상기 아민기를 포함하는 고분자 전해질과 반대되는 전하를 띠는 고분자 전해질은 폴리아크릴산, 폴리메타아크릴산, 폴리스티렌설포네이트 및 폴리비닐포스페이트로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 또는 이들의 블렌드 또는 이들의 공중합체인 것을 다층구조 고분자 전해질 코팅체의 제조방법
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제11항에 있어서,
상기 (S2) 단계의 아민기를 포함하는 고분자 전해질 용액의 pH는 3
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제11항에 있어서,
상기 (S3) 단계의 상기 아민기를 포함하는 고분자 전해질과 반대되는 전하를 띠는 고분자 전해질 용액의 pH는 2
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제11항에 있어서,
상기 각 박막층의 형성단계 후에는 각각 세정단계를 더 거치는 것을 특징으로 하는 것을 다층구조 고분자 전해질 코팅체의 제조방법
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