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다단계 습식 식각을 이용한 유리 미세 가공

  • 기술번호 : KST2014033032
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 초소형 센서나 유체 소자 등을 제작하거나 패키징하는데 사용되는 유리 기판을 미세 가공하기 위한 다단계 습식 식각 방식에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 다층의 금속 또는 폴리머 식각 마스크를 사용하여 유리 기판을 다단계 습식 식각 가공함으로써 기존의 습식 가공 방식의 문제점인 가공 단면의 과도한 언더컷 발생을 최소화하는 새로운 유리 기판 가공 방식에 관한 것이다. 이를 위하여 본 발명은, 마이크로머시닝 기술로 유리 기판에 금속과 폴리머와 음성 후막 감광제를 이용하여 1차 식각 마스크를 제작하는 단계, 불산 용액을 이용한 1차 습식 식각 단계, 가공된 유리면에 2차 식각 마스크를 제작하는 단계, 2차 습식 식각하는 단계로 이루어진다. 위에 기술된 단계들로 이루어진 유리 가공 방식은 건식 식각 혹은 분말 분사 가공 방식에 비해서 가공 시간이 빠르고, 가공 후 유리 표면이 매끄러워 초소형 센서나 유체 소자들의 접합 및 패키징이 용이하다. 또 이 가공 방식으로 기존의 습식 식각 후 생기는 과도한 언더컷의 발생을 줄이고, 분말 분사 가공 방식 후 가공된 바닥이 불투명해지는 문제를 없앨 수 있다. 또 건식 식각 방식과 달리 가공 속도가 빠르다는 장점을 지닌다. 다단계 습식 식각, 유리 가공, 패키징, 마이크로머시닝, 식각 마스크
Int. CL C03C 15/00 (2006.01) H01L 21/3063 (2006.01)
CPC H01L 21/31144(2013.01) H01L 21/31144(2013.01)
출원번호/일자 1020050134848 (2005.12.30)
출원인 아주대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1033174-0000 (2011.04.28)
공개번호/일자 10-2007-0071429 (2007.07.04) 문서열기
공고번호/일자 (20110511) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.10.09)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 아주대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양상식 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 윤재승 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 덕천빌딩 *층 (역삼동)(예준국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 아주대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2005-0782382-10
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2008.10.09 수리 (Accepted) 1-1-2008-0704067-40
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2009.10.27 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2009.11.13 수리 (Accepted) 9-1-2009-0062435-56
5 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2009.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2009-0759127-04
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.07.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0304742-85
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.09.15 수리 (Accepted) 1-1-2010-0601399-14
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.10.13 수리 (Accepted) 1-1-2010-0659947-16
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.10.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0659943-34
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2011.02.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0065728-95
11 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2011.03.08 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2011-0009047-57
12 등록결정서
Decision to grant
2011.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0220288-44
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-5000672-13
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번호 청구항
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삭제
2 2
화학 기상 증착 방식을 이용하여 유리기판 위에 금속을 증착해서 제1층 형성하는 단계; 상기 제1층에 폴리머를 도포하여 제2층을 형성하는 단계; 상기 제2층에 음성 후막 감광제를 도포하여 제3층을 형성하는 단계; 사진 식각 공정을 이용하여 상기 제3층에 제1식각 마스크를 패턴하는 단계; 반응성 이온 식각 공정을 이용하여 상기 패턴된 제1식각 마스크에 따라 제2층을 식각하는 단계; 금속 식각액을 이용하여 상기 제1식각 마스크에 따라 상기 제1층을 식각하는 단계; 불산 용액을 이용하여 상기 제1식각 마스크를 제거하는 단계; 상기 제1식각 마스크가 제거된 유리기판 위에 화학 기상 증착 방식을 이용하여 금속을 증착하여 제4층을 형성하는 단계; 상기 제4층위에 음성 후막 감광제를 도포하여 제5층을 형성하는 단계; 사진 식각 공정을 이용하여 상기 제5층에 제2식각 마스크를 패턴하는 단계; 금속 식각액을 이용하여 상기 패턴된 제2식각 마스크에 따라 상기 제4층을 식각하는 단계; 불산 용액에서 상기 패턴된 제2식각 마스크에 따라 유리기판을 식각하는 단계; 및 음성 후막 감광제 제거 용액과 금속 식각액을 이용하여 제2식각 마스크의 형성에 사용된 제4층 및 제5층을 제거하는 단계를 포함하는, 다단계 습식 식각을 이용한 유리 미세 가공 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.